一种多孔悬膜及其制备方法技术

本申请公开了一种多孔悬膜及其制备方法，其中，多孔悬膜的制备方法利用键合工艺在具有氧化硅层的硅衬底表面键合另外一个硅衬底，然后对其中的一个硅衬底进行减薄和刻蚀后形成由多个第一通孔构成的图形的悬膜层，并对另外一个硅衬底与第一通孔相对应的位置进行刻蚀形成多个与第一通孔对应的第二通孔，最后刻蚀去除第一通孔和第二通孔之间的氧化硅层，以获得多孔悬膜；多孔悬膜的制备方法制备的多孔悬膜的厚度由减薄处理后剩余的硅衬底的厚度决定，摆脱了集成电路薄膜生长技术的制约，实现了制备较大厚度的悬膜层的目的；并且悬膜层的材料为剩余的硅衬底，硅衬底的强度相较于氧化硅或氮化硅而言均较大，从而实现了制备较高强度的悬膜层的目的。

A porous suspension membrane and its preparation method

The invention discloses a porous membrane suspension and preparation method thereof, wherein, the porous suspended membrane prepared by the method of bonding process in a silicon substrate on a silicon substrate is bonded to the surface of a silicon oxide layer, and a silicon substrate which is thinned and etched to form the suspended film composed of a first through hole pattern, and also on a silicon substrate with a first through hole corresponding to the position of the etching to form a plurality of first through holes corresponding to the through hole second, etching the silicon oxide layer finally removing the first and second through holes between the suspension to obtain porous membrane; determine silicon substrate porous suspended membrane preparation method of porous film thickness by thinning the suspension after treatment of the remaining thickness, get rid of the restriction of integrated circuit film growth technology, realize the hanging film preparation larger thickness of the film material and is suspended; For the remaining silicon substrate, the strength of the silicon substrate is larger than that of silicon oxide or silicon nitride, thus achieving the purpose of preparing the higher strength of the suspension film.

【技术实现步骤摘要】
一种多孔悬膜及其制备方法
本申请涉及半导体
，更具体地说，涉及一种多孔悬膜及其制备方法。
技术介绍
随着生物检测技术的快速发展，各行各业对于上下通透悬浮多孔膜(多孔悬膜)的需求日益增加，比如用于筛选细菌用的生物分子筛，用于微流控的硬质模具等。现今主流的生产多孔悬膜的工艺大多基于硅衬底的集成电路制造技术实现，这样不仅可以提高多孔悬膜的生产效率，而且可以大幅度地降低多孔悬膜的整体成本。现有技术中生产多孔悬膜的主要过程大致包括：首先在硅片衬底上生长不同厚度的氮化硅或氧化硅薄膜，然后对生长的薄膜进行多孔图形化，以获得悬膜层，最后将薄膜背面对应部分掏空，从而形成上下通透的多孔悬膜。但是由于受到集成电路薄膜生长技术的制约，制备的多孔悬膜中的悬膜层(氧化硅或氮化硅)的厚度只能为几个纳米，通常不超过十纳米；并且同样受限于集成电路薄膜生长技术的制约，制备的多孔悬膜的悬膜层的强度较差；这两点在很大程度上制约着多孔悬膜的应用范围。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种多孔悬膜及其制备方法，以实现制备具有较大厚度和较高强度的悬膜层的多孔悬膜的目的，以拓展多孔悬膜的应用范围。为实现上述技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多孔悬膜的制备方法，其特征在于，包括：提供第一硅衬底及第二硅衬底；在所述第一硅衬底表面形成氧化硅层；利用键合工艺在所述氧化硅层表面键合所述第二硅衬底；对所述第一硅衬底或第二硅衬底进行减薄处理，以获得包括待处理悬膜和悬膜衬底的结构，其中，所述待处理悬膜为减薄处理后的硅衬底，所述悬膜衬底为另一硅衬底；对所述待处理悬膜进行图形的光刻并刻蚀，形成多个贯穿所述待处理悬膜，并使所述氧化硅层裸露的第一通孔，以获得悬膜层；对所述悬膜衬底进行图形的双面对准光刻并刻蚀，形成多个贯穿所述悬膜衬底，并使所述氧化硅层裸露的第二通孔，一个所述第二通孔与一个所述第一通孔对应，对应的第一通孔和第二通孔在所述氧化硅层上的投...

【技术特征摘要】
1.一种多孔悬膜的制备方法，其特征在于，包括：提供第一硅衬底及第二硅衬底；在所述第一硅衬底表面形成氧化硅层；利用键合工艺在所述氧化硅层表面键合所述第二硅衬底；对所述第一硅衬底或第二硅衬底进行减薄处理，以获得包括待处理悬膜和悬膜衬底的结构，其中，所述待处理悬膜为减薄处理后的硅衬底，所述悬膜衬底为另一硅衬底；对所述待处理悬膜进行图形的光刻并刻蚀，形成多个贯穿所述待处理悬膜，并使所述氧化硅层裸露的第一通孔，以获得悬膜层；对所述悬膜衬底进行图形的双面对准光刻并刻蚀，形成多个贯穿所述悬膜衬底，并使所述氧化硅层裸露的第二通孔，一个所述第二通孔与一个所述第一通孔对应，对应的第一通孔和第二通孔在所述氧化硅层上的投影的位置至少部分重合；刻蚀去除所述第一通孔与所述第二通孔之间的氧化硅层，以获得多孔悬膜。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第一硅衬底或第二硅衬底进行减薄处理，以获得包括待处理悬膜和悬膜衬底的结构包括：对所述第二硅衬底进行减薄处理，以获得待处理悬膜，所述第一硅衬底为所述悬膜衬底。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述第二硅衬底进行减薄处理，以获得待处理悬膜，所述第一硅衬底为所述悬膜衬底之后，所述对所述悬膜衬底进行图形的双面对准光刻并刻蚀之前还包括：对所述悬膜衬底进行减薄处理。4.根据权利要求1所述的方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨涛，王桂磊，李俊峰，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11