一种去除多晶硅表面环氧树脂粘合剂的方法技术

本发明专利技术公开一种去除多晶硅表面环氧树脂粘合剂的方法。该方法包括以下步骤：1)将表面粘有环氧树脂粘合剂的硅料置于硝酸水溶液中进行氧化处理；2)将氧化处理后的硅料放在纯水中漂洗，使硅料呈中性；3)将漂洗后硅料表面的环氧树脂粘合剂除去；以及4)用酒精擦拭并除去硅料表面残留的环氧树脂粘合剂。本发明专利技术的方法去除效率高，处理成本降低，并且可以方便后续处理。

A method of removing epoxy resin adhesive on the surface of polycrystalline silicon

The invention discloses a method for removing the epoxy resin adhesive on the surface of a polycrystalline silicon. The method comprises the following steps: 1) the surface with oxidation treatment of epoxy resin adhesive in the silicon material in aqueous nitric acid; 2) of the silicon material after oxidation treatment on rinsing in pure water, the silicon material is neutral; 3) after being washed silicon material on the surface of epoxy resin adhesive in addition to; and 4) with alcohol wipe and remove epoxy resin adhesive residue on the surface of silicon material. The method of the invention has high removal efficiency, low processing cost and convenient follow-up treatment.

【技术实现步骤摘要】
一种去除多晶硅表面环氧树脂粘合剂的方法
本专利技术涉及多晶硅太阳能电池领域，更具体地，涉及一种去除多晶硅表面环氧树脂粘合剂的方法。
技术介绍
近年来随着不可再生能源的日益枯竭，太阳能电池得到了快速的发展。由于铸造多晶硅的制备工艺相对简单，成本远低于单晶硅，多晶硅逐步取代直拉单晶硅在太阳能电池材料市场的主导地位，成为行业内最主要的光伏材料。多晶硅料是整个多晶硅片生产过程中最重要的原材料，随着行业竞争日益激烈，多晶铸锭行业会向着大投料量、高效率、低成本的方向发展。在常规工艺中将晶砖粘在玻璃上并固定在切片机里面进行切割，在将晶砖粘在玻璃上的过程中晶砖端面会粘染环氧树脂粘合剂，在分线网切割过程中晶砖端面会被保存下来，分线网厚片厚度约5-10mm，且表面粘有固化了的粘合剂，由于厚片厚度约5-10mm，很难处理，通过磨光机打磨硅料损耗大且硅料容易破碎，破碎后的硅料由于尺寸较小很难打磨，报废率较高。因此需要一种高效、简便的方法去除多晶硅表面的环氧树脂粘合剂。
技术实现思路
本专利技术提供一种去除多晶硅表面环氧树脂粘合剂的方法，其包括以下步骤：1)将表面粘有环氧树脂粘合剂的多晶硅料置于硝酸水溶液中进行氧化处理30-100秒，所述硝酸水溶液的浓度为20重量％-60重量％；2)将氧化处理后的多晶硅料放在纯水中漂洗，使多晶硅料呈中性；3)将漂洗后多晶硅料表面的环氧树脂粘合剂除去；以及4)用酒精擦拭并除去多晶硅料表面残留的环氧树脂粘合剂。在一个优选的实施方式中，在上述步骤1)中，硝酸水溶液的浓度优选为40-50重量％，更优选为47重量％，氧化处理时间优选为50-70秒，更优选60秒。在一个优选的实施方式中，在上述步骤2)中，在纯水中漂洗1-3次，优选漂洗2次。在一个优选的实施方式中，在上述步骤3)中，使用毛刷或不锈钢铲将硅料表面的环氧树脂粘合剂除去。根据本专利技术的去除多晶硅表面环氧树脂粘合剂的方法，其使用化学品氧化代替传统的机械打磨来去除环氧树脂，在氧化处理环氧树脂的过程中适当浓度的氧化剂只氧化环氧树脂，而不会腐蚀硅料，因此硅料无损耗，并且由于可以保留完整的分线网厚片，所以报废率降低。该方法去除效率高，处理成本降低，并且可以方便后续处理。附图说明图1为显示在常规方法中表面粘有环氧树脂的厚片被敲下并报废的照片。图2为显示根据本专利技术实施例1的方法硅料表面的环氧树脂被氧化后自动脱落的照片。图3为显示根据本专利技术实施例1的方法硅料表面的环氧树脂用手轻轻擦拭即被清除的照片。图4为显示对比实施例1中使用角磨机打磨表面含有残胶的分线网厚片的照片。图5为显示对比实施例1中分线网厚片经打磨后其表面上存在未被清除干净的残胶的照片。图6为显示在对比实施例1的打磨过程产生碎片的照片。具体实施方式实施例1采用以下方法去除多晶硅表面环氧树脂粘合剂，其具体操作如下：1)将表面粘有环氧树脂粘合剂的硅料置于浓度为47重量％的硝酸水溶液中进行氧化处理60秒；2)将氧化处理后的硅料放在纯水中漂洗2次，使硅料呈中性；3)用不锈钢铲将漂洗后硅料表面的环氧树脂粘合剂轻轻铲去；以及4)用酒精擦拭并除去硅料表面残留的环氧树脂粘合剂。对比实施例1使用角磨机打磨表面含有残胶的分线网厚片来去除硅料表面的残胶。将分选网厚片打磨干净后用纯水冲洗表面的硅粉，使用体积比1:8的47重量％的氢氟酸水溶液和63重量％的硝酸水溶液进行酸洗，随后漂洗、烘干。比较实施例1和对比实施例1的方法中每小时产能、损耗以及报废率，结果列于以下表1中。[表1]从表1中的数据可以看到，在实施例1中，本专利技术的方法的每小时产能为现有的打磨法的4倍，并且本专利技术的方法的物料损耗以及报废率降低到1％以下。与现有技术相比，本专利技术的方法优势明显。以上实施例仅为本专利技术的示例性实施例，不用于限制本专利技术，本专利技术的保护范围由权利要求书限定。本领域技术人员可以在本专利技术的实质和保护范围内，对本专利技术做出各种修改或等同替换，这种修改或等同替换也应视为落在本专利技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除多晶硅表面环氧树脂粘合剂的方法，其包括以下步骤：1)将表面粘有环氧树脂粘合剂的多晶硅料置于硝酸水溶液中进行氧化处理30‑100秒，其中所述硝酸水溶液的浓度为20重量％‑60重量％；2)将氧化处理后的多晶硅料放在纯水中漂洗，使多晶硅料呈中性；3)将漂洗后的多晶硅料表面的环氧树脂粘合剂除去；以及4)用酒精擦拭并除去多晶硅料表面残留的环氧树脂粘合剂。

【技术特征摘要】
1.一种去除多晶硅表面环氧树脂粘合剂的方法，其包括以下步骤：1)将表面粘有环氧树脂粘合剂的多晶硅料置于硝酸水溶液中进行氧化处理30-100秒，其中所述硝酸水溶液的浓度为20重量％-60重量％；2)将氧化处理后的多晶硅料放在纯水中漂洗，使多晶硅料呈中性；3)将漂洗后的多晶硅料表面的环氧树脂粘合剂除去；以及4)用酒精擦拭并除去多晶硅料表面残留的环氧树脂粘合剂。2.根据权利要求1所述方法，其中，在步骤1)中...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐骏，袁聪，常传波，杨振帮，
申请(专利权)人：扬州荣德新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32