压力传感器芯片的测试方法技术

本发明专利技术涉及一种压力传感器芯片的测试方法，使用该测试方法，在常温下，分别测试多个的被测压力传感器芯片工作压力范围内的第一输出电压；并对多个被测压力传感器芯片进行互不相同的老化处理；将老化处理后的多个被测压力传感器芯片均恢复至常温，分别测试工作压力范围内的第二输出电压；分别计算多个被测压力传感器芯片的两次输出电压的实际变化率；通过比较实际变化率和预设变化率的大小，就能准确的判断出被测压力传感器芯片是否合格。该方法能够直观、快速、准确的测试出压力传感器芯片的性能，可以用于验证和监控压力传感器芯片的工艺可靠性。

【技术实现步骤摘要】
压力传感器芯片的测试方法
本专利技术涉及半导体器件测试，特别是涉及压力传感器芯片的测试方法。
技术介绍
微电子机械系统(MicroElectroMechanicalSystems，MEMS)是利用集成电路制造技术和微加工技术把微结构、微传感器、微执行器、控制处理电路甚至接口、通信和电源等制造在一块或多块芯片上的微型集成系统。压力传感器是将压力信号转换为电学信号的换能器，是商业化的传感器中的重要组成部分。与传统压力传感器相比，采用MEMS技术制备的压力传感器在体积、功耗、重量以及价格等方面有十分明显的优势。目前，利用MEMS技术制作的压力传感器已广泛用于汽车工业、生物医学、工业控制、能源、以及半导体工业等众多领域。到目前为止MEMS业界的工作主要集中在新工艺开发和新装置的研制上，对可靠性的研究较少，MEMS工艺可靠性老化方案和测试数据稀缺，与产品功能开发相比可靠性研究严重滞后。另外，MEMS产品工艺可靠性测试方法无行业标准，工厂针对MEMS产品仅有PCM参数测量，无可靠性测试方法，无法验证和监控其工艺可靠性。MEMS压力传感器成品的可靠性测试，测试对象为包括压力传感器芯片、ASIC芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压力传感器芯片的测试方法，其特征在于，包括：经半导体工艺，形成同一批次的压力传感器芯片，并选取多个被测试压力传感器；在常温下，分别测试多个所述被测压力传感器芯片工作压力范围内的第一输出电压；对每颗所述被测压力传感器芯片进行一次老化处理；将多个所述被测压力传感器芯片均恢复至常温，分别测试工作压力范围内的第二输出电压；根据所述第一输出电压、第二输出电压，分别计算多个所述被测压力传感器芯片的两次输出电压的实际变化率；对应比较所述实际变化率与预设变化率的大小，并判断被测压力传感器是否合格。

【技术特征摘要】
1.一种压力传感器芯片的测试方法，其特征在于，包括：经半导体工艺，形成同一批次的压力传感器芯片，并选取多个被测试压力传感器；在常温下，分别测试多个所述被测压力传感器芯片工作压力范围内的第一输出电压；对每颗所述被测压力传感器芯片进行一次老化处理；将多个所述被测压力传感器芯片均恢复至常温，分别测试工作压力范围内的第二输出电压；根据所述第一输出电压、第二输出电压，分别计算多个所述被测压力传感器芯片的两次输出电压的实际变化率；对应比较所述实际变化率与预设变化率的大小，并判断被测压力传感器是否合格。2.根据权利要求1所述的压力传感器芯片的测试方法，其特征在于，所述被测压力传感器芯片的数量大于等于五。3.根据权利要求2所述的压力传感器芯片的测试方法，其特征在于，所述老化处理包括五种老化处理试验，分别为：高温存储试验、温度冲击试验、电压过载试验、压力过载试验、温湿循环试验。4.根据权利要求3所述的压力传感器芯片的测试方法，其特征在于，所述高温存储试验的应力条件为：将被测压力传感器芯片在84.5℃-85.5℃范围内的恒温环境内保存72小时；所述温度冲击试验的应力条件为：将被测压力传感器芯片进行10次-50℃和150℃高低温循环冲击；...

【专利技术属性】
技术研发人员：马婷婷，王少荣，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32