【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种延伸结构的氧化锌透明电极大功率发光二极管芯片，该专利技术可以改善大功率LED外延层与电流扩展层的晶格匹配，延伸电极提高了电流的扩展的均匀性，从而提高芯片的可靠性以及出光效率；直接通过氧化锌串并联芯片，使多芯片模块结构更加紧凑，可靠性更高。技术背景作为GaN基材料和器件外延层的主要衬底蓝宝石，虽然应用广泛，但是蓝宝石衬 底也存在一系列问题如晶格失配和热应力失配，这会在外延层中产生大量缺陷，同 时给后续的器件加工工艺造成困难。蓝宝石是一种绝缘体，常温下电阻率大于 1000Q 'cm，在这种情况下无法制作垂直结构的器件，通常只在外延层上制作n型和 P型电极，在上面制作两个电极，早成了有效发光面积少，同时增加了器件制造中的 光刻和刻蚀工艺过程，结果材料利用率低、成本增加。由于P型GaN掺杂困难，当前 普遍釆用在p型GaN上制备金属透明电极的方法，使电流扩散，以达到均匀发光的目 的。但是金属透明电极一般要吸收30%—40%的光，同时GaN基材料的化学稳定性、 机械强度较高，不容易对其进行刻蚀，因此在刻蚀过程中需要较好的设备，这将增加 生产成本。最为严...
【技术保护点】
一种延伸结构的氧化锌透明电极大功率发光二极管芯片，包括：ｎ型金ｐａｄ（１）、氧化锌透明电极（２）、基板（４）、粘结层（５）、ｐ型电流扩展层（６）、ｐ型电极接触（７）、发光层（８）、ｎ型电极接触（９）、辅助电流扩展电极（１０）；其中ｐ型电流扩展层（６）、ｐ型电极接触（７）、发光层（８）、ｎ型电极接触（９）是在ＭＯＣＶＤ中依次生长完毕，总称发光有源层（１１），其特征在于：ａ）所述发光有源层（１１）通过粘结层（５）粘结在基板（４）上；ｂ）有两个填充体（３）填充在发光有源层（１１）被刻蚀掉的一对对角线位置的孔里，而所述辅助电流扩展电极（１０）呈长方形位于另一对对角线位置；ｃ）所述氧...
【技术特征摘要】
1. 一种延伸结构的氧化锌透明电极大功率发光二极管芯片，包括n型金pad(1)、氧化锌透明电极(2)、基板(4)、粘结层(5)、p型电流扩展层(6)、p型电极接触(7)、发光层(8)、n型电极接触(9)、辅助电流扩展电极(10)；其中p型电流扩展层(6)、p型电极接触(7)、发光层(8)、n型电极接触(9)是在MOCVD中依次生长完毕，总称发光有源层(11)，其特征在于a)所述发光有源层(11)通过粘结层(5)粘结在基板(4)上；b)有两个填充体(3)填充在发光有源层(11)被刻蚀掉的一对对角线位置的孔里，而所述辅助电流扩展电极(10)呈长方形位于另一对对角线位置；c)所述氧化锌透明电极(2)生长在n型电极接触(9)的表面；d)所述n型金pad(1)以及辅助电流扩展电极(10)制作在氧化锌透明电极(2)上表面。2、 根据权利要求1所述的延伸结构的氧化锌透明电极大功率发光二极管芯片，其特 征在于所述的n型金pad (1)延伸至发光面外部氧化锌透明电极(2)对应于填 充体(3)正上方的表面。3、 根据权利要求l所述的延伸结构的氧化锌透明电极大功率发光二极管芯片，其特 征在于所述氧化锌透明电极(2)为n型氧化锌。4、 根据权利要求1所述的延伸结构的氧化锌透明电极...
【专利技术属性】
技术研发人员：张建华，殷录桥，马可军，李抒智，李春亚，
申请(专利权)人：上海大学，上海半导体照明工程技术研究中心，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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