【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造领域的设备,特别涉及一种应用于光刻测量技术中的套刻误差测量装置及方法。
技术介绍
根据半导体行业组织(InternationalTechnologyRoadmapforSemiconductors,ITRS)给出的光刻测量技术路线图,随着光刻图形关键尺寸(CD)进入22nm及以下工艺节点,特别是双重曝光(DoublePatterning)技术的广泛应用,对光刻工艺参数套刻(overlay)的测量精度要求已经进入亚纳米领域。由于成像分辨率极限的限制,传统的基于成像和图像识别的套刻测量技术(Imaging-Basedoverlay,IBO)已逐渐不能满足新的工艺节点对套刻测量的要求。基于衍射光探测的套刻测量技术(Diffraction-Basedoverlay,DBO)正逐步成为套刻测量的主要手段。美国专利US7791727B2(下文称文献1)公开了一种DBO技术,该技术通过测量套刻标记衍射光角分辨谱中相同衍射级次间的非对称性得到套刻误差,衍射光的衍射角随入射光入射角度变化而改变,所谓衍射光角分辨谱是指不同角度的入射光在被套刻标记衍射后衍射光在不同角度形成的光强分布,如其公式6所示,中国专利CN1916603也公开了类似的技术,其中图10是一种环形照明模式下,各个衍射级次的角分辨谱在CCD探测器上的分布情况。文献1中的Fig.3是该技术方案的装置结构图,光源2发出的光经干涉滤波装置3 ...
【技术保护点】
一种套刻误差测量装置,用于测量放置于工件台上的被测对象的套刻误差,所述被测对象为周期性结构,其特征在于,所述套刻误差测量装置包括:光源系统、分光镜、显微物镜、透镜组、监测光栅及探测器;其中,所述光源系统提供宽波段线光源以产生测量光束;所述测量光束入射到分光镜上后反射和透射;反射光通过显微物镜后以不同的入射角投射到被测对象上发生反射和衍射,并再次通过所述显微物镜达到探测器上,形成衍射光谱测量信号;透射光经过透镜组后投射在与被测对象共轭且周期相同的检测光栅上,所述检测光栅倾斜放置,使得透射光投射在检测光栅上后,0级光被检测光栅反射至光路之外,返回的+1级光或‑1级光依次经过透镜组和分光镜到达探测器上,形成衍射光监测信号,所述衍射光谱测量信号可相对衍射光谱监测信号做归一化处理;当测得所述被测对象的衍射光谱测量信号后,所述工件台带动所述被测对象相对原位置旋转180度,在所述显微物镜相同位置处测得所述被测对象旋转后的衍射光谱测量信号,根据旋转前后获得的衍射光谱测量信号求得所述套刻误差。
【技术特征摘要】
1.一种套刻误差测量装置,用于测量放置于工件台上的被测对象的套刻
误差,所述被测对象为周期性结构,其特征在于,所述套刻误差测量装置包
括:
光源系统、分光镜、显微物镜、透镜组、监测光栅及探测器;其中,所述
光源系统提供宽波段线光源以产生测量光束;所述测量光束入射到分光镜上后
反射和透射;反射光通过显微物镜后以不同的入射角投射到被测对象上发生反
射和衍射,并再次通过所述显微物镜达到探测器上,形成衍射光谱测量信号;
透射光经过透镜组后投射在与被测对象共轭且周期相同的检测光栅上,所述检
测光栅倾斜放置,使得透射光投射在检测光栅上后,0级光被检测光栅反射至光
路之外,返回的+1级光或-1级光依次经过透镜组和分光镜到达探测器上,形成
衍射光监测信号,所述衍射光谱测量信号可相对衍射光谱监测信号做归一化处
理;
当测得所述被测对象的衍射光谱测量信号后,所述工件台带动所述被测对
象相对原位置旋转180度,在所述显微物镜相同位置处测得所述被测对象旋转
后的衍射光谱测量信号,根据旋转前后获得的衍射光谱测量信号求得所述套刻
误差。
2.如权利要求1所述的套刻误差测量装置,其特征在于,所述光源系统包
括光源、光源整形系统及准直系统,光源发出光产生二维的面光源,经过所述
光源整形系统后,形成一维的线光源,所述线光源经过准直系统形成平行光后
得到所述测量光束。
3.如权利要求2所述的套刻误差测量装置,其特征在于,所述光源为白光
光源,或者由若干个分立谱线组成的复合光源。
4.如权利要求3所述的套刻误差测量装置,其特征在于,所述光源整形系
统为若干个光纤组成的光纤簇,所述光纤簇靠近光源处的一端以二维面排布,
在另一端以线形排布。
5.如权利要求3所述的套刻误差测量装置,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:彭博方,陆海亮,王帆,
申请(专利权)人:上海微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。