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本发明为阻气膜、包含该阻气膜的电子器件用部件和具备该电子器件用部件的电子器件，所述阻气膜具有衬底膜和将在该衬底膜上形成的含有聚硅氮烷系化合物的层改性而成的阻气层，其特征在于，水蒸气透过率为0.100g/(m...
该专利属于琳得科株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过琳得科株式会社授权不得商用。

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