半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，具备：以第1成分为主要成分而形成的第1元件(10～14)、以第2成分为主要成分而形成的第2元件(20～24)、载置有第1元件及第2元件的散热器(30)、使第1元件与散热器电接合的第1接合层(50)、使第2元件与散热器电接合的第2接合层(60)、以及覆盖并保护第1元件、第2元件、以及散热器的模制树脂(90)。第1元件及第2元件的尺寸被设定为，第1接合层的等效塑性应变增量大于第2接合层。由此，在具备彼此由不同的成分构成的半导体元件的半导体装置中，在由一方的成分构成的半导体元件侧不设置温度检测部件，也能够进行元件的热保护。

Semiconductor device

A semiconductor device includes first elements with first components as the main component and the formation of (10 ~ 14), the second elements to second component as the main component and the formation of (20 ~ 24), carrying first element and 2 radiator element (30), the first element and first joint electric radiator the bonding layer (50), the second element and the second radiator electric bonding bonding layer (60), and covers and protects the first elements, second elements, and the radiator of the resin (90). The size of the first element and the 2 element is set as the equivalent plastic strain increment of the first joint layer is greater than the second joint layer. Therefore, in semiconductor devices with semiconductor components composed of different components, a temperature detection component is not set on the side of semiconductor components consisting of one component, and thermal protection of components can also be carried out.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置相关申请的相互参照本申请基于2015年6月18日申请的日本申请2015-122981号，其记载内容引入本文。
本专利技术涉及一种多个元件被并联驱动的半导体装置。
技术介绍
近年来，在多个元件被并联驱动的半导体装置中，对一部分元件的构成材料采用被称为宽带隙半导体的作为半导体的一种的碳化硅(SiC)。例如，以SiC为主要成分的开关元件与以硅为主要成分的开关元件相比，导通电阻小，能够降低电力损耗。另外，与硅相比，能够在高温条件下工作，被预期冷却机构的小型化。专利文献1所记载的功率半导体模块中，绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与续流二极管(FWD)并联连接，构成逆变器。在该功率半导体模块中，通过采用SiC作为FWD的构成材料，来降低恢复损耗以及开关损耗，降低FWD的发热量。因此，基于SiC的能够在高温区域使用这一特征，能够扩大FWD的允许工作温度，并能够通过抑制冷却机构的能力而实现小型化。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013－131774号公报
技术实现思路
然而，从相对于温度而保护元件的观点出发，重要的是发现出将元件与其他的部件电连接的部件的热电阻劣化。以往，有在元件上配置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，具备：至少一个第1元件(10～14)，以第1成分为主要成分而形成，在一面和与其相反侧的背面设置有电极；至少一个第2元件(20～24)，以与上述第1成分不同的第2成分为主要成分而形成，在一面和与其相反侧的背面设置有电极；散热器(30)，载置有上述至少一个第1元件及上述至少一个第2元件；第1接合层(50)，将上述至少一个第1元件的背面侧的电极与上述散热器电接合；第2接合层(60)，将上述至少一个第2元件的背面侧的电极与上述散热器电接合；模制树脂(90)，露出上述散热器的表面的一部分，并且覆盖并保护上述至少一个第1元件、上述至少一个第2元件以及上述散热器；在上述半导体装置中，上述至少...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.18 JP 2015-1229811.一种半导体装置，具备：至少一个第1元件(10～14)，以第1成分为主要成分而形成，在一面和与其相反侧的背面设置有电极；至少一个第2元件(20～24)，以与上述第1成分不同的第2成分为主要成分而形成，在一面和与其相反侧的背面设置有电极；散热器(30)，载置有上述至少一个第1元件及上述至少一个第2元件；第1接合层(50)，将上述至少一个第1元件的背面侧的电极与上述散热器电接合；第2接合层(60)，将上述至少一个第2元件的背面侧的电极与上述散热器电接合；模制树脂(90)，露出上述散热器的表面的一部分，并且覆盖并保护上述至少一个第1元件、上述至少一个第2元件以及上述散热器；在上述半导体装置中，上述至少一个第1元件及上述至少一个第2元件的尺寸被设定为，上述第1接合层的等效塑性应变增量大于上述第2接合层。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述散热器具有第1散热器(30)及第2散热器(40)，上述至少一个第1元件经由上述第1接合层载置在上述第1散热器上，并且上述至少一个第2元件经由上述第2接合层载置在上述第1散热器上，上述第2散热器与上述第1散热器对置地配置，上述第2散热器经由第1间隔件(70)与上述至少一个第1元件的一面侧的电极连接，并且经由第2间隔件(80)与上述至少一个第2元件的一面侧的电极连接，上述第2散热器的表面的一部分从模制树脂露出。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，上述至少一个第1元件及上述至少一个第2元件各自的上述一面及上述背面形成一边为2mm以上的正方形，上述至少一个第1元件及上述至少一个第2元件各自的厚度为0.1mm以上，上述至少一个第1元件以硅为主要成分，上述至少一个第2元件以碳化硅为主要成分，上述第1散热器、上述第2散热器、上述第1间隔件及上述第2间隔件以铜为主要成分，并且，在将上述至少一个第1元件的上述一面及上述背面所形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：森野友生，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：日本,JP