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一种形成半导体器件的方法，包括在衬底上形成鳍并在鳍上形成源极/漏极区。该方法还包括在源极/漏极区上形成掺杂的金属硅化物层，并且在掺杂的金属硅化物和源极/漏极区之间形成过饱和掺杂界面。一个示例性的益处包括减小了金属硅化物层和源极/漏极区之间的...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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