测试结构、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种测试结构，包括多个测试电容，每个测试电容包括至少部分交叠、且绝缘间隔的两层测试电极，多个测试电容围成环形结构，任意相邻两个测试电容中，其中一个测试电容的一个测试电极与另一个测试电容的一个测试电极电连接，且该两个测试电容中，相连的两个测试电极的连接处设置有插孔，用于插入测试针。相应地，本发明专利技术还提供一种阵列基板和显示装置。本发明专利技术能够提高对显示区的电容检测的检测效率。

Test structure, array substrate and display device

The present invention provides a test structure, which includes a plurality of test capacitors, each test capacitor consists of two layers of electrodes at least partially overlap, and insulating spacers, a plurality of test capacitors formed into a circular structure, arbitrary two adjacent test capacitors, one of the tests, a test electrode capacitance and another test the capacitance of a test electrode is electrically connected, and the two test capacitor, connecting two electrodes connected to the test set for Jack, needle insertion test. Correspondingly, an array substrate and a display device are also provided. The invention can improve the detection efficiency of the capacitance detection of the display area.

【技术实现步骤摘要】
测试结构、阵列基板和显示装置
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种测试结构、阵列基板和显示装置。
技术介绍
在显示装置的制作过程中，由于设计和工艺的一些欠缺以及环境等因素会导致膜层间存在杂质，导致薄膜晶体管特性存在异常，因此需要对薄膜晶体管的特性进行监控，主要包括：检测两层金属层形成的电容大小，例如，栅金属层与源漏金属层形成的电容大小、源漏金属层与像素电极层形成的电容大小等等。目前，通过设置测试结构来检测各个电容大小，每个测试结构对应一个电容。图1为现有技术中所使用的三个测试结构示意图；其中，测试结构11用于检测栅金属层与源漏金属层形成的电容(其电介质为栅极绝缘层)大小，测试结构12用于检测源漏金属层与像素电极层形成的电容大小，测试结构13用于检测栅金属层与像素电极层形成的电容大小。以测试结构11为例，其包括堆叠部111和两个测试部112，堆叠部111包括与显示区的栅金属层同层设置的栅测试层111a、与显示区的栅极绝缘层同层设置的绝缘测试层、与显示区的源漏金属层同层设置的源漏测试层111b；两个测试部112分别与栅测试层111a和源漏测试层111b相连。测试时，测试设备的四个测试针中，两个测试针插在其中一个测试部112上，另外两个测试针插在另一个测试部112上。这种测试方式存在以下问题：由于测试设备的测试针的相对位置是固定的，而不同测试结构之间的距离较大，因此，只能逐一在测试结构上进行插针测试，每测试一个电容，需将测试针重新挪动定位，极大地降低了测试效率。另外，由于显示产品的边框越来越窄，因此，现有技术中将试结构设置在母板的边缘区，而母板切割为多个单独的阵列基板之后，则无法对薄膜晶体管的特性继续监控。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种测试结构、阵列基板和显示装置，以提高测试效率。为了解决上述技术问题之一，本专利技术提供一种测试结构，包括多个测试电容，每个测试电容包括至少部分交叠、且绝缘间隔的两层测试电极，多个测试电容围成环形结构，任意相邻两个测试电容中，其中一个测试电容的一个测试电极与另一个测试电容的一个测试电极电连接，且该两个测试电容中，相连的两个测试电极的连接处设置有插孔，用于插入测试针。优选地，对于任意两个测试电容，该两个测试电容之间设置有测试件，所述测试件与该两个相邻的测试电容中的两个相连的测试电极相连，且该两个测试电极连接处的插孔设置在所述测试件上。优选地，所述测试电容的数量为四个，每两个所述连接处之间的距离相等。优选地，任意两个相邻的测试电容中，相连的两个测试电极材料相同。优选地，多个测试电容包括依次相连的第一测试电容、第二测试电容、第三测试电容和第四测试电容，所述第一测试电容的两个测试电极分别为第一下电极和位于该第一下电极上方的第一上电极；所述第二测试电容的两个测试电极分别为第二下电极和位于该第二下电极上方的第二上电极；所述第三测试电容的两个测试电极分别为第三下电极和位于该第三下电极上方的第三上电极；所述第四测试电容的两个测试电极分别为第四下电极和位于该第四下电极上方的第四上电极；所述第一下电极与所述第二下电极相连；所述第二上电极与所述第三下电极相连；所述第三上电极与所述第四上电极相连；第四下电极与第一上电极相连。优选地，所述第一上电极、第一下电极、第二上电极、第二下电极、第三下电极、第四下电极均采用金属制成。优选地，所述第三上电极和第四上电极均采用透明导电材料制成，所述第三上电极与第四上电极连接处的测试件与所述第三上电极或第四上电极形成为一体。相应地，本专利技术还提供一种阵列基板，包括衬底，该衬底包括显示区和环绕该显示区的非显示区，所述显示区形成有多类待测电容，每类待测电容包括多个待测电容，每个待测电容包括两个待测电极以及该两个待测电极之间的介电层，同一类中的多个待检测电容的介电层的厚度、材料均相同；所述非显示区设置有本专利技术提供的上述测试结构，所述测试结构中的每个测试电容均对应一类所述待测电容，所述测试电容的两个测试电极分别与相应类别的待测电容的两个待测电极相对应，相对应的测试电极和待测电极的厚度、材料均相同；所述测试电容的两个测试电极之间的膜层与相应类别的待检测电容的介电层的厚度、材料均相同。优选地，所述显示区中设置有栅金属层、栅极绝缘层、有源层、源漏金属层、像素电极层、公共电极层、钝化材料层、有机材料层，以形成四类待测电容；第一类待测电容以栅金属层和源漏金属层分别作为两个待测电极、以栅极绝缘层作为介电层；第二类待测电容以栅金属层和源漏金属层分别作为两个待测电极、以栅极绝缘层和半导体层共同作为介电层；第三类待测电容以源漏金属层和公共电极层分别作为两个待测电极、以有机层作为介电层；第四类待测电容以源漏金属层和像素电极层分别作为两个待测电极、以钝化材料层作为介电层；多个测试电容包括依次相连的第一测试电容、第二测试电容、第三测试电容和第四测试电容；所述第一测试电容对应第一类待测电容；所述第二测试电容对应第二类待测电容；所述第三测试电容对应第三类待测电容；所述第四测试电容对应第四类待测电容。相应地，本专利技术还提供一种显示装置，包括本专利技术提供的上述阵列基板。在本专利技术中，由于多个测试电容围成环形结构，且任意相邻两个测试电容中，其中一个测试电容的一个测试电极与另一个测试电容的一个测试电极电连接，因此，可以根据测试结构中测试针之间的间距设置测试电容的长度，以使得相邻两个连接处之间的距离与测试设备中相邻两个测试针之间的距离相同。在进行测试时，可以同时将测试结构的多个测试针一一对应地插入多个所述连接处的插孔，根据每两个测试针检测到的信号之差，可以计算出该两个测试针之间的测试电容的大小。因此，采用这种环状的测试结构时，测试设备的测试针可以同时对多个测试电容的电容大小进行检测，不需要多次将测试针进行插拔和定位，从而大大提高了测试效率。另外，由于这种环状的测试结构所占的面积较小，因此，可以直接将其设置在单个阵列基板的非显示区，在阵列基板与对盒基板对盒完成后，测试结构仍然保留，可以继续对显示区的电容进行监控，从而防止后续因电容发生变化而造成阵列基板和显示装置出现不良。并且，所述测试结构的各膜层可以与阵列基板显示区的膜层同时制作，因此，只需要对制作工艺中的掩膜板图形进行改变，而不需要引入新的掩膜板，节省成本。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1是现有技术中所使用的三个测试结构示意图图2是本专利技术实施例中提供的测试结构示意图；图3是沿图2中A-A’线的剖视示意图；图4是沿图2中B-B’线的剖视示意图；图5是沿图2中C-C’线的剖视示意图；图6是沿图2中D-D’线的剖视图。其中，附图标记为：11、12、13：现有技术中的测试结构；111：堆叠部；112：测试部；111a：栅测试部；111b：源漏测试层；20：本专利技术中的测试结构；C1：第一测试电容；211：第一下电极；212：第一上电极；213：第一绝缘层；C2：第二测试电容；221：第二下电极；222：第二上电极；223：第二绝缘层；224：第二半导体层；C3：第三测试电容；231：第三下电极；232：第三上电极；23本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测试结构，其特征在于，包括多个测试电容，每个测试电容包括至少部分交叠、且绝缘间隔的两层测试电极，多个测试电容围成环形结构，任意相邻两个测试电容中，其中一个测试电容的一个测试电极与另一个测试电容的一个测试电极电连接，且该两个测试电容中，相连的两个测试电极的连接处设置有插孔，用于插入测试针。

【技术特征摘要】
1.一种测试结构，其特征在于，包括多个测试电容，每个测试电容包括至少部分交叠、且绝缘间隔的两层测试电极，多个测试电容围成环形结构，任意相邻两个测试电容中，其中一个测试电容的一个测试电极与另一个测试电容的一个测试电极电连接，且该两个测试电容中，相连的两个测试电极的连接处设置有插孔，用于插入测试针。2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，对于任意两个测试电容，该两个测试电容之间设置有测试件，所述测试件与该两个相邻的测试电容中的两个相连的测试电极相连，且该两个测试电极连接处的插孔设置在所述测试件上。3.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试电容的数量为四个，每两个所述连接处之间的距离相等。4.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，任意两个相邻的测试电容中，相连的两个测试电极材料相同。5.根据权利要求2至4中任意一项所述的测试结构，其特征在于，多个测试电容包括依次相连的第一测试电容、第二测试电容、第三测试电容和第四测试电容，所述第一测试电容的两个测试电极分别为第一下电极和位于该第一下电极上方的第一上电极；所述第二测试电容的两个测试电极分别为第二下电极和位于该第二下电极上方的第二上电极；所述第三测试电容的两个测试电极分别为第三下电极和位于该第三下电极上方的第三上电极；所述第四测试电容的两个测试电极分别为第四下电极和位于该第四下电极上方的第四上电极；所述第一下电极与所述第二下电极相连；所述第二上电极与所述第三下电极相连；所述第三上电极与所述第四上电极相连；第四下电极与第一上电极相连。6.根据权利要求5所述的测试结构，其特征在于，所述第一上电极、第一下电极、第二上电极、第二下电极、第三下电极、第四下电极均采用金属制成。7.根据权利要求5所述的测试结构，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晶，胡凌霄，王书锋，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11