一种MEMS多晶硅纳米膜压力传感器芯片制造技术

一种MEMS多晶硅纳米膜压力传感器芯片，涉及一种传感器芯片，本实用新型专利技术传感器芯片，包括单晶硅衬底(1),在硅衬底上设置剖面为平坦型多晶硅的感压膜（4）,以二氧化硅为牺牲层在感压膜和衬底之间形成的密闭空腔(2)，在感压膜（4）上表面设有四个多晶硅纳米膜力敏电阻（5），力敏电阻（5）、感压膜（4）与金属导线之间为绝缘层（7）隔离，四个力敏电阻（5）通过金属导线连接成惠斯通电桥，将压力转换成电压输出，感压膜（4）边缘外设置有密封的腐蚀孔（3）。本实用新型专利技术具有线性度和灵敏度高、工作温度范围宽、过载能力强、工艺简单和成本低等特点。

【技术实现步骤摘要】
201620001545

【技术保护点】
一种MEMS多晶硅纳米膜压力传感器芯片，其特征在于：所述芯片包括单晶硅衬底（1），在单晶硅衬底（1）上设置剖面为平坦型的感压膜（4），感压膜（4）与单晶硅衬底（1）相连并在二者之间构成密闭空腔（2），感压膜（4）边缘外四周设置有腐蚀孔（3），在感压膜（4）上面设有四个力敏电阻（5），四个力敏电阻（5）通过金属导线（6）连接成惠斯通电桥，将压力转换成电压输出。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王健，揣荣岩，
申请(专利权)人：沈阳化工大学，
类型：新型
国别省市：辽宁;21