半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置。半导体装置具备：基板；电路，具有形成于基板的晶体管；振荡电路，产生频率信号；基板电压产生电路，根据来自振荡电路的频率信号，产生基板电压；以及控制电路，在电路的待机期间，对振荡电路的频率信号的频率进行变更。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本公开涉及一种产生基板电压的半导体装置。
技术介绍
通过半导体元件的持续不懈的微型化，集成度以及动作速度等性能持续提高，并且每单个元件的耗电持续降低。然而，到了元件的加工尺寸低于50nm这一代，难以兼顾性能提高和耗电降低。作为产生这样的问题的原因，例如，存在由载流子的速度饱和导致的动作电流的极限、来自栅极氧化膜的漏电流的增大等，作为用于解决这些的代表性手段，正在开发高介电常数栅极绝缘膜、应变硅等高迁移率沟道。前者抑制通过极度薄膜化了的栅极绝缘膜而流过的隧道漏电流，从而主要使电子电路的待机状态下的耗电降低。另外，后者使同一元件尺寸下的输出电流增大，从而提高动作速度，或者在动作速度恒定的状态下使耗电降低。另一方面，作为伴随着微型化的推进的新课题，元件的偏差的增大变得更严重。如果元件的偏差变大，则由于需要确保使全部电路正常动作所需的电压余量，难以实现与微型化一起推进的电源电压的降低。这使得每单个元件的耗电的降低变成困难，使随着微型化而集成度上升了的半导体芯片的耗电增大。进一步地，如果元件的偏差大，则耗电性能差的元件还会使芯片整体的耗电大幅增大。因此，通过微型化，不改变同一面积的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：基板；电路，具有形成于所述基板的晶体管；振荡电路，产生频率信号；基板电压产生电路，根据来自所述振荡电路的所述频率信号，产生基板电压；以及控制电路，在所述电路的待机期间，对所述振荡电路的频率信号的频率进行变更。

【技术特征摘要】
2016.06.15 JP 2016-1191801.一种半导体装置，其特征在于，具备：基板；电路，具有形成于所述基板的晶体管；振荡电路，产生频率信号；基板电压产生电路，根据来自所述振荡电路的所述频率信号，产生基板电压；以及控制电路，在所述电路的待机期间，对所述振荡电路的频率信号的频率进行变更。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述电路的待机期间包括从所述电路的活动状态转移到待机状态的待机转移期间以及维持所述待机状态的待机稳定期间，所述控制电路在所述待机转移期间与所述待机稳定期间对所述振荡电路的频率信号的频率进行变更。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述控制电路使所述待机转移期间的所述振荡电路的频率信号的频率比所述待机稳定期间的所述振荡电路的频率信号的频率高。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述振荡电路产生与输...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本芳树，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP