半导体结构及其形成方法和水印识别方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构及其形成方法和水印识别方法，其中，提供衬底，所述衬底包括标记区；提供水印密度信息；采用所述水印密度信息在所述标记区衬底上形成若干标识结构。采用所述水印密度信息在所述标记区衬底上形成若干标识结构，能够使所述水印密度信息具有隐蔽性好的特点，不容易被识别和擦除。

Semiconductor structure and its formation method and watermark recognition method

The invention provides a semiconductor structure and its forming method and watermark recognition method, wherein the substrate is provided, the substrate includes the marking area, the watermark density information is provided, and the identification structure is formed on the substrate of the marking area by using the watermark density information. By using the watermark density information, a number of identification structures are formed on the label area substrate, enabling the watermark density information to have the characteristics of good concealment, and it is not easy to be identified and erased.

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法和水印识别方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法和水印识别方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，芯片和印制电路板的应用越来越广泛。芯片或印制电路板中电路结构的种类和形式日益繁多。电路结构的相似度也越来越大，仅仅从芯片和印制电路板的外观很难区分。这就给保护专利技术者的权力，防止未授权人窃取专利技术者的劳动成果带来了挑战。为了保护专利技术者的权力，防止未授权人窃取专利技术者的劳动成果，在通过半导体技术形成电路结构的过程中，专利技术者一般会在所述芯片或印制电路板中形成能够标识专利技术人信息的标记。然而，所述标记很容易被识别和擦除，从而难以很好地保护专利技术人的权力。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法和水印识别方法，能够降低水印被识别和擦除的几率。为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体结构及其形成方法和水印识别方法，包括：提供衬底，所述衬底包括标记区；提供水印密度信息；采用所述水印密度信息在所述标记区衬底上形成若干标识结构。可选的，所述标识结构包括伪栅极结构、金属线、接触孔和插塞的一种或多种组合。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括标记区；提供水印密度信息；采用所述水印密度信息在所述标记区衬底上形成若干标识结构。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括标记区；提供水印密度信息；采用所述水印密度信息在所述标记区衬底上形成若干标识结构。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述标识结构包括伪栅极结构、金属线、接触孔和插塞的一种或多种组合。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述水印密度信息包括若干密度，且所述若干密度以预设顺序设置；若干密度相同或不相同。4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述标识结构在所述衬底上的投影图形为长方形，相邻标识结构的长边平行，且相邻标识结构之间的距离相等；标识结构的宽度与相邻标识结构之间的距离的比值为所述密度。5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，若干密度相同，所述标识结构宽度相等；或者，若干密度不相同，所述标识结构投影图形宽度不等；在沿标识结构宽度方向上形成若干标识结构，使若干标识结构的宽度与相邻标识结构之间距离的比值按所述预设顺序排列。6.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述标识结构在所述衬底上的投影图形为长方形，相邻标识结构的长边平行，且相邻标识结构之间的距离不相同；标识结构的宽度与指定侧距离的比值为所述密度，所述指定侧距离指的是标志结构到指定侧相邻标识结构之间的距离，若干标志结构的指定侧为指向同一方向一侧。7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述标识结构宽度相同或者不相同；在沿标识结构宽度方向上形成若干标识结构，使若干标识结构的宽度与所述指定侧距离的比值按所述预设顺序排列。8.如权利要求4或6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述密度在20％～80％的范围内。9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述标识结构在衬底上的投影图形为长方形，若干所述标识结构呈二维矩阵式排列；所述水印密度信息包括两个相互垂直方向上的密度。10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述标识结构为伪栅极结构；所述伪栅极结构包括：位于标记区衬底上的伪栅极。11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底还包括器件区；所述形成方法还包括：在所述器件区形成半导体器件。12.如权利要求11所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡孟峰，姜霖，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31