梯度型温度场发热体制造技术

本发明专利技术涉及一种梯度型温度场发热体，具体涉及到一种应用于晶体生长炉中可以有效建立合适的温度梯度场的发热体，属于结晶工艺技术领域，主要特点是将若干具有一定纵截面和横截面形状的发热片合理地组合起在一起，形成一个或多个电流通路，在不同阻值的部分产生不同的热量，如此在生长区可以产生一定的温度梯度；并且可以通过调整发热片的截面形状和高度来灵活地调整温场的分布，本发明专利技术在晶体生长炉中使用时只需要一套温度控制装置，不仅简化了操作，降低了成本，还有利于保持温场的稳定，本发明专利技术特别适用于下降法、温度梯法、电阻加热提拉法、布里奇曼法、热交换法晶体生长炉，也适用于其它需要有温度梯度分布的热处理装置中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种梯度型温度场发热体，具体涉及到一种应用于晶 体生长炉中可以有效建立合适的温度梯度场的发热体，属于结晶工艺

技术介绍
生长高质量晶体的一个很重要的条件就是要有一个合适的温度 场。生长系统中的温度的分布或者说晶体中、熔体中以及固-液界面 上的温度梯度对晶体的质量有决定性的影响。然而，不同的晶体有不 同的特性，需要控制的主要缺陷也往往不同，它们对于温场条件的要 求自然也不相同。因此，所谓合适的温场并没有一个严格的判据。一 般来说，对于掺杂晶体需要有大的温度梯度(特别是界面附近)，而不掺杂的晶体或者容易开裂的晶体，采用较小的温度梯度；另外， 一般 采用平的(或微凸)的界面来生长晶体时，则有助于晶体均匀性的改 善。不过，在特定的条件下，采用凸界面生长晶体也有它有利的一面。 总之， 一个优化的生长系统要求温场具有较灵活的可调节性，以满足 不同晶体的生长需要。晶体生长过程中温度场的分布主要由保温层的构造、坩埚在发热 体中的位置以及冷却介质的流量等因素决定。其中改变坩埚的位置及 冷却介质的流量对温场的调节效果有限，而改变保温层的设置虽然可 以达到较为理想的调节效果，但其实现周期较长，且需要耗费相当的 人力物力。值得注意的是，晶体生长所需的热量是由发热体产生并通 过辐射的方式施加至生长区的，如能使发热体直接产生温度梯度，则是调节温场分布最为有效的方法。目前，在电阻加热的提拉法(参见Chemical Engineering Science 2004， 59: 1437 1457)、热交换法(参见Journal of Crystal Growth 1979, 46:601-606)、温梯法(参见Journal of Crystal Growth 1998， 193:123-126)等晶体生长炉中多采用简单的波浪式回路发热体，这种 发热体自身不产生温度梯度；在多发热体提拉法、布里奇曼法和双加 热温梯法中，虽然可以采用石墨或硅钼材料构成多个分立的发热体来 产生温度梯度，但它大大增加了设备的成本和控制的难度，也影响温 场的稳定性。
技术实现思路
本专利技术的目的是改进上述现有发热体的设计，使其能方便快捷地 建立生长优质晶体所需的温场，并且增加温场设计的灵活性，对加热 元件进行简单的调整就可以适用于不同种类晶体生长，提供可以经济、 快捷地建立合适温场的一种梯度型温度场发热体。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的， 一种梯度型温度场发 热体，其特征是所述发热体由纵截面上下具有不同厚度、横截面具有 不同弧度的不同阻值的发热辐条构成，发热辐条上设置的隔断槽构成 发热体的一个或多个电流通路。恥4来如雜而卜"R目右x向匿齒古苗栽而目.右x同抓^F的:K固昍/亩的发热辐条至少由四组自上而下依次连接，依次连接的发热辐条上设 置的空隙构成隔断槽。不同阻值发热辐条相互间铆接或焊接连接。各组发热辐条至少有两块发热片，各块发热片具有相同的内径， 各组发热片具有不同的弧角，各块发热片截面近似正梯形，两斜边为 直线或为曲线，最上一组中一块发热片的下端面与下一组两块相互间留有空隙的发热片的上端面相连形成"n"型元件；再将两块相互间留有空隙的"n"型元件的下端面与下一组中一块发热片的上端面相连形成"m"型元件；将多个"m"型元件首尾相连形成发热筒。各组发热辐条中的发热片弧角自上而下依次为^9(T、 S45°、 S90°、 Sl80o。各组发热辐条中的发热片的高度比例为1: 0.5-5: 0.5-2: 0.8-6。每组发热辐条的发热片纵截面上下厚度过渡为直线、或为曲线。 本专利技术通过将若干具有一定纵截面和横截面形状的发热片合理地 组合起在一起，形成一个或多个电流通路，在不同阻值的部分产生不 同的热量，如此在生长区可以产生一定的温度梯度；并且可以通过调整发热片的截面形状和高度来灵活地调整温场的分布，本专利技术在晶体 生长炉中使用时只需要一套温度控制装置，不仅简化了操作，降低了 成本，还有利于保持温场的稳定，本专利技术特别适用于下降法、温度梯 法、电阻加热提拉法、布里奇曼法、热交换法晶体生长炉，也适用于 其它需要有温度梯度分布的热处理装置中。 附图说明图1为本专利技术剖视结构示意图；图2为几种典型发热体的截面结构示意图；图3为图2所描述几种发热体应用于晶体生长炉时生长区内轴向 温度分布不葸图；图中，A、 B、 C、 D为发热辐条，HA、 Hb、 Hc、 H。为发热辐条高度， 1#、 2#、 3#、 4#、 5弁表示几种不同纵截面厚度，L、 T2、 T3、 T4、 T5表示纵截面厚度，E为隔断槽。具体实施方式结合附图和实施例进一步说明本专利技术，如图1所示，本专利技术由纵 截面上下具有不同厚度、横截面具有不同弧度的不同阻值的发热辐条 构成，发热辐条上设置的隔断槽构成发热体的一个或多个电流通路，采用石墨或钼或钨发热体材料。所述热体至少由四组发热辐条A、 B、 C、 D构成，它们的高度分别 为H" HB、 He、 Hd，分别介于O与发热体的总高度之间，改变它们之间 的高度比来实现对温场的调整。发热辐条A包括多块内径为D、弧角 e^90。的发热片，截面形状近似梯形上边长为L，下边长为L2，且 L^L,，两斜边可为直线，也可以弧线；发热辐条B包括多块内径为D、 弧角e^45。的发热片，截面形状近似梯形上边长为L，下边长为L， 且L^L，两斜边可为直线，也可为弧线；发热辐条C包括多块内径为 D、弧角e^90('的发热片，截面形状近似梯形上边长为U,下边长为 L4，且L^L3，两斜边可为直线，也可为弧线；发热辐条D包括二块内 径为D、弧角e^l80。的发热片，截面形状近似梯形上边长为L4，下 边长为U，且L^L4，两斜边可为直线，也可为弧线。分别将一个发热 辐条A中的发热片下表面与两个发热辐条B的上表面相连，并保持两 个发热辐条B之间留有隔断槽E，共形成多个"n"型的元件；再将两 个"n"型元件中相邻的B发热片的下表面与元件C的上表面相连，形 成"m"型的元件，并保持"n"型元件之间留有隔断槽E;如此将多 个"m"型元件首尾相连，形成一个发热筒；将上述发热筒中两个相对 的元件C的下表面与元件D的上表面相连，如此即形成一个完整的发 扭汰_ t执i胜，问AW主诧"srw诵衬'坦法.都d法笙卞^.他可i;JM甬忖对完整的发热筒开槽时保持连接部分不割断来实现。实施例1:如图2中1#所示，采用高纯石墨电阻发热材料制成半径为R= 60mm, H二300mm的发热筒。按照图1中隔断槽E的走向对发热体进行 开槽，其中HA=50mm， HB=120mm， Hc=50mm， H。二40腿；T\ = 2.2腿， T2 = 2. 5mm， T3 = 4mm， T4 = 5mm， T5=5mm。其中截面厚度T2到T3的过 渡为直线。制备完成的发热体置于晶体生长炉中，关闭炉膛，抽真空，充完气后升温，晶体生长区的温度分布情况，如图3中的1弁线。 实施例2:如图2中2#所示，采用高纯石墨电阻发热材料制成半径为R= 60腿，H=300mm的发热筒。按照图1中槽的走向对发热体进行开槽， 其中HA = 50mm， HB=120mm， Hc=50mm， H。二40腿；T\ = 2. 5腿，T2 = 3mm，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种梯度型温度场发热体，其特征是所述发热体由纵截面上下具有不同厚度、横截面具有不同弧度的不同阻值的发热辐条构成，发热辐条上设置的隔断槽构成发热体的一个或多个电流通路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐军，曾金穗，李红军，董永军，李明远，林岳明，
申请(专利权)人：扬州华夏集成光电有限公司，
类型：发明
国别省市：32[]