新氨基‑甲硅烷基胺化合物、制备其的方法和使用其的含硅薄膜技术

本发明专利技术提供了一种新的氨基‑甲硅烷基胺化合物，制备其的方法和使用其的含硅薄膜，其中所述氨基‑甲硅烷基胺化合物具有热稳定性和高挥发性，并且在室温下和压力下保持液态，液态下容易对其进行处理，从而通过各种沉积方法形成具有高纯度和优良物理和电特性的含硅薄膜。

The new amino silyl amine compound, its preparation method and use of the silicon containing film

The present invention provides a new amino silyl amine compound, its preparation method and use of the silicon containing film, wherein the amino silyl amine compounds have high thermal stability and volatility, and keep the liquid at room temperature and pressure, the liquid is easy to process it, thus silicon films with high purity and excellent physical and electrical properties of the formed by various deposition methods.

【技术实现步骤摘要】
新氨基-甲硅烷基胺化合物、制备其的方法和使用其的含硅薄膜本申请要求于2013年6月7日提交的韩国专利申请No.10-2013-0065399和于2013年12月19日提交的韩国专利申请No.10-2013-0159399的优先权；本申请是2014年6月5日提交的中国专利申请No.201480032373.5的分案申请。
本专利技术涉及一种新的氨基-甲硅烷基胺化合物，制备其的方法和使用其的含硅薄膜，并且尤其涉及一种具有热稳定性和高挥发性并且在室温下和压力下保持液态(液态下容易对其进行处理，)的氨基-甲硅烷基胺化合物、制备其的方法和使用其的含硅薄膜。
技术介绍
含硅薄膜通过在半导体领域的各种沉淀工艺以各种形状来制备，包括硅、二氧化硅、氮化硅、碳氮化硅、氮氧化硅等，并且应用领域广泛。尤其，由于显著优良的封堵性能和抗氧化性，二氧化硅和氮化硅起到绝缘膜、防扩散膜、硬掩模、蚀刻停止层、晶种层，间隔件、沟槽隔离、金属间介电材料和制造设备中的保护层的作用。最近，多晶硅薄膜已被用于薄膜晶体管(TFT)、太阳能电池等，并且应用领域变得多样。作为用于制造含硅薄膜的已知的代表性技术，有金属有机化学气相沉积(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种由以下化学式1表示的氨基‑甲硅烷基胺化合物：化学式1

【技术特征摘要】
2013.06.07 KR 10-2013-0065399;2013.12.19 KR 10-2011.一种由以下化学式1表示的氨基-甲硅烷基胺化合物：化学式1在化学式1中，R1到R4各自独立地为氢、卤素、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C7)环烷基或(C6-C12)芳基，R5和R6各自独立地为氢或甲基，R7和R8各自独立地为氢、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C10)环烷基或(C6-C12)芳基，或连接形成5元到7元脂肪族环；R1到R4的烷基、链烯基、炔基、环烷基和芳基，和R7和R8的烷基、链烯基、炔基、环烷基和芳基可进一步用卤素、(C1-C7)烷基、(C1-C7)烷氧基或(C1-C7)芳氧基取代。2.根据权利要求1所述的氨基-甲硅烷基胺化合物，其中R1到R4各自独立地为氢、卤素、(C1-C5)烷基、(C2-C5)链烯基、(C2-C5)炔基、(C3-C6)环烷基或(C6-C10)芳基，R5和R6各自独立地为氢或甲基，和R7和R8各自独立地为氢、(C1-C5)烷基、(C2-C5)链烯基、(C2-C5)炔基、(C3-C5)环烷基或(C6-C10)芳基。3.根据权利要求2所述的氨基-甲硅烷基胺化合物，其中R1到R4各自独立地为氢或(C1-C5)烷基，R5和R6各自独立地为氢或甲基，和R7和R8各自独立地为氢或(C1-C5)烷基。4.根据权利要求1所述的氨基-甲硅烷基胺化合物，其中化学式1选自以下化合物：5.一种制备以下化学式1表示的氨基-甲硅烷基胺化合物的方法，所述方法包括：在以下化学式2表示的碱或(C1-C7)烷基锂存在下，通过使以下化学式3表示的化合物与以下化学式4表示的化合物反应制备以下化学式5表示的化合物；和通过使以下化学式5表示的化合物与以下化学式6表示的化合物反应制备以下化学式1表示的化合物：化学式1化学式2N(R11)(R12)(R13)，化学式3化学式4化学式5化学式6在化学式1到6中，R11到R13各自独立地为(C1-C7)烷基；R1到R4各自独立地为氢、卤素、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C7)环烷基或(C6-C12)芳基；R5和R6各自独立地为氢或甲基；R7和R8各自独立地为氢、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C10)环烷基或(C6-C12)芳基，或彼此相邻的取代基可连接形成5元到7元脂肪族环；R1到R4的烷基、链烯基、炔基、环烷基和芳基，和R7和R8的烷基、链烯基、炔基、环烷基和芳基可进一步用卤素、(C1-C7)烷基、(C1-C7)烷氧基或(C1-C7)芳氧基取代；M是碱金属；和X1或X2是卤素。6.根据权利要求5所述的方法，其中化学式6表示的化合物通过使(C1-C7)烷基金属(其中所述金属是碱金属)与以下化学式7表示的化合物反应来制备：化学式7在化学式7中，R7和R8各自独立地为氢、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C10)环烷基或(C6-C12)芳基，和R7或R8的烷基、链烯基、炔基、环烷基和芳基可进一步用卤素、(C1-C7)烷基、(C1-C7)烷氧基或(C1-C7)芳氧基取代。7.一种用于制备以下化...

【专利技术属性】
技术研发人员：张世珍，李相道，金成基，杨炳日，昔壮炫，李相益，金铭云，
申请(专利权)人：DNF有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR