本发明专利技术公开了一种减小掩膜版拼接误差的方法，根据相邻的两块掩膜版拼接区域上曝光图案在重复曝光后刻蚀形成的图形结果，逆向对掩膜版上的所述拼接区域的曝光图案进行结构补偿。本发明专利技术能够通过掩膜版的补偿设计，可以消除由于重复曝光和工艺偏差对拼接区域曝光图案的失真处理，保证拼接区域刻蚀后图形和非拼接区域刻蚀后图形的一致性，提高产品的良率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，特别是涉及。
技术介绍
随着薄膜晶体管液晶显示器的面板尺寸不断增大，各TFT-IXD厂家纷纷投资高世代生产线，以期生产出更大尺寸的面板。由于面板尺寸的增大，需要利用若干个较小尺寸的掩膜版进行多次分步曝光，形成较大尺寸的面板，再通过一定的设计和排布来实现大尺寸面板的功能。采用掩膜版拼接，多次分步曝光技术可以制造出大尺寸的面板，但是掩膜版拼接时，相邻的两块掩膜版之间具有相同的曝光图案区域，形成拼接区域，如图I所示，第一掩膜版I和第二掩膜版2拼接，其相邻的边缘为拼接区域3，拼接区域3所对应的曝光图案，相较于一次曝光量多了一次曝光，所以拼接区域3的图形会和非拼接区域的图形不同，如图2 中所示的由于重复曝光而导致的拼接曝光区域在刻蚀后图形A变窄以及图3中所示的由于重复曝光而导致的拼接曝光区域在刻蚀后图形A变宽的情形；同样由于拼接过程中的工艺偏差，也会使拼接区域的图形和非拼接区域的图形不同，如图4中所示的因掩膜版对接时出现偏差而导致的拼接曝光区域在刻蚀后图形A断线的情形。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是如何避免掩膜版拼接区域曝光和刻蚀后的图案与非拼接区域曝光和刻蚀后的图案有差异的现象。(二)技术方案为了解决上述技术问题，本专利技术提供，根据相邻的两块掩膜版拼接区域上曝光图案在重复曝光后刻蚀形成的图形结果，逆向对掩膜版上的所述拼接区域的曝光图案进行结构补偿。其中，当所述拼接区域上曝光图案在重复曝光后刻蚀形成的图形与非拼接区域上曝光图案在一次曝光后刻蚀形成的图形相比较窄时，则对掩膜版上所述拼接区域的曝光图案的宽度进行加大。其中，当所述拼接区域上曝光图案在重复曝光后刻蚀形成的图形与非拼接区域上曝光图案在一次曝光后刻蚀形成的图形相比较宽时，则对掩膜版上所述拼接区域的曝光图案的宽度进行减小。其中，当所述拼接区域上曝光图案在重复曝光后刻蚀形成的图形发生偏移，使刻蚀后图形断线时，则对掩膜版上所述拼接区域发生偏移的曝光图案朝着偏移相反的方向的宽度和长度进行加大。进一步地，上述进行结构补偿后的掩膜版上的曝光图案的边缘线为直线、折线或弧线。(三)有益效果上述技术方案所提供的减小掩膜版拼接误差的方法，根据相邻的两块掩膜版拼接区域上曝光图案在重复曝光后刻蚀形成的图形结果，逆向对掩膜版上的所述拼接区域的曝光图案进行结构补偿，通过掩膜版的补偿设计，可以消除由于重复曝光和工艺偏差对拼接区域曝光图案的失真处理，保证拼接区域刻蚀后图形和非拼接区域刻蚀后图形的一致性， 提闻广品的良率。附图说明图I是利用掩模板拼接进行曝光时两块掩模板的拼接示意图；图2是现有技术中因重复曝光而导致的拼接曝光区域在刻蚀后图形变窄的示意图3是现有技术中因重复曝光而导致的拼接曝光区域在刻蚀后图形变宽的示意图;图4是现有技术中因掩膜版对接时出现偏差而导致的拼接曝光区域断线的示意图;图5至图7是本专利技术实施例中针对图2中刻蚀后图形变窄所设计的掩膜版的结构图8是本专利技术实施例中针对图3中刻蚀后图形变宽所设计的掩膜版的结构示意示意图； 图9是本专利技术实施例中针对图4中刻蚀后断线所设计的掩膜版的结构示意图。其中，I :第一掩膜版；2 :第二掩膜版；3 :拼接区域；A :刻蚀后图形。具体实施方式下面结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。本实施例所提供的减小掩膜版拼接误差的方法，是根据相邻的两块掩膜版拼接区域上曝光图案在重复曝光后刻蚀形成的图形结果，逆向对掩膜版上的所述拼接区域的曝光图案进行结构补偿。所谓逆向补偿即是进行与所述图形结果相反的结构补偿。具体地，针对图2中所示的拼接区域3上曝光图案在重复曝光后形成的刻蚀后图形A与非拼接区域上曝光图案在一次曝光后刻蚀形成的图形相比较窄的现象，本实施例中对掩膜版上拼接区域3的曝光图案的宽度进行加大，如图5至图7中任一结构所示，加宽后的曝光图案的边缘线条不局限于图5所示的直线，也可以是图6所示的折线，或图7所示的弧线，或者其它曲线等。针对图3中所示的拼接区域3上曝光图案在重复曝光后形成的刻蚀后图形A与非拼接区域上曝光图案在一次曝光后刻蚀形成的图形相比较宽的现象，本实施例中对掩膜版上拼接区域3的曝光图案的宽度进行减小，如图8中的结构所示，宽度减小后的曝光图案的边缘线也不限，可以为直线、折线、弧线或其它曲线等。针对图4中所示的拼接区域3上曝光图案在重复曝光后形成的刻蚀后图形A发生偏移，使刻蚀后图形断线，则对掩膜版上所述拼接区域发生偏移的曝光图案朝着偏移相反的方向的宽度和长度进行加大，如图9中所示的对拼接区域3上曝光图案进行补偿，消除偏移引起的断线现象。进行补偿后的曝光图案的边缘线也不限，可以为直线、折线、弧线或其它曲线等。由以上实施例可以看出，本专利技术实施例根据相邻的两块掩膜版拼接区域上曝光图案在重复曝光后刻蚀形成的图形结果，逆向对掩膜版上的所述拼接区域的曝光图案进行结构补偿，通过掩膜版的补偿设计，可以消除由于重复曝光和工艺偏差对拼接区域曝光图案的失真处理，保证拼接区域刻蚀后图形和非拼接区域刻蚀后图形的一致性，提高产品的良率。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本专利技术的保护范围。权利要求1.，其特征在于，根据相邻的两块掩膜版拼接区域上曝光图案在重复曝光后刻蚀形成的图形结果，逆向对掩膜版上的所述拼接区域的曝光图案进行结构补偿。2.如权利要求I所述的减小掩膜版拼接误差的方法，其特征在于，当所述拼接区域上曝光图案在重复曝光后刻蚀形成的图形与非拼接区域上曝光图案在一次曝光后刻蚀形成的图形相比较窄时，则对掩膜版上所述拼接区域的曝光图案的宽度进行加大。3.如权利要求I所述的减小掩膜版拼接误差的方法，其特征在于，当所述拼接区域上曝光图案在重复曝光后刻蚀形成的图形与非拼接区域上曝光图案在一次曝光后刻蚀形成的图形相比较宽时，则对掩膜版上所述拼接区域的曝光图案的宽度进行减小。4.如权利要求I所述的减小掩膜版拼接误差的方法，其特征在于，当所述拼接区域上曝光图案在重复曝光后刻蚀形成的图形发生偏移，使刻蚀后图形断线时，则对掩膜版上所述拼接区域发生偏移的曝光图案朝着偏移相反的方向的宽度和长度进行加大。5.如权利要求I至4中任一项所述的减小掩膜版拼接误差的方法，其特征在于，进行结构补偿后的所述掩膜版上的曝光图案的边缘线为直线、折线或弧线。全文摘要本专利技术公开了，根据相邻的两块掩膜版拼接区域上曝光图案在重复曝光后刻蚀形成的图形结果，逆向对掩膜版上的所述拼接区域的曝光图案进行结构补偿。本专利技术能够通过掩膜版的补偿设计，可以消除由于重复曝光和工艺偏差对拼接区域曝光图案的失真处理，保证拼接区域刻蚀后图形和非拼接区域刻蚀后图形的一致性，提高产品的良率。文档编号G03F1/38GK102981356SQ201210546099公开日2013年3月20日 申请日期2012年12月14日 优先权日2012年12月14日专利技术者赵利军, 林允植 申请人:京东方科技集团股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种减小掩膜版拼接误差的方法，其特征在于，根据相邻的两块掩膜版拼接区域上曝光图案在重复曝光后刻蚀形成的图形结果，逆向对掩膜版上的所述拼接区域的曝光图案进行结构补偿。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵利军，林允植，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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