The subject of the invention is to provide a resin composition containing new polymers, a pattern forming method using the resin composition, and a synthetic method of the preceding polymer. To this end, a resin composition for insulating film formation is provided, which contains a structural unit represented by the following formula (1a) and a polymer and organic solvent for the structural units represented by the following expression (1b). [type, T0 said the price of two organic group containing at least 1 arylenes, at least 1 hydrogen atoms of the arylene substituted amino T1, said the price of two organic group containing at least 1 arylene, an arylene having at least 1 of the following formula (2) the substituent, Z can be shown with substituents, the price of two aliphatic and aromatic radical radicals or alcyl. ].
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】树脂组合物和使用该树脂组合物的图案形成方法、以及聚合物的合成方法
本专利技术涉及含有可在碱性水溶液中溶解的新聚合物的树脂组合物、以及使用该树脂组合物的图案形成方法、以及前述聚合物的合成方法。尤其是涉及适合作为例如在以IC芯片等为代表的半导体器件的制造工序中使用的表面保护膜或层间绝缘膜、显示装置用的平坦化膜或层间绝缘膜的树脂组合物。
技术介绍
近年来,随着便携电话、IC卡等电子设备的高功能化、小型化,要求半导体器件的高集成化、安装面积的小面积化、利用布线间距离的缩小来降低布线电阻。作为其方法,研究了将半导体元件间在纵向上堆起来的叠层结构、即堆积结构。作为堆积结构制作方法的一例,可举出将形成有半导体元件的硅晶片使用临时粘接的粘接剂等与支持基板粘接后,将硅晶片的背面薄化,然后使用各向异性干蚀刻等技术来设置贯通孔的TSV技术(ThroughSiliconVia),在该贯通孔中填充铜等导电材以在背面形成电极,然后在形成了电极的晶片背面形成绝缘膜,与其它的形成有半导体元件的芯片或硅晶片电接合的工序。在上述工序中,要求硅晶片背面所形成的绝缘膜具有防止电极间的电流泄漏、导电材料迁移等的电绝缘性、耐溶剂性、电极接合工序中的耐热性等特性,进一步从构件的耐热性的观点出发要求在低温例如250℃以下表现出特性。作为公知的绝缘膜,可举出聚酰亚胺、聚苯并唑、芳香族聚醚等能够通过旋转涂布而形成的绝缘膜。在这些之中,被赋予了感光性的绝缘膜,由于能够通过实施活性光线构图、显影、酰亚胺化加热处理等而容易地形成绝缘膜,因而与非感光性的绝缘膜相比较,具有能够大幅缩短工序的特征。另一方面,感光性绝缘 ...
【技术保护点】
一种绝缘膜形成用树脂组合物,含有聚合物和有机溶剂,所述聚合物具有下述式(1a)表示的结构单元以及下述式(1b)表示的结构单元,
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.30 JP 2015-0699561.一种绝缘膜形成用树脂组合物,含有聚合物和有机溶剂,所述聚合物具有下述式(1a)表示的结构单元以及下述式(1b)表示的结构单元,式(1a)中,T0表示含有至少1个亚芳基的二价有机基团,所述亚芳基的至少1个氢原子被氨基取代了,式(1b)中,T1表示含有至少1个亚芳基的二价有机基团,所述亚芳基具有至少1个下述式(2)表示的取代基,式中,Z表示可以具有取代基的二价的、脂肪族基、芳香族基或脂环基。2.如权利要求1所述的绝缘膜形成用树脂组合物,所述式(2)表示的取代基中Z是下述式(3)、式(4)、式(5)或式(6)表示的二价基团,式中,m表示1或2,R1表示氢原子、碳原子数1~18的烷基、羟基、羧基或烷氧基甲硅烷基,n表示0或1,R2表示氢原子、碳原子数1~18的烷基、乙烯基、烯丙基、2-丁烯-1-基、2-甲基-2-丙烯基、1-丙烯基或烷氧基甲硅烷基,该烷基可以具有烷氧基甲硅烷基作为取代基,R3表示亚甲基、亚乙基、乙烯-1,2-二基或乙烯-1,1-二基。3.如权利要求1所述的绝缘膜形成用树脂组合物,所述聚合物还含有下述式(7)表示的结构单元,式中,T2表示含有至少1个亚芳基的二价有机基团。4.如权利要求1所述的绝缘膜形成用树脂组合物,所述式(1a)表示的结构单元中T0表示下述式(11)表示的二价有机基团,所述式(1b)表示的结构单元中T1表示下述式(12)表示的二价有机基团,式中,Z与所述式(2)中的定义意思相同,X1表示单键、碳原子数1~3的亚烷基、碳原子数1~3的氟代亚烷基、亚苯基、-O-基、-S-基、磺酰基、羰基、或该亚苯基与碳原子数1~3的亚烷基、-O-基或-S-基组合而成的基团。5.如权利要求3所述的绝缘膜形成用树脂组合物,所述式(7)表示的结构单元中T2表示下述式(13)表示的二价有机基团,式中,X2表示单键、碳原子数1~3的亚烷基、碳原子数1~3的氟代亚烷基、含有苯环或环己烷环的碳原子数6~13的二价烃基、-O-基、-S-基、磺酰基或羰基。6.如权利要求1~5的任一项所述的绝缘膜形...
【专利技术属性】
技术研发人员:田村护,榎本智之,
申请(专利权)人:日产化学工业株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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