用于减小半导体制造工艺中的接触电阻的方法技术

一种形成半导体器件的方法，包括在衬底上形成鳍并在鳍上形成源极/漏极区。该方法还包括在源极/漏极区上形成掺杂的金属硅化物层，并且在掺杂的金属硅化物和源极/漏极区之间形成过饱和掺杂界面。一个示例性的益处包括减小了金属硅化物层和源极/漏极区之间的接触电阻。本发明专利技术实施例通常涉及半导体器件及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
用于减小半导体制造工艺中的接触电阻的方法
本专利技术实施例通常涉及半导体器件及其形成方法。
技术介绍
随着半导体技术的进步，对于较高存储电容、较快处理系统、较高性能和较低成本的需求不断增加。为了满足这些需求，半导体产业不断地缩小诸如包括平面MOSFET和finFET的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的半导体器件的尺寸。这种按比例缩小增加了半导体制造工艺的复杂性。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上形成鳍；在所述鳍上形成源极/漏极区；在所述源极/漏极区上形成掺杂的金属硅化物层；以及在所述掺杂的金属硅化物层和所述源极/漏极区之间形成过饱和掺杂界面。根据本专利技术的另一些实施例，还提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上形成鳍；在所述鳍上外延生长源极/漏极区；在所述源极/漏极区上形成第一金属硅化物层；在所述第一金属硅化物层上沉积过饱和掺杂层，其中，所述过饱和掺杂层具有第一掺杂剂浓度；以及在所述源极/漏极区上形成第二金属硅化物层。根据本专利技术的又一些实施例，还提供了一种半导体器件，包括：鳍，设置在衬底上；隔离区，设置在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上形成鳍；在所述鳍上形成源极/漏极区；在所述源极/漏极区上形成掺杂的金属硅化物层；以及在所述掺杂的金属硅化物层和所述源极/漏极区之间形成过饱和掺杂界面。

【技术特征摘要】
2016.06.03 US 62/345,576;2016.08.02 US 15/226,32...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨正宇，李凯璿，王圣祯，杨世海，白易芳，陈燕铭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71