紫外光发光二极管的封装结构制造技术

本发明专利技术公开一种紫外光发光二极管的封装结构，包含基材，具有一电极；芯片，设置于基材上，并电连接电极；透明保护罩，覆盖基材与芯片；附着层，设置于基材与透明保护罩之间；以及光反射层，设置于透明保护罩与附着层之间，其中透明保护罩通过光反射层与附着层固定于基材上。

Packaging structure of UV light emitting diodes

The package structure, the invention discloses an ultraviolet light emitting diode comprises a substrate, with an electrode; chip is arranged on the substrate and electrically connected with the electrode; the transparent protective cover, cover the substrate and the chip; the adhesive layer arranged on the substrate, and a transparent protective cover; and the light reflection layer interposed between the transparent protective cover and the adhesive layer, wherein the transparent protective cover by the light reflection layer and the adhesive layer is fixed on the substrate.

【技术实现步骤摘要】
紫外光发光二极管的封装结构
本专利技术涉及一种发光二极管的封装结构，尤其是涉及一种紫外光发光二极管的封装结构。
技术介绍
发光二极管(lightemittingdiode，LED)是一种能发光的半导体电子元件，并且具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点，近年已被普遍应用于照明。一般LED封装不仅要求能够保护LED芯片，而且还要透光等材料上的特殊要求、封装方法与结构。一般封装技术中，利用不透明图案化基底，承载LED芯片(chip)与电极，通过金属导线将LED芯片与电极电连接后，在不透明基底与芯片上，以透明材料覆盖整个芯片、金属导线与不透明基底，固化后形成完成封装。由于封装必须使用透明材料，以利光线的射出，因此材料选择有限。目前LED封装常见的高分子胶体在长期照射UV(波长450nm以下)后会发生变质，造成穿透率下降，同时还会失去附着力，故在产品中后期的出光效益与品质都会有疑虑，无法提供UVLED长期的良好封装效果。为能改善上述状况，现行市面产品发展出使用石英玻璃作为透镜材料，通过其在短波长下仍可维持高穿透率的特性，维持产品稳定的出光效益。但玻璃与基板间仍须使用胶体做为接合剂，长期使用后接合处胶体一样有变质风险，造成封装结构的密合性遭到破坏，造成芯片寿命大幅下降，同样无法提供UVLED长期的良好封装效果。因此如何能改善上述问题，提升UVLED在长时间使用下仍具有良好的封装效果，同时保有高透光率，成为本专利技术所探讨的课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种紫外光发光二极管的封装结构，包含具有电极的基材；芯片，设置于基材上，并电连接电极；透明保护罩，覆盖基材与芯片；附着层，设置于基材与透明保护罩之间；以及光反射层，设置于透明保护罩与附着层之间，其中透明保护罩通过光反射层与附着层固定于基材上。在本专利技术的较佳实施例中，上述的光反射层直接附着于透明保护罩。在本专利技术的较佳实施例中，上述的光反射层的材料为金属。在本专利技术的较佳实施例中，上述的附着层的材料为金属，且光反射层与附着层共晶结合。在本专利技术的较佳实施例中，上述的附着层的材料为高分子树脂，且光反射层与附着层粘合。在本专利技术的较佳实施例中，上述的透明保护罩具有第一凹槽，对应芯片，使芯片置于第一凹槽中。在本专利技术的较佳实施例中，上述的透明保护罩具有靠近基材的表面，并且位于第一凹槽内的部分表面与基材分离。在本专利技术的较佳实施例中，上述的基材还包含：凹杯结构，以环绕芯片。在本专利技术的较佳实施例中，上述的基材还包含承载板，电极固定于承载板上，并穿通承载板以电性导通承载板的两侧；以及凹杯结构接触电极且与承载板分离。在本专利技术的较佳实施例中，上述的透明保护罩具有第二凹槽，并且第二凹槽对应于凹杯结构与芯片，使凹杯结构与芯片置于第二凹槽中。在本专利技术的较佳实施例中，上述的附着层固定并接触于基材的承载板与电极的任一者。在本专利技术的较佳实施例中，上述的透明保护罩具有靠近基材的表面，并且表面为平面。在本专利技术的较佳实施例中，上述的附着层接触并固定于凹杯结构的上表面。在本专利技术的较佳实施例中，上述的该透明保护罩形成有一凸出部，凹杯结构靠近透明保护罩的一侧形成有一凹陷部，其中凹陷部对应凸出部。在本专利技术的较佳实施例中，上述的凸出部与凹陷部均为环形。在本专利技术的较佳实施例中，上述的附着层固定于凹陷部中，光反射层固定于凸出部上。在本专利技术的较佳实施例中，上述的附着层仅覆盖凹陷部的底面，光反射层仅覆盖凸出部的顶面。在本专利技术的较佳实施例中，上述的芯片射出的光的波长为450纳米以下。在本专利技术的较佳实施例中，上述的透明保护罩具有远离基材的弧形表面。本专利技术还提供一种紫外光发光二极管的封装结构，包含具有电极的基材；芯片，设置于该基材上，并电连接该电极；透明保护罩，覆盖该基材与该芯片；以及金属层，设置于该透明保护罩靠近该基材的部分表面，其中该金属层与该电极共晶结合。在本专利技术的较佳实施例中，上述的透明保护罩具有凹槽，对应于芯片，使芯片置于凹槽中。在本专利技术的较佳实施例中，上述的透明保护罩具有靠近该基材的表面，并且位于凹槽内的部分表面与基材分离。在本专利技术的较佳实施例中，上述的该基材还包含承载板，电极固定于承载板上，并穿通承载板以电性导通承载板的两侧；以及金属层与承载板分离。在本专利技术的较佳实施例中，上述的透明保护罩具有远离该基材的弧形表面。因此本专利技术能提供的发光二极管的封装结构，可以适用于市场上所有常见波长的LED芯片封装，尤其对于波段450nm以下的UVLED芯片的封装，能解决现有制作工艺产品容易产生劣化的问题，达到更佳且更长期的保护，进而延长UVLED的使用寿命。附图说明为让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举数个较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：图1A是依据本专利技术的一实施例的所绘制的紫外光发光二极管的封装结构10剖面结构示意图；图1B是依据本专利技术的一实施例的所绘制的紫外光发光二极管的封装结构10俯视结构示意图；图2是依据本专利技术的一实施例的紫外光发光二极管的封装结构11剖面示意图；图3A是依据本专利技术的一实施例的所绘制的紫外光发光二极管的封装结构20剖面结构示意图；图3B是依据本专利技术的一实施例的所绘制的紫外光发光二极管的封装结构20俯视结构示意图；图4A是依据本专利技术的一实施例的所绘制的紫外光发光二极管的封装结构30剖面结构示意图；图4B是依据本专利技术的一实施例的所绘制的紫外光发光二极管的封装结构30俯视结构示意图；图5A是依据本专利技术的一实施例的所绘制的紫外光发光二极管的封装结构40剖面结构示意图；图5B是依据本专利技术的一实施例的所绘制的紫外光发光二极管的封装结构40俯视结构示意图；以及图6是依据本专利技术的一实施例的所绘制的紫外光发光二极管的封装结构50剖面结构示意图。符号说明1：基材2：芯片3：金属导线4：附着层5：透明保护罩5a：凸出部6：光反射层10-12、20、30、40：封装结构11：承载板12：电极13：凹杯结构13a：凹陷部C1、C2：凹槽S1、S2、S5a、S13a、S131-S133：表面具体实施方式本专利技术是在提供一种紫外光发光二极管(UVLED)的封装结构，用以解决现有的封装方法下所导致的劣化状况，以改善对波长450nm以下的UVLED长期使用后的保护性，能有效延长UVLED使用寿命的功效。为让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文以实施例配合所附附图，做详细说明。图1A与图1B所示为依据本专利技术的一实施例的紫外光发光二极管的封装结构10，其中图1A为封装结构10的剖面结构示意图，图1B为俯视结构示意图。此实施例提供的封装结构10套用于一般不具有凹杯结构且使用正装打线芯片的LED。如图1A与图1B所示，基材1包含不导电的承载板11与电极12，其中电极12固定于承载板11上并且电性导通承载板11上下两侧，本实施例中以电极12穿通承载板11为例说明，其中本实施例的承载板11使用陶瓷材料。之后将紫外光发光二极管的芯片2固定于基材1上，并且芯片2的一电极利用金属导线3与电极12电连接，芯片2的另一电极则与电极12直接接触以电连接，其中电极12的覆盖范围可以依需求做调整，此实施例中，电极12覆盖大部分的承载板11。之后形成附着层4于基材1上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种紫外光发光二极管的封装结构，包含：基材，具有电极；芯片，设置于该基材上，并电连接该电极；透明保护罩，覆盖该基材与该芯片；附着层，设置于该基材与该透明保护罩之间；以及光反射层，设置于该透明保护罩与该附着层之间，其中该透明保护罩通过该光反射层与该附着层固定于该基材上。

【技术特征摘要】
2016.05.23 TW 1051160041.一种紫外光发光二极管的封装结构，包含：基材，具有电极；芯片，设置于该基材上，并电连接该电极；透明保护罩，覆盖该基材与该芯片；附着层，设置于该基材与该透明保护罩之间；以及光反射层，设置于该透明保护罩与该附着层之间，其中该透明保护罩通过该光反射层与该附着层固定于该基材上。2.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装结构，其中该光反射层接触该透明保护罩。3.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装结构，其中该光反射层的材料为金属。4.如权利要求3所述的紫外光发光二极管的封装结构，其中该附着层的材料为金属，且该光反射层与该附着层共晶结合。5.如权利要求3所述的紫外光发光二极管的封装结构，其中该附着层的材料为高分子树脂，且该光反射层与该附着层粘合。6.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装结构，其中该透明保护罩具有第一凹槽，对应该芯片，使该芯片置于该第一凹槽中。7.如权利要求6所述的紫外光发光二极管的封装结构，其中该透明保护罩具有靠近该基材的一表面，并且位于该第一凹槽内的部分该表面与该基材分离。8.如权利要求1所述的紫外光发光二极管的封装结构，其中该基材还包含：凹杯结构，环绕该芯片。9.如权利要求8所述的紫外光发光二极管的封装结构，其中该基材还包含承载板，该电极固定于该承载板上，并穿通该承载板以电性导通该承载板的两侧；以及该凹杯结构接触该电极且与该承载板分离。10.如权利要求8所述的紫外光发光二极管的封装结构，其中该透明保护罩具有第二凹槽，并且该第二凹槽对应于该凹杯结构与该芯片，使该凹杯结构与该芯片置于该第二凹槽中。11.如权利要求8所述的紫外光发光二极管的封装结构，其中该透明保护罩具有靠近该基材的一表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴上义，谢新贤，
申请(专利权)人：联京光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71