发光二极管封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管封装结构，包括基板、设置于基板上且为形状互补的电极层与绝缘层、至少一发光单元及与绝缘层为一体成型的反射壳体。发光单元包括发光二极管芯片及封装于发光二极管芯片外表面的荧光胶体，发光二极管芯片安装于电极层与绝缘层上，荧光胶体与电极层呈间隔设置，并且荧光胶体与电极层间形成有3微米至10微米的缝隙。反射壳体设置于电极层与绝缘层上并充填缝隙，反射壳体包覆于发光单元的侧缘，反射壳体与发光单元各具有远离基板的顶平面，反射壳体的顶平面不高于发光单元的顶平面并且相距0至30微米。借此，避免发光二极管封装结构产生光形和亮度不良的问题。

Light emitting diode packaging structure

The invention discloses a light-emitting diode packaging structure, which comprises a substrate, an electrode layer arranged on the substrate, a complementary electrode layer, an insulating layer, at least one light-emitting unit, and a reflective shell integrated with the insulating layer. The light emitting unit comprises a fluorescent colloid light-emitting diode chip and light-emitting diode chip encapsulated in the outer surface of the light-emitting diode chip is mounted on the electrode layer and the insulating layer, a fluorescent colloid and the electrode layer are separately arranged, and the fluorescent colloid and the electrode layer is formed between the gap of 3 microns to 10 microns. The shell is arranged on the reflecting electrode layer and the insulating layer and filling the gap, the reflection shell coated on the side edge of the light emitting unit, reflection casing and the luminous elements each having a top plane away from the substrate, the top plane reflective casing is not higher than the top plane light emitting unit and a distance of 0 to 30 microns. To avoid the problem of poor light and brightness in the structure of the light emitting diode (LED).

【技术实现步骤摘要】
发光二极管封装结构
本专利技术是涉及一种发光二极管，且还涉及一种发光二极管封装结构。
技术介绍
现有的发光二极管封装结构包括有一基板、设置于上述基板的一电极层、安装于电极层的一发光二极管芯片及包覆上述发光二极管芯片的一荧光胶体。然而，所述荧光胶体也覆盖在电极层上，使得所述发光二极管芯片与电极层间，容易受到荧光胶体的影响而产生共晶不良的问题。于是，本专利技术人认为上述缺陷可改善，潜心研究并配合科学原理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术实施例在于提供一种发光二极管封装结构，用来改善现有发光二极管封装结构可能产生的缺陷。本专利技术实施例公开一种发光二极管封装结构，其中，所述发光二极管封装结构包括一基板、一电极层、一绝缘层、至少一发光单元、一反射壳体以及一焊垫层，所述基板具有位于相反两侧的一第一板面和一第二板面；所述电极层设置于所述基板的所述第一板面上；所述绝缘层设置于所述基板的所述第一板面上，所述绝缘层和所述电极层为形状互补，并且所述绝缘层和所述电极层共平面；至少一所述发光单元包括一发光二极管芯片及封装所述发光二极管芯片的一荧光胶体，所述发光二极管芯片安装于所述电极层与所述绝缘层上；其中，所述荧光胶体与所述电极层呈间隔设置，并且所述荧光胶体与所述电极层间形成有3微米至10微米的一缝隙；所述反射壳体设置于所述电极层与所述绝缘层上并充填所述缝隙，所述反射壳体包覆于所述至少一发光单元的侧缘；其中，所述反射壳体与所述至少一发光单元各具有远离所述基板的一顶平面，所述反射壳体的所述顶平面相对于所述基板的距离不大于所述至少一发光单元的所述顶平面相对于所述基板的距离，并且所述两个顶平面的间距为0至30微米；以及所述焊垫层电性连接所述电极层且位于所述基板的所述第二板面。优选地，所述发光二极管封装结构进一步包括有一齐纳二极管芯片；其中，所述电极层包含有：一第一电极垫，包含有一第一固晶区块、一第一延伸区块及相连于所述第一固晶区块与所述第一延伸区块的一第一连接区块，并且所述第一固晶区块、所述第一连接区块及所述第一延伸区块共同包围形成有一第一缺口；以及一第二电极垫，包含有一第二固晶区块、一第二延伸区块及相连于所述第二固晶区块与所述第二延伸区块的一第二连接区块，所述第二固晶区块、所述第二延伸区块及所述第二连接区块分别相邻设置于所述第一固晶区块、所述第一延伸区块及所述第一连接区块，并且所述第二固晶区块、所述第二连接区块及所述第二延伸区块共同包围形成有一第二缺口，所述第一缺口与所述第二缺口分别朝向相互远离的方向，所述第一电极垫和所述第二电极垫呈镜像设置；其中，所述发光二极管芯片安装于所述第一固晶区块与所述第二固晶区块，而所述齐纳二极管芯片安装于所述第一延伸区块与所述第二延伸区块。优选地，所述第一固晶区块与所述第二固晶区块的间距大于所述第一延伸区块与所述第二延伸区块的间距。优选地，所述荧光胶体包覆于所述发光二极管芯片的顶面与侧面并裸露所述发光二极管芯片的电极，所述发光二极管芯片的顶面平行于所述荧光胶体的顶面，并且所述发光二极管芯片的顶面与所述荧光胶体的顶面间的最小间距为50微米至200微米。优选地，所述发光二极管封装结构进一步包括有设置于所述电极层上的一齐纳二极管芯片，并且所述齐纳二极管芯片埋置于所述反射壳体内。优选地，所述基板包含一陶瓷层和至少一突波吸收层，所述至少一突波吸收层位于所述陶瓷层的一侧，所述陶瓷层内埋置两个第一导电柱，所述电极层电性连接于所述两个第一导电柱，所述至少一突波吸收层内埋置有两个第二导电柱及至少两个金属层，所述两个第二导电柱连接所述至少两个金属层，以形成电容效应，所述两个第一导电柱分别电性连接所述两个第二导电柱，所述两个第二导电柱电性连接所述焊垫层。优选地，所述发光二极管封装结构进一步包括有两个齐纳二极管芯片，并且所述至少一发光单元的数量限定为两个；其中，所述电极层包含有：两个第一电极垫，各呈L形构造并包含有一第一固晶区块以及垂直地相连于所述第一固晶区块的一第一延伸区块；以及两个第二电极垫，分别对应地设置于所述两个第一电极垫的内侧，每个所述第二电极垫各呈L形构造并包含有一第二固晶区块以及垂直地相连于所述第二固晶区块的一第二延伸区块；其中，所述两个第一电极垫的L形构造的角落分别对应地设置于所述基板的斜对向两个角落，并且两个所述第二电极垫的L形构造的角落分别对应地设置于所述两个第一电极垫的L形构造的角落内侧；任一所述第一固晶区块与相邻的所述第二固晶区块上安装有一个所述发光二极管芯片，而任一所述第一延伸区块及相邻的所述第二延伸区块电性连接于一个所述齐纳二极管芯片。优选地，所述反射壳体与所述绝缘层为一体成型的构造。本专利技术实施例也公开一种发光二极管封装结构，其中，所述发光二极管封装结构包括：一基板，具有位于相反两侧的一第一板面和一第二板面；一电极层，设置于所述基板的所述第一板面上；一发光单元，包括一发光二极管芯片及封装所述发光二极管芯片的一荧光胶体，所述发光二极管芯片安装于所述电极层上；其中，所述荧光胶体与所述电极层呈间隔设置，并且所述荧光胶体与所述电极层间形成有3微米至10微米的一缝隙；一辅助发光单元，安装于所述电极层上；一透光胶层，设置于所述基板上并充填所述缝隙，所述电极层及所述辅助发光单元埋置于所述透光胶层内，并且所述透光胶层包覆于所述发光单元的侧缘；其中，所述透光胶层与所述发光单元各具有远离所述基板的一顶平面，所述透光胶层的所述顶平面相对于所述基板的距离不大于所述发光单元的所述顶平面相对于所述基板的距离，并且所述两个顶平面的间距为0至30微米；以及一焊垫层，位于所述基板的所述第二板面，所述焊垫层电性连接于所述电极层，并且所述焊垫层具有至少两组电极焊垫，所述至少两组电极焊垫通过所述电极层而分别电性连接于所述发光单元与所述辅助发光单元。优选地，所述辅助发光单元包括一紫外线发光二极管芯片；或者，所述辅助发光单元包括一红色发光二极管芯片、一绿色发光二极管芯片及一蓝色发光二极管芯片。综上所述，本专利技术实施例所公开的发光二极管封装结构具有以下优点和有益效果：发光二极管封装结构通过所述荧光胶体与电极层间形成有3微米至10微米的缝隙，并且反射壳体(或透明胶层)充填于上述缝隙，借以避免荧光胶体溢胶影响所述发光二极管芯片与电极层间的电性连接，以降低产生共晶不良的机率。另外，反射壳体的顶平面不高于发光单元的顶平面并且相距0至30微米，借此，避免产生光形和亮度不良的问题。为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，但是此等说明与所附图式仅用来说明本专利技术，而非对本专利技术的保护范围作任何的限制。附图说明图1为本专利技术发光二极管封装结构实施例一的立体示意图。图2为图1另一视角的立体示意图。图3为图1的分解示意图。图4为图2的分解示意图。图5为图1省略发光单元与反射壳体后的俯视示意图。图6A～图6J为本专利技术发光二极管封装结构的发光单元的剖视示意图。图7为图1沿VⅡ-VⅡ剖线的剖视示意图。图8为图1沿VⅢ-VⅢ剖线的剖视示意图。图9为图8的A部位的局部放大示意图。图10为图1增设均光层后的剖视示意图。图11A～11D为本专利技术发光二极管封装结构的制作方法示意图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括：一基板，具有位于相反两侧的一第一板面和一第二板面；一电极层，设置于所述基板的所述第一板面上；一绝缘层，设置于所述基板的所述第一板面上，所述绝缘层和所述电极层为形状互补，并且所述绝缘层和所述电极层共平面；至少一发光单元，包括一发光二极管芯片及封装所述发光二极管芯片的一荧光胶体，所述发光二极管芯片安装于所述电极层与所述绝缘层上；其中，所述荧光胶体与所述电极层呈间隔设置，并且所述荧光胶体与所述电极层间形成有3微米至10微米的一缝隙；一反射壳体，设置于所述电极层与所述绝缘层上并充填所述缝隙，所述反射壳体包覆于所述至少一发光单元的侧缘；其中，所述反射壳体与所述至少一发光单元各具有远离所述基板的一顶平面，所述反射壳体的所述顶平面相对于所述基板的距离不大于所述至少一发光单元的所述顶平面相对于所述基板的距离，并且所述两个顶平面的间距为0至30微米；以及一焊垫层，电性连接所述电极层且位于所述基板的所述第二板面。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括：一基板，具有位于相反两侧的一第一板面和一第二板面；一电极层，设置于所述基板的所述第一板面上；一绝缘层，设置于所述基板的所述第一板面上，所述绝缘层和所述电极层为形状互补，并且所述绝缘层和所述电极层共平面；至少一发光单元，包括一发光二极管芯片及封装所述发光二极管芯片的一荧光胶体，所述发光二极管芯片安装于所述电极层与所述绝缘层上；其中，所述荧光胶体与所述电极层呈间隔设置，并且所述荧光胶体与所述电极层间形成有3微米至10微米的一缝隙；一反射壳体，设置于所述电极层与所述绝缘层上并充填所述缝隙，所述反射壳体包覆于所述至少一发光单元的侧缘；其中，所述反射壳体与所述至少一发光单元各具有远离所述基板的一顶平面，所述反射壳体的所述顶平面相对于所述基板的距离不大于所述至少一发光单元的所述顶平面相对于所述基板的距离，并且所述两个顶平面的间距为0至30微米；以及一焊垫层，电性连接所述电极层且位于所述基板的所述第二板面。2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构进一步包括有一齐纳二极管芯片；其中，所述电极层包含有：一第一电极垫，包含有一第一固晶区块、一第一延伸区块及相连于所述第一固晶区块与所述第一延伸区块的一第一连接区块，并且所述第一固晶区块、所述第一连接区块及所述第一延伸区块共同包围形成有一第一缺口；以及一第二电极垫，包含有一第二固晶区块、一第二延伸区块及相连于所述第二固晶区块与所述第二延伸区块的一第二连接区块，所述第二固晶区块、所述第二延伸区块及所述第二连接区块分别相邻设置于所述第一固晶区块、所述第一延伸区块及所述第一连接区块，并且所述第二固晶区块、所述第二连接区块及所述第二延伸区块共同包围形成有一第二缺口，所述第一缺口与所述第二缺口分别朝向相互远离的方向，所述第一电极垫和所述第二电极垫呈镜像设置；其中，所述发光二极管芯片安装于所述第一固晶区块与所述第二固晶区块，而所述齐纳二极管芯片安装于所述第一延伸区块与所述第二延伸区块。3.根据权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一固晶区块与所述第二固晶区块的间距大于所述第一延伸区块与所述第二延伸区块的间距。4.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述荧光胶体包覆于所述发光二极管芯片的顶面与侧面并裸露所述发光二极管芯片的电极，所述发光二极管芯片的顶面平行于所述荧光胶体的顶面，并且所述发光二极管芯片的顶面与所述荧光胶体的顶面间的最小间距为50微米至200微米。5.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构进一步包括有设置于所述电极层上的一齐纳二极管芯片，并且所述齐纳二极管芯片埋置于所述反射壳体内。6.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：林裕洲，林贞秀，陈志源，
申请(专利权)人：光宝光电常州有限公司，光宝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32