【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种发光二极管，尤指一种具有较 长的发光寿命、较佳的发光效率与较稳定的发光亮度 的发光二极管。
技术介绍
发光极管cLED)目前已经广泛地被应用于各个领域中，如背光模块、照明灯具以及显示灯号等但是，由于发光—极管发光时所产生的扭 、、能往往无法顺利移除，温度便随着使用时间的增加而逐渐升高，造成发光效能及发光亮度逐渐地退化。为此，业界无不竭力发展各种移除热能的方式，如各种主动式散热装置及被动式散热装置，希望能有效地导出累积于发光—极管内部的热能，以延长其发光寿命、增加发光效率及提升发光亮度的稳定度如图1所示，已知的发光二极管1包括:基板11 设置于基板1 1的表面的第-一半导体层1 2 ;——.设置于第- 半导体层1 2的表面的活性层13 ; —设置于活性层13的表面的第二半导体层1 4，且第半导体层14与第半导体层1 2将活性层1 3夹置于两者之间电连接于基板ll的第一电接触部15以及电连接于第二半导体层1 4的第二电接触部16再如图1所示，已知的发光二极管1还设置有一外部回路17其是电连接于第一电接触部15及第电接触部...
【技术保护点】
一种发光二极管，其特征在于，包括： 一基板； 一导热层，设置于该基板的表面并具有一开口； 一第一半导体层，设置于该导热层的部分表面，该第一半导体层并由该开口而与该基板连接； 一活性层，设置于该第一半导体层的表面； 一第二半导体层，设置于该活性层的表面，且该第二半导体层与该第一半导体层将该活性层夹置于两者之间； 一散热膜层，设置于该导热层的未被该第一半导体层覆盖的部分的表面； 一绝缘层，形成于导热层的未被该第一半导体层与该散热膜层覆盖的部分的表面； 一第一电接触部，电连接于该基板；以及 一第二电接触部，电连接于该第二半导体层。
【技术特征摘要】
1. 一种发光二极管，其特征在于，包括一基板；一导热层，设置于该基板的表面并具有一开口；一第一半导体层，设置于该导热层的部分表面，该第一半导体层并由该开口而与该基板连接；一活性层，设置于该第一半导体层的表面；一第二半导体层，设置于该活性层的表面，且该第二半导体层与该第一半导体层将该活性层夹置于两者之间；一散热膜层，设置于该导热层的未被该第一半导体层覆盖的部分的表面；一绝缘层，形成于导热层的未被该第一半导体层与该散热膜层覆盖的部分的表面；一第一电接触部，电连接于该基板；以及一第二电接触部，电连接于该第二半导体层。2 、如权利要求1项所述的发光二极管，其特征 在于，其中还设置有一电子收集回路，且该电子收集回路电连接于该散热膜层及该第一电接触部。3、如权利要求1项所述的发光二极管，其特征在于，其中该基板的材质为N型砷化镓。4、如权利要求1项所述的发光二极管，其特征在于，3巾还包括一 N型氮化镓磊晶层于该基板的表面， |、§1且该N型氮化镓磊晶层位于该基板与该导热层之5、如权利要求1项所述的发光二极管，其特征在于，g巾该导热层为金铍合金。6、如权利要求1项所述的发光二极管，其特征在于，g巾该第 一 半导体层的材质为N型铝镓铟磷。7、如权利要求1项所述的发光二极管，其特征在于，3巾该导热层具有一金属反射镜结构于其中。8、如权利要求1项所述的发光二极管，其特征在于g巾该活性层的材质为I型铝镓铟磷。9、如权利要求1项所述的发光二极管，其特征在于，g巾该活性层具有多数个量子井结构。10 、如权利要求1项所述的发光二极管，其特征在于， 其中该第二半导体层的材质为P型砷化镓。11 、如权利要求1项所述的发光二极管，其特征在于， 其中该散热膜层为 一 电子共振穿遂式热电薄膜。12、如权利要求i项所述的发光二极管，其特征在于，中该第电接触部为金镍合金的薄膜电极。13、如权利要求i项所述的发光二极管，其特征在于，苴 z 、中该第电接触部为氧化铟锡薄膜电极。14、如权利要求i项所述的发光二极管，其特征在于，中该绝缘层的材质为氧化硅。15、如权利要求i项所述的发光二极管，其特征在于，苴 z 、中还设置有一外部回路，且该外部回路电连接于该第电接触部及该第二电接触部。16、如权利要求2项所述的发光二极管，其特征在于，中还设置有一外部回路，该外部回路是电连接于该第电接触部及该第二电接触部，且该外部回路并电连接于该电子收集回路。17、如权利要求2项所述的发光二极管，其特征在于，中还设置有一储存电容，且该储存电容电连接于该电子收集回路。18、一种发光二极管，其...
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