温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供一种半导体结构及其形成方法和水印识别方法，其中，提供衬底，所述衬底包括标记区；提供水印密度信息；采用所述水印密度信息在所述标记区衬底上形成若干标识结构。采用所述水印密度信息在所述标记区衬底上形成若干标识结构，能够使所述水印密度信息...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。