一种薄膜晶体管的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管的制作方法，其应用于显示面板铜制程，包括：在衬底基板上形成第一金属层，图案化所述第一金属层以形成薄膜晶体管的栅极；在所述栅极上方形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上方依次形成半导体层和第二金属层；在所述第二金属层上方涂布光刻胶；刻蚀所述第二金属层与所述半导体层以形成薄膜晶体管的边界区域；再次刻蚀所述第二金属层以形成薄膜晶体管的源极、漏极及背沟道区域；采用灰化工艺剥离残留的光刻胶；再次刻蚀所述半导体层以形成薄膜晶体管的导电沟道。该方法善了因铜的扩散以及有机剥离液污染等因素导致的薄膜晶体管的漏电问题。

A fabrication method of thin film transistors

The invention discloses a method for manufacturing a thin film transistor, including its application in display panel copper process, forming a first metal layer on a substrate, patterning the first metal layer to form a gate thin film transistor; a gate insulating layer is formed over the gate; sequentially forming a semiconductor layer and a metal layer is second the gate insulating layer; on the second metal layer coating photoresist; boundary etching of the second metal layer and the semiconductor layer to form a thin film transistor; again etching the second metal layer to form a thin film transistor, the source electrode and the drain electrode and back channel region; the photoresist ashing process peel residue; conductive channel again by etching the semiconductor layer to form a thin film transistor. This method is good for the leakage of thin film transistors due to the diffusion of copper and the pollution of organic stripping liquid.

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管的制作方法
本专利技术属于液晶显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管的制作方法。
技术介绍
随着平板显示(FlatPanelDisplay，FPD)技术的发展，人们对显示器分辨率和画面刷新速率的追求越来越高，因此新材料和新工艺的发展也迫在眉睫。目前，在液晶显示器(TFTLCD)的加工制造领域，导电层金属的材料主要以铝和钼为主，铝和钼的优点在于成膜工艺简单，黏附性和平坦性较好，较柔软且不容易发生爬坡断线以及不容易扩散(扩散导致膜层污染)。对于小尺寸和低分辨率的面板而言，铝是首选的理想导电金属材料。但由于铝的电阻率相对较大，因此对于大尺寸和高分辨率面板而言，就不能满足需求了。作为导电金属材料，铜的导电率要远远优于铝，对于15.0寸的UXGA(UltraeXtendedGraphicsArray)显示屏，采用铜取代铝作为导电金属材料，其面板分辨率可以提升35.2％，亮度可以提高32％，同时画面闪烁(flicker)和线负载都能大大降低。因此，针对目前高分辨率面板的市场需求，将使用铜取代铝应用到未来的显示面板中。针对常规背沟道刻蚀型TFT铝制程以及铜制程工艺中，背沟道刻蚀型TFT本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制作方法，所述方法包括：在衬底基板上形成第一金属层，图案化所述第一金属层以形成薄膜晶体管的栅极；在所述栅极上方形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上方依次形成半导体层和第二金属层；在所述第二金属层上方涂布光刻胶；刻蚀所述第二金属层与所述半导体层以形成薄膜晶体管的边界区域；再次刻蚀所述第二金属层以形成薄膜晶体管的源极、漏极及背沟道区域；采用灰化工艺剥离残留的光刻胶；再次刻蚀所述半导体层以形成薄膜晶体管的导电沟道。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，所述方法包括：在衬底基板上形成第一金属层，图案化所述第一金属层以形成薄膜晶体管的栅极；在所述栅极上方形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上方依次形成半导体层和第二金属层；在所述第二金属层上方涂布光刻胶；刻蚀所述第二金属层与所述半导体层以形成薄膜晶体管的边界区域；再次刻蚀所述第二金属层以形成薄膜晶体管的源极、漏极及背沟道区域；采用灰化工艺剥离残留的光刻胶；再次刻蚀所述半导体层以形成薄膜晶体管的导电沟道。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成第一金属层和第二金属层，并使所述第一金属层与所述第二金属层均为包括铜材料与缓冲层金属材料的复合层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用灰化工艺剥离残留的光刻胶，具体包括：在所述灰化工艺的前半段制程时间内，采用六氟化硫与氧气的混合气体对所述光刻胶进行处理；在所述灰化工艺的后半段制程时间内，采用氧气对所述光刻胶进行处理。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙涛，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42