抗蚀基材、抗蚀剂组合物及抗蚀图案形成方法技术

含有具有特定结构的化合物和/或将该化合物作为单体而得到的树脂的抗蚀基材。

Corrosion resistant substrate, anticorrosive composition and anticorrosion pattern formation method

An anticorrosive substrate containing a compound with a specific structure and / or a resin obtained by using the compound as a monomer.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】抗蚀基材、抗蚀剂组合物及抗蚀图案形成方法
本专利技术涉及含有具有特定结构的化合物和/或树脂的抗蚀基材。另外，本专利技术涉及含有该基材的抗蚀剂组合物、及使用该组合物的抗蚀图案形成方法。
技术介绍
目前为止，作为通常的抗蚀材料，使用能够形成非晶薄膜的高分子系材料。例如，通过将聚甲基丙烯酸甲酯、具有酸解离性反应基团的聚羟基苯乙烯或聚甲基丙烯酸烷基酯等高分子抗蚀材料的溶液涂布在基板上而制作抗蚀薄膜，通过对该薄膜照射紫外线、远紫外线、电子射线、极紫外线(EUV)、X射线等，从而形成45～100nm左右的线图案。然而，高分子系抗蚀材料的分子量较大、为1万～10万左右，分子量分布也宽，因此，使用高分子系抗蚀材料的光刻中，微细图案表面产生粗糙，难以控制图案尺寸，因此成品率降低。因此，以往的使用高分子系抗蚀材料的光刻中，对于微细化存在极限。至今为止，为了制作更微细的图案，提出了各种低分子量抗蚀材料。例如，提出了将低分子量多核多酚化合物用作主要成分的碱显影型的负型辐射敏感性组合物(参照专利文献1及专利文献2)。另外，作为具有高耐热性的低分子量抗蚀材料，提出了将低分子量环状多酚化合物用作主要成分的碱显影型的负型辐射敏感性组合物(参照专利文献3及非专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-326838号公报专利文献2：日本特开2008-145539号公报专利文献3：日本特开2009-173623号公报非专利文献非专利文献1：T.Nakayama,M.Nomura，K.Haga,M.Ueda：Bull.Chem.Soc.Jpn.,71,2979(1998)专利
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，使用低分子量多核多酚化合物作为主要成分的碱显影型的负型辐射敏感性组合物存在耐热性并不充分、所得抗蚀图案的形状变差的缺点。另外，使用低分子量环状多酚化合物作为主要成分的碱显影型的负型辐射敏感性组合物存在如下问题：在半导体制造工艺所使用的安全溶剂中的溶解性低、灵敏度低、以及所得抗蚀图案形状差等。鉴于上述情况，本专利技术的目的在于提供一种耐热性优异、在安全溶剂中的溶解性高、保存稳定性优异、能够成形良好的薄膜且能够赋予良好的抗蚀图案形状的抗蚀基材、含有该基材的抗蚀剂组合物、以及使用该组合物的抗蚀图案形成方法。用于解决问题的方案本专利技术人等为了解决上述课题进行了深入研究，结果发现，含有具有特定结构的化合物和/或树脂的抗蚀基材能够解决上述课题，从而完成了本专利技术。即，本专利技术如下所述。[1]一种抗蚀基材，其含有下述式(1)所示的化合物和/或前述化合物作为单体而得到的树脂。(式(1)中，R1为碳数1～30的2n价基团，R2～R5各自独立地为碳数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基、碳数1～30的烷氧基、卤素原子、巯基或羟基，其中，选自R1～R5中的至少一个为包含碘原子的基团，R4的至少一个和/或R5的至少一个为选自羟基及巯基中的1种以上，m2及m3各自独立地为0～8的整数，m4及m5各自独立地为0～9的整数，其中，m4及m5不同时为0，n为1～4的整数，p2～p5各自独立地为0～2的整数。)[2]根据上述[1]所述的抗蚀基材，其中，R2的至少一个和/或R3的至少一个为选自羟基及巯基中的1种以上。[3]根据上述[1]或[2]所述的抗蚀基材，其中，前述式(1)所示的化合物为下述式(1a)所示的化合物。(式(1a)中，R1～R5及n与前述式(1)中说明的含义相同，m2’及m3’各自独立地为0～4的整数，m4’及m5’各自独立地为0～5的整数，其中，m4’及m5’不同时为0。)[4]根据上述[3]所述的抗蚀基材，其中，前述式(1a)所示的化合物为下述式(1b)所示的化合物。(式(1b)中，R1与前述式(1)中说明的含义相同，R6及R7各自独立地为碳数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基、碳数1～30的烷氧基、卤素原子或巯基，其中，选自R1、R6及R7中的至少一个为包含碘原子的基团，m6及m7各自独立地为0～7的整数。)[5]根据上述[4]所述的抗蚀基材，其中，前述式(1b)所示的化合物为下述式(1c)所示的化合物。(式(1c)中，R8各自独立地为氢原子、氰基、硝基、杂环基、卤素原子、碳数1～20的直链状脂肪族烃基、碳数3～20的支链状脂肪族烃基、碳数3～20的环状脂肪族烃基、碳数6～20的芳基、碳数2～10的烯基、碳数1～30的烷氧基、巯基或羟基，其中，R8的至少一个为包含碘原子的基团。)[6]根据上述[5]所述的抗蚀基材，其中，前述式(1c)所示的化合物为下述式(1d)所示的化合物。(式(1d)中，R9各自独立地为氰基、硝基、杂环基、卤素原子、碳数1～20的直链状脂肪族烃基、碳数3～20的支链状脂肪族烃基、碳数3～20的环状脂肪族烃基、碳数6～20的芳基、碳数2～10的烯基、碳数1～30的烷氧基、巯基或羟基，m9为0～4的整数。)[7]根据上述[1]～[6]中任一项所示的抗蚀基材，其中，前述树脂为通过使前述式(1)所示的化合物与具有交联反应性的化合物反应而得到的树脂。[8]根据上述[7]所示的抗蚀基材，其中，前述具有交联反应性的化合物为醛、酮、羧酸、羧酰卤、含卤素的化合物、氨基化合物、亚氨基化合物、异氰酸酯或含不饱和烃基的化合物。[9]根据上述[1]所述的抗蚀基材，其中，前述树脂具有下述式(2)所示的结构。(式(2)中，R1为碳数1～30的2n价基团，R2～R5各自独立地为碳数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基、碳数1～30的烷氧基、卤素原子、巯基或羟基，其中，选自R1～R5中的至少一个为包含碘原子的基团，R4的至少一个和/或R5的至少一个为选自羟基及巯基中的1种以上，L为碳数1～20的直链状或支链状的亚烷基或单键，m2及m3各自独立地为0～8的整数，m4及m5各自独立地为0～9的整数，其中，m4及m5不同时为0，n为1～4的整数，p2～p5各自独立地为0～2的整数。)[10]一种抗蚀剂组合物，其含有上述[1]～[9]中任一项所述的抗蚀基材和溶剂。[11]根据上述[10]所示的抗蚀剂组合物，其还含有产酸剂。[12]根据上述[10]或[11]所示的抗蚀剂组合物，其还含有酸交联剂。[13]一种抗蚀图案的形成方法，其包括如下工序：将上述[10]～[12]中任一项所述的抗蚀剂组合物涂布在基板上而形成抗蚀膜的工序；对形成的抗蚀膜进行曝光的工序；以及对已曝光的抗蚀膜进行显影的工序。专利技术的效果根据本专利技术，可以提供耐热性优异、溶剂溶解性高、保存稳定性优异、能够形成良好的薄膜、并且能够赋予良好的抗蚀图案形状的抗蚀基材。具体实施方式以下，针对本专利技术的实施方式进行说明。需要说明的是，以下的实施方式是用于说明本专利技术的例示，本专利技术不限定于该实施方式。[抗蚀基材]本实施方式的抗蚀基材含有下述式(1)所示的化合物和/或将该化合物作为单体而得到的树脂。本实施方式的抗蚀基材通过具有下述结构，从而具有耐热性优异、且溶剂溶解性变高这样的优点。上述式(1)中，R1为碳数1～30的2n价基团，各个芳香环介由该R1而键合。该2n价基团在n＝1时表示碳数1～30的亚烷基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗蚀基材，其含有下述式(1)所示的化合物和/或以所述化合物作为单体而得到的树脂，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.30 JP 2015-0699911.一种抗蚀基材，其含有下述式(1)所示的化合物和/或以所述化合物作为单体而得到的树脂，式(1)中，R1为碳数1～30的2n价基团，R2～R5各自独立地为碳数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基、碳数1～30的烷氧基、卤素原子、巯基或羟基，其中，选自R1～R5中的至少一个为包含碘原子的基团，R4的至少一个和/或R5的至少一个为选自羟基及巯基中的1种以上，m2及m3各自独立地为0～8的整数，m4及m5各自独立地为0～9的整数，其中，m4及m5不同时为0，n为1～4的整数，p2～p5各自独立地为0～2的整数。2.根据权利要求1所述的抗蚀基材，其中，R2的至少一个和/或R3的至少一个为选自羟基及巯基中的1种以上。3.根据权利要求1或2所述的抗蚀基材，其中，所述式(1)所示的化合物为下述式(1a)所示的化合物，式(1a)中，R1～R5及n与所述式(1)中说明的含义相同，m2’及m3’各自独立地为0～4的整数，m4’及m5’各自独立地为0～5的整数，其中，m4’及m5’不同时为0。4.根据权利要求3所述的抗蚀基材，其中，所述式(1a)所示的化合物为下述式(1b)所示的化合物，式(1b)中，R1与所述式(1)中说明的含义相同，R6及R7各自独立地为碳数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基、碳数1～30的烷氧基、卤素原子或巯基，其中，选自R1、R6及R7中的至少一个为包含碘原子的基团，m6及m7各自独立地为0～7的整数。5.根据权利要求4所述的抗蚀基材，其中，所述式(1b)所示的化合物为下述式(1c)所示的化合物，式(1c)中，R8各自独立地为氢原子、氰基、硝基、杂环基、卤素原子、碳数1～20的直链状脂肪族烃基、碳数3～20的支链状脂肪族烃基、碳数3～20的环状脂肪族烃基、碳数6～20的芳基、碳数2～10...

【专利技术属性】
技术研发人员：樋田匠，越后雅敏，佐藤隆，清水洋子，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP