多孔聚氨酯层的制备制造技术

技术编号:16706368 阅读:64 留言:0更新日期:2017-12-02 20:52
本发明专利技术描述了在多孔聚氨酯层的制备中特定的含硅化合物的用途,所述含硅化合物用于改进正在反应以形成聚氨酯层的反应混合物的流动性质、和/或用于优化所得聚氨酯层的泡孔,优选用于在整个所得聚氨酯层上使泡孔结构均匀化,尤其是在人造革或泡沫膜的生产中。该含硅化合物具有如下式。

Preparation of porous polyurethane layer

The invention described in the porous polyurethane layer in the preparation of specific silicon containing compounds thereof, wherein a silicon containing compound is used to improve the reaction to form a reaction mixture of polyurethane layer flow properties, and / or for foam optimized polyurethane layer, preferably for the bubble structure homogenization in the obtained polyurethane the layer, especially in artificial leather or foam film production. The silicon containing compound has the following formula.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多孔聚氨酯层的制备本专利技术属于聚氨酯领域。它涉及多孔聚氨酯层以及利用特定的含硅化合物来制备这种多孔聚氨酯层。本专利技术还涉及包含这种多孔聚氨酯层的复合结构。本专利技术进一步涉及这种复合结构作为人造革或者泡沫膜的用途。多孔聚氨酯层及其制备本身是已知的。多孔层通常与无孔层结合。多孔聚氨酯层通常是多层复合材料的重要组分,多层复合材料例如被应用于纺织品支撑材料,以获得如仿皮革,也称为人造皮革的产品。多孔聚氨酯层原则上可以通过三种不同的工艺制备,即凝结工艺,聚氨酯分散工艺或高固含量工艺。凝结工艺使用大量溶剂、主要是二甲基甲酰胺(DMF)实施,会带来毒性方面的考量和与从相应终产品排放的相关难题。水性聚氨酯分散体的使用确实具有显著较低的毒理学问题污染水平。然而,为了将水的量蒸发,需要非常大量的能量。具有高固体含量的低溶剂或无溶剂的工艺,即“高固含量”工艺,无论是出于毒理学方面的原因还是从能耗角度考虑都是优选的方案。生产过程中需要更少的能量且制成品没有可能因溶剂造成的挥发问题。这样的高固含量体系本身是已知的。例如,专利申请EP2476800A1、WO2014/012710A1以及EP1059379A本文档来自技高网...

【技术保护点】
至少一种含硅化合物在制备多孔聚氨酯层时的用途,其中所述含硅化合物具有式(1)的结构

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.03 EP 15157322.71.至少一种含硅化合物在制备多孔聚氨酯层时的用途,其中所述含硅化合物具有式(1)的结构其中a独立地为0-500,优选地为1-300,并且特别地为2-150,b独立地为0-60,优选地为1-50,并且特别地为1-30,c独立地为0-10,优选地为0或>0至5,d独立地为0-10,优选地为0或>0至5,前提是对于每一个式(1)的分子,每个分子中T单元的平均数∑d和Q单元的平均数∑c在每一情况中都不大于50,每个分子中D单元的平均数∑a不大于2000,每个分子中带有R1的硅氧基单元的平均数∑b不大于100,R独立地是含有1-20个碳原子、线性、环状的或者枝化的、脂肪族或者芳香族的、饱和或者不饱和的烃基中的至少一种基团,但优选是甲基,R2独立地是R1或者R,R1不同于R,独立地是有机基团和/或聚醚基团,R1优选是选自由-CH2-CH2-CH2-O-(CH2-CH2O-)x-(CH2-CH(R')O-)y-R”-CH2-CH2-O-(CH2-CH2O-)x-(CH2-CH(R')O-)y-R”-O-(C2H4O-)x-(C3H5O-)y-R'-CH2-RIV-CH2-CH2-(O)x'-RIV-CH2-CH2-CH2-O-CH2-CH(OH)-CH2OH或-CH2-CH2-CH2-O-CH2-C(CH2OH)2-CH2-CH3组成的组中的基团,其中x为0-100,优选>0,特别地为1-50,x’为0或1,y为0-100,优选>0,特别地为1-50,R’独立地是含有1-12个碳原子、任选被取代的,例如被烷基、芳基、卤代烷基或者卤代芳基取代的烷基或者芳基,其中不同的R’独立地是含有1-12个碳原子任选被取代的例如被烷基、芳基、卤代烷基或者卤代芳基取代的烷基或者芳基,其中不同的R’取代基可以存在于任何R1基团内和/或式(1)的任何分子内,且R”独立地是氢基团或者含有1-4个碳原子的烷基、C(O)-R”’基团其中R”’为烷基、-CH2-O-R’基团、烷芳基,例如苄基,或者-C(O)NH-R'基团,RIV是含有1-50个碳原子,优选9-45个碳原子,更优选含有13-37个碳原子、线性、环状的或枝化的、任选被取代的例如被卤素取代的烃基,RV是-D-Gz-其中D是含有2-50个、优选含有3-45个、更优选含有4-37个碳原子、线性、环状的或者枝化的、任选被取代的,例如被杂原子诸如O、N或者卤素取代的,饱和或者不饱和的烃基,G对应下式之一-O-z是0或1,其中R1在两个或三个式(1)的硅氧烷...

【专利技术属性】
技术研发人员:T·吕特格M·格洛斯
申请(专利权)人:赢创德固赛有限公司
类型:发明
国别省市:德国,DE

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