The invention provides a detection method, an AC 110V brightness of LED chip comprises the following steps: A, with positive and negative current low brightness test chip, and the difference is reverse test brightness; B, the difference section chip with low current light meter continuous light and light each single cell observation sure, there is a difference of single cell death light, and repeated verification, determine the highest proportion of death light difference; death lamp does not work with single cell; C, statistical data, determine the chip brightness difference existed in the electric leakage risk of X, the difference as a follow-up to determine the threshold standard, the chip quality is satisfactory accurate and convenient, effective screening out the existence of small leakage current chip.
【技术实现步骤摘要】
一种检测交流110V-LED芯片的方法
本专利技术涉及芯片亮度检测的
，特别地，涉及一种检测交流110V-LED芯片的方法。
技术介绍
面对愈来愈烈的LED芯片行业竞争与市场竞争，提升芯片产品的竞争力则是所有芯片厂的当务之急。而现有正装芯片产品的竞争日趋激烈，利润空间已经很小。而一些特色产品的利润空间仍然很大，如高压芯片、倒装芯片、交流芯片等。交流110V-LED芯片的开发目旨在避开普通照明芯片的激烈竞争，价格大战，独辟蹊径开发特殊客户群体，提升产品效益和竞争力。然而因为差异化产品属于全新的领域，交流芯片与正常的正装芯片存在很大差异，测试方法也无法通用，由于测试方法的欠缺，在开发的过程中不可避免的会出现一些不可控的情况，特别是个别单胞的小电流漏电情况对ACLED的可靠性影响非常大，但是现有的芯片检测方法又不能将小电流漏电的情况检测出来，业内也没有固定的测试标准。在芯片端无法有效的筛选出存在小电流漏电的芯片，客户在使用过程中通过串并联的方式使用后又会将异常的比例放大，造成产品质量问题。业内急需一种有效筛选小漏电芯片的新型技术。
技术实现思路
本专利技术目的在于提供...
【技术保护点】
一种交流110V‑LED芯片亮度的检测方法，其特征在于，包括步骤：A、用低电流正反测试芯片的亮度，并取正反向测试亮度的差值；B、将不同差值段的芯片用光型仪低电流持续点亮，并观察每个单胞的发光情况，确定存在单胞死灯的差值段，并进行重复验证，确定死灯比例最高的差值段；死灯即不亮灯的单胞；C、统计数据，确定存在漏电风险的芯片亮度差值为X。
【技术特征摘要】
1.一种交流110V-LED芯片亮度的检测方法，其特征在于，包括步骤：A、用低电流正反测试芯片的亮度，并取正反向测试亮度的差值；B、将不同差值段的芯片用光型仪低电流持续点亮，并观察每个单胞的发光情况，确定存在单胞死灯的差值段，并进行重复验证，确定死灯比例最高的差值段；死灯即不亮灯的单胞；C、统计数据，确定存在漏电风险的芯片亮度差值为X。2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，在步骤A之前...
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