传感器封装件制造技术

揭露传感器封装件及其制造方法。一种传感器封装件包括半导体晶粒以及重布线层结构。所述半导体晶粒具有感测表面。所述重布线层结构经配置以形成天线发送器结构以及天线接收器结构，所述天线发送器结构位于所述半导体晶粒侧边，且所述天线接收器结构位于所述半导体晶粒的所述感测表面上方。

Sensor package

The invention discloses a sensor package and a manufacturing method. A sensor package includes a semiconductor grain and a heavy wire layer structure. The semiconductor crystal has a sensing surface. The rewiring layer structure is configured to form an antenna transmitter structure and an antenna receiver structure, and the antenna transmitter structure is positioned on the side edge of the semiconductor grain, and the antenna receiver structure is located above the sensing surface of the semiconductor crystal.

【技术实现步骤摘要】
传感器封装件
本专利技术实施例是涉及传感器封装件及其制造方法。
技术介绍
将数个系统所需的集成电路组合在单一封装件中，是现在对于复杂的电子系统的普遍做法，且通常称作系统级封装(system-in-package，SIP)。SIP组合件可在单一封装件中包含数字、模拟、混合信号，且通常包含射频功能。对于SIP应用方面，设计为接收或发射电磁波的天线收发器(transceiver)可应用于毫米波无线通信(millimeterwavewirelesscommunication)、无线网络(WiFi)以及电信(telecommunication)等。然而，天线收发器的大尺寸以及制造成本已成为问题。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，一种传感器封装件(sensorpackage)包括半导体晶粒以及重布线层结构。所述半导体晶粒具有感测表面(sensingsurface)。所述重布线层结构经配置以形成天线发送器结构以及天线接收器结构，所述天线发送器结构位于所述半导体晶粒侧边，且所述天线接收器结构位于所述半导体晶粒的所述感测表面上方。附图说明图1A至图1G为根据一些实施例所示出的传感器封装件的制造方法的横截面示意图。图2以及图3为根据一些实施例所示出的传感器封装件的天线发送器结构以及天线接收器结构的简化上视图。图4A至图4F为根据替代性实施例所示出的传感器封装件的制造方法的横截面示意图。图5以及图7至图10为根据一些实施例所示出的传感器封装件的横截面示意图。图6为根据一些实施例所示出的传感器封装件的天线发送器结构以及天线接收器结构的简化上视图。图11至图13为根据又一些替代性实施例所示出的传感器封装件的横截面示意图。图14为根据又一些替代性实施例所示出的传感器封装件的天线发送器结构以及天线接收器结构的简化上视图。图15为根据一些实施例所示出的传感器封装件的制造方法的流程图。具体实施方式以下揭露内容提供许多不同的实施例或实例，用于实现所提供标的物的不同特征。以下所描述的构件及配置的具体实例是为了以简化的方式传达本揭露为目的。当然，这些仅仅为实例而非用以限制。举例来说，于以下描述中，在第一特征上方或在第一特征上形成第二特征可包括第二特征与第一特征形成为直接接触的实施例，且亦可包括第二特征与第一特征之间可形成有额外特征使得第二特征与第一特征可不直接接触的实施例。此外，本揭露在各种实例中可使用相同的器件符号及/或字母来指代相同或类似的部件。器件符号的重复使用是为了简单及清楚起见，且并不表示所欲讨论的各个实施例及/或配置本身之间的关系。另外，为了易于描述附图中所示出的一个构件或特征与另一构件或特征的关系，本文中可使用例如「在…下」、「在…下方」、「下部」、「在…上」、「在…上方」、「上部」及类似术语的空间相对术语。除了附图中所示出的定向之外，所述空间相对术语意欲涵盖器件在使用或操作时的不同定向。设备可被另外定向(旋转90度或在其他定向)，而本文所用的空间相对术语相应地做出解释。图1A至图1G为根据一些实施例所示出的传感器封装件的制造方法的横截面示意图。请参照图1A，提供载板C1，其中载板C1具有半导体晶粒100以及至少一穿孔TV。在一些实施例中，载板C1具有形成于其上的剥离层(未示出)以及介电层(未示出)，且剥离层位于载板C1与介电层之间。在一些实施例中，举例来说，载板C1为玻璃衬底，形成于玻璃衬底上的剥离层为光热转换(light-to-heatconversion；LTHC)释放层，且形成于剥离层上的介电层为聚苯并恶唑(polybenzoxazole；PBO)层。在一些实施例中，载板C1具有封装区域10，其中封装区域10包括晶粒区域12以及周边区域14，且周边区域14位于晶粒区域12侧边或围绕晶粒区域12。半导体晶粒100位于晶粒区域12中，且穿孔TV位于周边区域14中。在一些实施例中，半导体晶粒100为逻辑晶粒、传感器晶粒或成像晶粒(imagingchip)，且其正面处具有感测表面101。在一些实施例中，半导体晶粒100具有衬底102、位于衬底102上方的至少一接垫103、位于衬底102上方且裸露出部分接垫103的钝化层104，以及位于钝化层104上方且电性连接至接垫103的接点105。具体地说，接点105形成为半导体晶粒100的上部。接点105从半导体晶粒100的下部或剩余部分延伸出来。在一些实施例中，接点105包括锡凸块、金凸块、铜柱或类似物，且由电镀工艺所形成。在一些实施例中，穿孔TV包括铜、镍、锡、其组合或类似物，且由电镀工艺所形成。在一些实施例中，取放半导体晶粒100于载板C1上之后，于载板C1上形成穿孔TV。在替代性实施例中，取放半导体晶粒100于载板C1上之前，于载板C1上形成穿孔TV。请参照图1B，于载板C1上方形成封装体108，以囊封半导体晶粒100以及穿孔TV。在一些实施例中，封装体108环绕半导体晶粒100以及穿孔TV，且裸露出穿孔TV以及接点105的表面。封装体108包括模制化合物(例如环氧树脂)、光敏材料(例PBO)、聚酰亚胺(polyimide；PI)或苯环丁烯(benzocyclobutene；BCB)、其组合或类似物。封装体108的形成方法包括：于载板C1上形成封装体材料层(未示出)，且所述封装体材料层覆盖半导体晶粒100以及穿孔TV；以及进行研磨工艺以移除部分所述封装体材料层，直到裸露出穿孔TV以及接点105的表面。请参照图1C，于半导体晶粒100的感测表面101上方(在此例子中，同时于封装体108上方)形成重布线层结构112，其中重布线层结构112经图案化以定义天线发送器结构AT、天线接收器结构AR以及重布线层RDL。贯穿全文，重布线层结构112称为「前侧重布线层结构」。在一些实施例中，重布线层RDL形成于天线发送器结构AT与天线接收器结构AR之间。在一些实施例中，天线接收器结构AR包括位于半导体晶粒100的感测表面101上方的多个第一图案P1。在一些实施例中，重布线层RDL形成为电性连接至穿孔TV以及接点105，天线发送器结构AT形成为电性耦接至讯号发送端(未示出)，且天线接收器结构AR形成为电性耦接至半导体晶粒100。在一些实施例中，天线接收器结构AR的第一图案P1排列为阵列，且天线发送器结构AT环绕天线接收器结构AR的第一图案P1。在一些实施例中，天线发送器结构AT中的每一者具有环状，且天线接收器结构AR的第一图案P1具有岛状或鱼骨状，如图2以及图3的上视图所示。然而，本专利技术实施例并不以此为限。依天线收发器的电磁场的频率以及极性，可调整天线发送器结构AT以及天线接收器结构AR中的每一者的形状。换句话说，依工艺需要，天线发送器结构AT可具有环状、条状、螺旋状、波状、弯曲状或其组合，且天线接收器结构AR的第一图案P1中的每一者可具有环状、蛇状、条状、鱼骨状、栅栏状、网格状、环状或其组合。重布线层结构112的形成方法包括以下操作。在一些实施例中，聚合物层110形成为横跨晶粒区域12以及周边区域14，且裸露出穿孔TV以及接点105的表面。在一些实施例中，聚合物层110包括PBO、聚酰亚胺，BCB、其组合或类似物。接着，晶种材料层(未示出)形成为横跨晶粒区域12以及周边区域14、覆盖聚本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种传感器封装件，特征在于包括：半导体晶粒，具有感测表面；以及重布线层结构，经配置以形成天线发送器结构以及天线接收器结构，所述天线发送器结构位于所述半导体晶粒侧边，且所述天线接收器结构位于所述半导体晶粒的所述感测表面上方。

【技术特征摘要】
2016.05.26 US 62/341,633;2016.08.12 US 15/235,1061.一种传感器...

【专利技术属性】
技术研发人员：江永平，史朝文，张守仁，万厚德，谢佑生，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71