【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光二极管制作工艺，属于LED
技术背景目前LED (发光二极管)芯片有AlGalnP发光二极管(四元LED) 和GaN发光二极管(蓝光LED)之分，四元LED的大体结构依次为P 电极、窗口层、发光区、衬底和N电极，电流从P电极流入，N电极 流出，导致发光。目前AlGalnP发光二极管(四元LED)有金电极和 铝电极之分。对于铝电极制程， 一般在包括窗口层、发光区和衬底的 外延片的窗口层上先做层底金合金、开图，在一定温度下合金，使金 属与外延片之间形成较好的接触，然后背面研磨至一定厚度后蒸镀金 属金锗作为N电极。然后再在正面底金合金上做厚铝，光刻形成P 电极。目前铝电极制程有以下缺点 一是由于N电极采用金属金锗，为 了使金属金锗与与外延片之间形成较好的接触， 一定温度条件下需要 在外延片的衬底上做层合金，因而工序复杂，无形中增加成本和工时， 二是因外延片在蒸镀金属金锗作为N电极前需研磨减薄，研磨减薄的 后的外延片机械强度较差，而后续工艺容易导致破片，造成生产过程 中的损失，增加了生产成本。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服AlGalnP发光二极管铝电极LED制程中 所存在上述的工序复杂、无形中增加成本和工时，尤其是背面研磨减 薄后机械强度较差、后续动作容易导致破片的缺点，提供在做N电极前无需合金做欧姆接触，工艺相对简单，可提高生产效率，降低生产 成本的一种发光二极管制作工艺本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的， 一种发光二极管制作 工艺，其结构依次为P电极、窗口层、发光区、衬底和N电极，制作 工艺首先在包括窗口层、发...
【技术保护点】
一种发光二极管制作工艺，其结构依次为Ｐ电极、窗口层、发光区、衬底和Ｎ电极，制作工艺首先在包括窗口层、发光区和衬底的外延片的窗口层上做层底金合金，其特征是所述的制作工艺还依次包括在底金合金上镀厚铝，开图光刻形成Ｐ电极，然后研磨减薄已形成Ｐ电极后的外延片的衬底，最后在衬底上蒸镀Ｎ型导电物质形成Ｎ电极。
【技术特征摘要】
1. 一种发光二极管制作工艺，其结构依次为P电极、窗口层、发光区、衬底和N电极，制作工艺首先在包括窗口层、发光区和衬底的外延片的窗口层上做层底金合金，其特征是所述的制作工艺还依次包括在底金合金上镀厚铝，开图光刻形成P电极，然后研磨减薄已形成P电极后的外延片的衬底，最后在衬底上蒸镀N型导...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾金穗，曾文煌，薛宝林，
申请(专利权)人：扬州华夏集成光电有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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