芯片的制备方法及刻蚀方法技术

本发明专利技术揭示了一种芯片的制备方法及刻蚀方法。所述芯片的制备方法包括提供一衬底，所述衬底包括正面以及与所述正面相背的背面；在所述衬底的正面上形成M个芯片单元，每个所述芯片单元所对应的衬底具有各自的目标厚度，所述M个芯片单元依据所述目标厚度不同分为N类，M≥N；对所述衬底的背面进行N次刻蚀，每次刻蚀同一类所述芯片单元所对应的衬底，使同一类所述芯片单元所对应的衬底达到同一所述目标厚度，不同次刻蚀所达到的目标厚度不同。由此实现了更多芯片共用一个晶圆，可以节约生产资源，降低成本。

Preparation and etching method of chip

The invention discloses a preparation method and an etching method of a chip. The preparation method of the chip includes providing a substrate, wherein the substrate comprises a front and back front back with the M; a chip unit is formed on the front side of the substrate on the substrate, each corresponding to the chip unit with the respective target thickness, the M chip unit according to the the target thickness is divided into N type, M = N; the back of the substrate of N etching, etching the substrate with a class each time the chip unit corresponding to the substrate corresponding to the same class of the chip unit to achieve the same target thickness, target thickness reached different moment inhibition of different. Thus, more chips can be shared with one wafer, which can save the production resources and reduce the cost.

【技术实现步骤摘要】
芯片的制备方法及刻蚀方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种芯片的制备方法及刻蚀方法。
技术介绍
MPW(Multi-ProjectWafer，多项目晶圆)就是将多个具有相同工艺的集成电路设计放在同一圆片上流片，按面积分担流片费用，以减少开发成本和新产品开发风险，降低中小集成电路设计企业在起步时的门槛，避免单次实验流片造成的资源严重浪费。一个MPW通常包含多个产品，其特点是每一个产品的每一个芯片(chip)都有或多或少的差异，这些差异主要有：1)制程的差异，例如金属层数量要求不同，离子注入层数的要求不同。2)顶层金属(TopMetal)的厚度要求不同，例如有约左右的厚度，还有厚大于的情况。3)芯片减薄厚度不同。由于存在以上差异，导致不同产品共享一个晶圆的可能性大为降低。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供一种芯片的制备方法，尽可能提高不同产品共用同一个晶圆的机会。本专利技术的另一个目的在于提高一种刻蚀方法，提高工艺兼容性。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种芯片的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括正面以及与所述正面相背的背面；在所述衬底的正面上形成M个芯片单元，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括正面以及与所述正面相背的背面；在所述衬底的正面上形成M个芯片单元，每个所述芯片单元所对应的衬底具有各自的目标厚度，所述M个芯片单元依据所述目标厚度不同分为N类，M≥N；对所述衬底的背面进行N次刻蚀，每次刻蚀同一类所述芯片单元所对应的衬底，使同一类所述芯片单元所对应的衬底达到同一所述目标厚度，不同次刻蚀所达到的目标厚度不同；其中，M、N均为大于等于2的正整数。

【技术特征摘要】
1.一种芯片的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括正面以及与所述正面相背的背面；在所述衬底的正面上形成M个芯片单元，每个所述芯片单元所对应的衬底具有各自的目标厚度，所述M个芯片单元依据所述目标厚度不同分为N类，M≥N；对所述衬底的背面进行N次刻蚀，每次刻蚀同一类所述芯片单元所对应的衬底，使同一类所述芯片单元所对应的衬底达到同一所述目标厚度，不同次刻蚀所达到的目标厚度不同；其中，M、N均为大于等于2的正整数。2.如权利要求1所述的芯片的制备方法，其特征在于，每次刻蚀包括：在所述衬底的背面进行曝光显影，暴露出所述目标厚度相同的芯片单元所对应的衬底；刻蚀暴露出的所对应的衬底至目标厚度。3.如权利要求1所述的芯片的制备方法，其特征在于，所述目标厚度为1mil-30mil。4.如权利要求1所述的芯片的制备方法，其特征在于，若同一目标厚度的芯片单元具有多个，采用多重曝光工艺。5.如权利要求1所述的芯片的制备方法，其特征在于，所述衬底包括多个曝光单元，每个曝光单元中皆包括多个所述芯片单元。6.如权利要求1所述的芯片的制备方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张士健，郑喆，徐佳明，戴文旗，刘晓杰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31