结构上的光致抗蚀剂图案制作工艺制造技术

本发明专利技术公开一种结构上的光致抗蚀剂图案制作工艺，包括：提供基底，此基底包括第一区以及多个第二区，其中第二区位于第一区的相对两侧，且多个突起图案形成于基底上；在第一区上形成光致抗蚀剂图案，其中当突起图案至少位于第一区上且与待形成的光致抗蚀剂图案的位置重叠时，在形成光致抗蚀剂图案之前，移除突起图案。

Design of patterned photoinduced anticorrosion agent

The invention discloses a structure of the photoresist pattern making process, including: providing a substrate, the substrate including a first region and a plurality of second opposite sides of the zone, zone second is located in the first region, and a plurality of protrusion patterns are formed on the substrate; forming a photoresist pattern on the first region among them, at least when the protrusion pattern is located in the first district and to form a photoresist pattern overlap, in forming a photoresist pattern before removing the protrusion pattern.

【技术实现步骤摘要】
结构上的光致抗蚀剂图案制作工艺
本专利技术涉及一种结构上的半导体制作工艺，且特别是涉及一种结构上的光致抗蚀剂图案制作工艺。
技术介绍
在光刻制作工艺中，所形成的光致抗蚀剂图案的轮廓和关键尺寸(CriticalDimension；CD)会严重地受到基底(substrate)的地形(topography)以及来自基底上或基底中的图案的反射率(reflectivity)的影响。为了降低基底的地形以及反射率对于所形成的光致抗蚀剂图案的轮廓和关键尺寸造成影响，目前是通过光学临近修正(OpticalProximityCorrect；OPC)处理的方式在形成光致抗蚀剂图案前先进行参数上的调整。然而，在许多情况下，光学临近修正处理仍不足以提升所形成的光致抗蚀剂图案的轮廓和关键尺寸的准确性。因此，目前仍需要一种可降低受基底的地形以及反射率影响的光致抗蚀剂图案制作工艺。
技术实现思路
本专利技术提供一种结构上的光致抗蚀剂图案制作工艺，能够提高所形成的光致抗蚀剂图案的轮廓以及关键尺寸的准确性。本专利技术的一实施例的结构上的光致抗蚀剂图案制作工艺，其步骤包括：首先，提供基底，所述基底包括第一区以及多个第二区，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结构上的光致抗蚀剂图案制作工艺，包括：提供基底，所述基底包括第一区以及多个第二区，其中所述第二区位于所述第一区的相对两侧，且多个突起图案形成于所述基底上；以及在所述第一区上形成光致抗蚀剂图案，其中当所述突起图案至少位于所述第一区上且与待形成的所述光致抗蚀剂图案的位置重叠时，在形成所述光致抗蚀剂图案之前，移除所述突起图案。

【技术特征摘要】
2016.06.08 TW 1051182191.一种结构上的光致抗蚀剂图案制作工艺，包括：提供基底，所述基底包括第一区以及多个第二区，其中所述第二区位于所述第一区的相对两侧，且多个突起图案形成于所述基底上；以及在所述第一区上形成光致抗蚀剂图案，其中当所述突起图案至少位于所述第一区上且与待形成的所述光致抗蚀剂图案的位置重叠时，在形成所述光致抗蚀剂图案之前，移除所述突起图案。2.如权利要求1所述的结构上的光致抗蚀剂图案制作工艺，其中所述第一区包括主动区。3.如权利要求1所述的结构上的光致抗蚀剂图案制作工艺，其中所述第二区包括隔离区。4.如权利要求1所述的结构上的光致抗蚀剂图案制作工艺，其中在移除所述突起图案之后且在形成所述光致抗蚀剂图案之前，还包括于所述第二区上形成所述突起...

【专利技术属性】
技术研发人员：史佩珊，郭琬琳，张宜翔，林嘉祺，赖俊丞，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71