引线框制造工艺制造技术
Manufacturing process of lead frame
The lead frame manufacturing process, involving lead frame technical field, which comprises the following steps: line transfer: according to the lead frame line design, made of protective layer etch resistant, anti plating on the surface of the substrate, the protective layer covers the substrate need not be electroplated and does not need to be etched by exposing the substrate to the area being plated area and the need to be etched area; electroplating protection: the substrate need to be etched area made of electroplating electroplating plating anti shielding layer, shielding layer covering the substrate is etched to the region; electroplating: the need to the substrate by plating area plating to form covering the region of the anti etching plating layer; etching. Area: stripping from the substrate plating shielding layer; etching on the substrate are: the need for etching the etching area.
【技术实现步骤摘要】
引线框制造工艺
本专利技术创造涉及引线框
技术介绍
半导体封装，是将晶片(die，又称晶粒)封装成芯片的生产过程，在这个生产过程中，引线框是需要用到的非常重要的部件之一。引线框结构如图1所示，包括基座1和脚仔2，晶片粘接在基座1上，再在晶片与脚仔2之间焊线，从而实现将晶片的端口引出的目的。为方便焊线，脚仔2的部分区域21需要进行电镀形成电镀层。现有引线框制造工艺是先蚀刻基材制成引线框，然后再电镀。先将蚀刻线路(指蚀刻时遮挡的线路)转移到基材上，在基材上制成抗蚀刻的保护层，然后蚀刻并去膜，再进行电镀，进行电镀之前需要再进行一次线路转移，此次转移的是电镀线路(指电镀时遮挡的线路)，制成抗电镀的保护层，将不需要电镀的区域以及蚀刻后现成的线路的侧壁和半蚀刻的位置都包覆住，然后进行电镀并去膜。现有工艺存在的问题有：1、蚀刻后形成的引线框在等待电镀的过程中，表面得不到保护容易氧化；2、蚀刻后形成的引线框比较脆弱，进行电镀操作容易导致引线框变形；3、两次线路转移难以准确对位，蚀刻位置和电镀位置之间的误差较大。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术创造提供一种引线框制造工艺，...
【技术保护点】
引线框制造工艺，其特征是，包括以下步骤：线路转移：根据引线框的线路设计，在基材表面制成抗蚀刻、抗电镀的保护层，保护层覆盖基材的不需要被电镀且不需要被蚀刻的区域，以露出基材的需要被电镀的区域和需要被蚀刻的区域；电镀保护：在基材的需要被蚀刻的区域制成抗电镀的电镀遮挡层，电镀遮挡层覆盖基材的需要被蚀刻的区域；电镀：对基材的需要被电镀的区域进行电镀以形成覆盖该区域的抗蚀刻的电镀层；显蚀刻区域：从基材上剥离电镀遮挡层；蚀刻：对基材的需要被蚀刻的区域进行蚀刻。
【技术特征摘要】
1.引线框制造工艺，其特征是，包括以下步骤：线路转移：根据引线框的线路设计，在基材表面制成抗蚀刻、抗电镀的保护层，保护层覆盖基材的不需要被电镀且不需要被蚀刻的区域，以露出基材的需要被电镀的区域和需要被蚀刻的区域；电镀保护：在基材的需要被蚀刻的区域制成抗电镀的电镀遮挡层，电镀遮挡层覆盖基材的需要被蚀刻的区域；电镀：对基材的需要被电镀的区域进行电镀以形成覆盖该区域的抗蚀刻的电镀层；显蚀刻区域：从基材上剥离电镀遮挡层；蚀刻：对基材的需要被蚀刻的区域进行蚀刻。2.根据权利要求1所述的引线框制造工艺，其特征是，电镀遮挡层由可剥胶制...
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