一种套刻误差量测和问题评估的方法技术

本发明专利技术提供一种套刻误差量测和问题评估的方法，包括：输入套刻误差量测方案，输入全部套刻误差量测标识信息，输入目标上下限以及套刻误差异常评估标准，完成数据收集，将量测值与上下限对比，超出的数据点标记为问题点，根据评估标准，判断是否需增加新的数据收集方案，若问题点所占比例超过设定值，则生成套刻误差异常报告，否则根据评估标准判断需将哪些量测标识纳入新的数据收集方案进行量测，若新得到的量测数据中还有问题点，则将其标记，直到套刻误差的量测数据均落在目标上下限范围内，生成套刻误差问题和问题影响程度报告。本发明专利技术可减少确定套刻误差问题范围时间，得到套刻误差问题和问题影响程度，便于工程师判断并采取下一步处理方案。

【技术实现步骤摘要】
一种套刻误差量测和问题评估的方法
本专利技术涉及微电子光刻工艺领域，且特别涉及一种智能化套刻误差量测和问题评估的方法。
技术介绍
曝光显影后存留在光刻胶上的图形(当层)必须与晶圆衬底上已有的图形(前层)对准，这样才能保证器件各部分之间连接正确。对准误差太大是导致器件短路和断路的主要原因之一，它极大地影响器件的良率。在集成电路制造的流程中，有专门的设备通过测量晶圆上当层图形与前层图形之间的相对位置来确定套刻的误差(overlay)。晶圆上专门用来测量套刻误差的图形为套刻标识，这些图形在设计掩模时已经被放置在了指定的区域，通常是在曝光单元的边缘，也有改进后的套刻标识被放置在曝光单元中器件附近。套刻误差定量地描述了当层相对于前层沿X和Y方向的偏差，以及这种偏差在晶圆表面的分布，是检测光刻工艺好坏的一个关键指标，最理想的情况是当层与前层的图形完全对准，套刻误差为零。关于套刻误差的量测，业界通用的方法为按照事先确定的量测方案进行的，这个量测方案包括晶圆上测量哪几个曝光单元，一个曝光单元中测量哪几个套刻标识，如图一(a)(b)所示，分别为量测固定的九个曝光单元每个曝光单元的四个位置的共36个套刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种套刻误差量测和问题评估的方法，其特征在于，包括下列步骤：输入正常的固定的套刻误差量测方案；输入晶圆上全部可用的套刻误差量测标识的信息；输入相应的套刻误差的目标上下限以及套刻误差异常评估标准；完成正常的固定的套刻误差数据收集，量测过程中，每得到一个量测标识的量测值，系统自动将其与目标上下限对比，如果量测值均在目标上下限范围内，则直接生成套刻误差报告，如果有超出目标上下限的数据点，则将其标记出来开始下一步骤；针对标记出来的问题点，系统根据评估标准，自动判断是否需要增加新的数据收集方案，如果问题点所占比例超过设定值，则直接生成套刻误差异常报告，如果比例在设定值范围内，则开始下一步骤；系统再根据评...

【技术特征摘要】
1.一种套刻误差量测和问题评估的方法，其特征在于，包括下列步骤：输入正常的固定的套刻误差量测方案；输入晶圆上全部可用的套刻误差量测标识的信息；输入相应的套刻误差的目标上下限以及套刻误差异常评估标准；完成正常的固定的套刻误差数据收集，量测过程中，每得到一个量测标识的量测值，系统自动将其与目标上下限对比，如果量测值均在目标上下限范围内，则直接生成套刻误差报告，如果有超出目标上下限的数据点，则将其标记出来开始下一步骤；针对标记出来的问题点，系统根据评估标准，自动判断是否需要增加新的数据收集方案，如果问题点所占比例超过设定值，则直接生成套刻误差异常报告，如果比例在设定值范围内，则开始下一步骤；系统再根据评估标准自动判断需要将哪些量测标识纳入新的数据收集方案进行量测，如果新得到的量测数据均在目标上下限范围内，则开始下一步骤，如果新得到的量测数据中还是有超出目标上下限的问题点，则再将其标记出来，重复本步骤；以此类推，直到套刻误差的量测数据均落在目标上下限范围内，生成套刻误差问题和问题影响程度报告。2.根据权利要求1所述的套刻误差量...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈巧丽，许箭，杨正凯，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31