The invention discloses a device and a method for the preparation of sapphire crystal, the apparatus includes a crucible sub device is arranged in the thermal insulation and the crucible sub sub device peripheral device, the crucible sub device is used for providing a place for growth of sapphire crystal, the thermal insulation device relative to the crucible device can move up and down so, through the heat preservation device moves up and down, to provide temperature can adjust the temperature gradient for the sapphire crystal growth. Through the above method, the invention can grow the gem crystal with good integrity, no bubble and no enveloping, large size and high yield.
【技术实现步骤摘要】
一种制备宝石晶体的装置和方法
本专利技术涉及宝石晶体制备
,特别是涉及一种制备宝石晶体的装置和方法。
技术介绍
自然界天然宝石种类繁多,包括红宝石、蓝宝石、纯绿柱石、玉石、石榴石等等,这些宝石色泽艳丽,质地坚硬,是人们喜爱的宝石。民用市场量大、价格昂贵,但是天然宝石的资源量很少,不能满足人们日益增长的需求,因此出现了人工合成上述宝石的技术。采用的技术主要有溶液法、水热法、火焰法、助溶剂法等,但这些方法获得的晶体毛坯较小,没有实际的装饰价值。后来又专利技术了提拉法,人们采用提拉法逐渐可以生长出来较大尺寸的宝石晶体。提拉法是通过感应加热,要经过下种、缩颈、等径等操作,操作繁琐,且在生长过程中固液界面处的温度梯度较大,生长界面过分的凸起,导致晶体内部应力较大以及缺陷较多,且无法生长大尺寸晶体;宝石类晶体多数为高温晶体,且提拉法多数采用贵金属坩埚(如铱金坩埚),生长晶体过程中有大量的铱金损耗,成本代价较高。坩埚下降法也可生长较大尺寸的宝石晶体,但坩埚下降法同样存在一定的缺陷,因为在坩埚下降过程中不可避免的会通过传动装置对坩埚带来轻微震动,这在晶体生长过程中会对晶体带 ...
【技术保护点】
一种制备宝石晶体的装置,其特征在于,所述装置包括:坩埚子装置和设置在所述坩埚子装置外围的保温子装置,所述坩埚子装置用于提供宝石晶体的生长场所,所述保温子装置相对于所述坩埚子装置可上下移动,以便于通过所述保温子装置的上下移动,为所述宝石晶体的生长提供可调节温度梯度的温区。
【技术特征摘要】
1.一种制备宝石晶体的装置,其特征在于,所述装置包括:坩埚子装置和设置在所述坩埚子装置外围的保温子装置,所述坩埚子装置用于提供宝石晶体的生长场所,所述保温子装置相对于所述坩埚子装置可上下移动,以便于通过所述保温子装置的上下移动,为所述宝石晶体的生长提供可调节温度梯度的温区。2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述保温子装置包括:电极、电极板、发热体以及保温屏,所述电极设置成可上下移动,所述电极板设置在所述电极上,所述发热体固定设置在所述电极板的顶部,所述保温屏设置在所述发热体的外围,且与所述电极板绝缘,当所述电极板随着所述电极上下移动时,所述发热体和所述保温屏可同时随着所述电极板的上下移动而上下移动。3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述电极为电极杆,所述电极板固定设置在所述电极杆的顶部,所述保温子装置还包括升降子装置,所述升降子装置设置在所述电极杆的底部。4.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述坩埚子装置包括坩埚杆和设置在所述坩埚杆顶部的坩埚。5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述坩埚子装置还包括保温套,所述保温套包裹设置在所述坩埚和所述坩...
【专利技术属性】
技术研发人员:董永军,
申请(专利权)人:安徽中科镭泰激光科技有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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