阻气膜、电子器件用部件及电子器件制造技术

本发明专利技术为阻气膜、包含该阻气膜的电子器件用部件和具备该电子器件用部件的电子器件，所述阻气膜具有衬底膜和将在该衬底膜上形成的含有聚硅氮烷系化合物的层改性而成的阻气层，其特征在于，水蒸气透过率为0.100g/(m

Anti gas film, components and electronic devices for electronic devices

The invention relates to electronic devices comprising the gas barrier film, gas barrier film for parts and components for electronic devices with the electronic device, the gas barrier film having gas barrier film formed on the substrate and the substrate membrane containing polysilazane compound modified layer and its characteristics in the water vapor transmission rate of 0.100g/ (M

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阻气膜、电子器件用部件及电子器件
本专利技术涉及：具有阻气性优异、并且脱气(outgas)的产生量少的阻气层的阻气膜，包含该阻气膜的电子器件用部件，和具备该电子器件用部件的电子器件。
技术介绍
近年来，在液晶显示器或电致发光(EL)显示器等显示器中，为了实现薄型化、轻量化、柔性化等，作为具有电极的基板，使用在透明塑料膜上层合阻气层而成的所谓阻气膜代替玻璃板。作为阻气层的形成方法，已知通过在含有聚硅氮烷系化合物的层中注入离子或将该层的表面暴露在等离子体中，从而将含有聚硅氮烷系化合物的层改性的方法。例如，在专利文献1中，记载了一种成型体，其特征在于，具有在含有聚硅氮烷系化合物的层中注入离子而成的层。另外，在该文献中，还记载了该注入离子而成的层可作为阻气层起作用。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-117150号公报(US2012064321A1)。
技术实现思路
专利技术所要解决的课题如专利文献1所述，通过将在衬底上形成的含有聚硅氮烷系化合物的层改性，可得到阻气性优异的阻气膜。但是，在通过如上所述的方法得到的阻气膜中，若微量的水蒸气侵入阻气层中，则可能会从阻气层产生微量的氢气等本文档来自技高网...

【技术保护点】
阻气膜，其具有衬底膜和阻气层，所述阻气层是将在所述衬底膜上形成的含有聚硅氮烷系化合物的层改性而成，所述阻气膜的特征在于，水蒸气透过率为0.100g/(m

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.04.22 JP 2015-0873711.阻气膜，其具有衬底膜和阻气层，所述阻气层是将在所述衬底膜上形成的含有聚硅氮烷系化合物的层改性而成，所述阻气膜的特征在于，水蒸气透过率为0.100g/(m2·天)以下，并且在60℃、相对湿度为90%的氩气气氛下，从所述阻气层放出的氢气的量为每1cm2...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木悠太，岩屋涉，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP