光电封装体制造技术

本实用新型专利技术公开一种光电封装体，包括线路基板、光电芯片、反光材料、光学元件以及粘合胶。线路基板具有承载平面。光电芯片装设于承载平面上，并电连接线路基板。光电芯片具有上表面、位于上表面的功能区以及连接上表面的侧面。反光材料配置于承载平面，并围绕光电芯片。反光材料覆盖侧面，并具有倾斜面。倾斜面围绕上表面，并从上表面的边缘延伸。反光材料于倾斜面的高度从光电芯片朝向远离光电芯片的方向而递减。粘合胶覆盖反光材料以及光电芯片的上表面，并连接于光电芯片与光学元件之间。

【技术实现步骤摘要】
光电封装体
本技术涉及一种光电封装体，且特别是涉及一种具有反光材料(reflectivematerial)的光电封装体。
技术介绍
目前很多发光二极管封装体(LightingEmittingDiodePackage，LEDPackage)的内部会设计出空腔(cavity)来供管芯(die)装设，其中空腔是由线路基板、形状为框形的模封材料(moldingcompound)以及二次光学元件所形成。模封材料围绕管芯，并位于二次光学元件与载板之间，其中模封材料不接触管芯，即模封材料与管芯之间存有间隔空间(space)，而二次光学元件覆盖并粘着于模封材料。上述间隔空间会使模封材料与二次光学元件之间形成框形的重叠区域，其面积有限，易造成模封材料与二次光学元件之间的粘合强度不足，导致信赖度(reliability)变差。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种光电封装体，其具有较佳的信赖度。为达上述目的，本技术所提供的光电封装体包括线路基板、光电芯片、反光材料、光学元件以及粘合胶。线路基板具有承载平面。光电芯片装设于承载平面上，并电连接线路基板，其中光电芯片具有上表面、位于上表面的功能区以及连接上表面的侧面。反光材料配置于承载平面，并围绕光电芯片，其中反光材料覆盖光电芯片的侧面，并具有倾斜面。倾斜面围绕光电芯片的上表面，并从上表面的边缘延伸，而反光材料于倾斜面的高度从光电芯片朝向远离光电芯片的方向而递减。粘合胶覆盖反光材料以及光电芯片的上表面，并且连接于光电芯片与光学元件之间。在本技术的一实施例中，上述光电芯片为发光芯片或光感测芯片。在本技术的一实施例中，上述线路基板包括位于承载平面的金属图案层，而光电芯片电连接金属图案层。在本技术的一实施例中，上述金属图案层包括配置层。光电芯片与反光材料都位于配置层上，而配置层凸出于光电芯片的侧面。反光材料沿着配置层而延伸。在本技术的一实施例中，上述反光材料包括硅胶与多颗反光粒子。在本技术的一实施例中，上述粘合胶包括多颗散射粒子。在本技术的一实施例中，上述光电封装体还包括至少一条键合导线。至少一键合导线电连接光电芯片与线路基板。在本技术的一实施例中，上述反光材料与粘合胶包覆至少一键合导线。在本技术的一实施例中，上述光电芯片以倒装方式装设于承载平面上。在本技术的一实施例中，上述反光材料还具有平坦面。平坦面从倾斜面延伸，并围绕倾斜面。基于上述，本技术的优点在于，由于反光材料覆盖光电芯片的侧面，且连接光电芯片与光学元件的粘合胶会覆盖反光材料与光电芯片的上表面与功能区。因此，反光材料与光电芯片之间不会出现间隔空间，以使粘合层能连续(continuously)且完全地(totally)分布在反光材料与光电芯片两者与光学元件之间，从而强化反光材料与光电芯片两者与光学元件之间的粘合强度。为让本技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。附图说明图1是本技术一实施例的光电封装体的剖面示意图；图2是本技术另一实施例的光电封装体的剖面示意图。符号说明：100、200：光电封装体102：键合导线110、210：光电芯片112、212：上表面112f、212f：功能区114：侧面120、220：线路基板121：绝缘层121a、221a：承载平面121b：背面122、123、222：金属图案层122m、222m：配置层124：导电柱130：反光材料131：硅胶132：反光粒子133：倾斜面134：平坦面140、240：光学元件150：粘合胶151：透明介质152：散射粒子202：连接凸块T34a、T34b：高度具体实施方式图1是本技术一实施例的光电封装体的剖面示意图。请参阅图1，光电封装体100包括光电芯片110与线路基板120，其中光电芯片110装设于线路基板120，并电连接线路基板120，而线路基板120为线路板(wiringboard)，其例如是双面线路板(doublesidedwiringboard)、单面线路板(singlesidedwiringboard)或多层线路板(multilayerwiringboard)。因此，线路基板120包括至少一层金属图案层122。以图1为例，线路基板120为一种双面线路板。线路基板120具有承载平面121a与背面121b，并且包括两层金属图案层122与123，其中承载平面121a相对于背面121b，而两金属图案层122与123分别位于承载平面121a与背面121b。线路基板120还包括绝缘层121与至少一根导电柱124，其中绝缘层121具有承载平面121a与背面121b，而导电柱124位于绝缘层121中，并连接金属图案层122与123，以使金属图案层122与123能经由导电柱124而彼此电导通。此外，需说明的是，图1所示的线路基板120为双面线路板，但在其他实施例中，线路基板120也可以是单面线路板或多层线路板，所以图1所示的线路基板120仅为举例说明，并不限定线路基板120一定是双面线路板。光电芯片110装设于承载平面121a上，并电连接金属图案层122，以使光电芯片110电连接线路基板120。以图1为例，光电芯片110是采用打线方式(wire-bonding)装设于承载平面121a上。详细而言，光电封装体100还包括至少一条键合导线102(图1绘示两条)，而键合导线102电连接光电芯片110与线路基板120，其中金属图案层122包括多条走线(trace)与多个接垫(pad)，而键合导线102连接金属图案层122的接垫。如此，利用键合导线102，光电芯片110能电连接金属图案层122。此外，需说明的是，在图1实施例中，光电封装体100所包括的键合导线102的数量为两条，但在其他实施例中，光电封装体100可以只包括一条键合导线102。所以，图1所示的键合导线102仅为举例说明，并不限定光电封装体100中的键合导线102的数量。光电芯片110可为已经过封装(packaged)的封装体或是尚未封装的管芯。此外，光电芯片110可以是发光芯片或光感测芯片，其中发光芯片例如是发光二极管管芯(LEDdie)、发光二极管封装体或激光二极管管芯(LaserDiodeDie，LDDie)，而光感测芯片例如是感光耦合元件(Charge-coupledDevice，CCD)或互补式金属氧化物半导体影像感测元件(ComplementaryMetal-Oxide-SemiconductorImageSensor，CMOSImageSensor)。光电芯片110具有上表面112以及位于上表面112的功能区112f。当光电芯片110为发光芯片时，功能区112f为光电芯片110的出光面(light-emittingsurface)，即光电芯片110在通电之后，会从功能区112f发出光线。当光电芯片110为光感测芯片时，功能区112f为光电芯片110的光接收面(light-receiveingsurface)，即光电芯片110能从功能区112f接收光线，并将此光线转换成电信号。由于功能区112f位于上表面112，因此不论光电芯片110是发光芯片或光感测芯片，光电芯片110都是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电封装体，其特征在于，该光电封装体包括：线路基板，具有承载平面：光电芯片，装设于该承载平面上，并电连接该线路基板，其中该光电芯片具有上表面、位于该上表面的功能区以及连接该上表面的侧面；反光材料，配置于该承载平面，并围绕该光电芯片，其中该反光材料覆盖该光电芯片的该侧面，并具有一倾斜面，该倾斜面围绕该光电芯片的该上表面，并从该上表面的边缘延伸，而该反光材料于该倾斜面的高度从该光电芯片朝向远离该光电芯片的方向而递减；光学元件；以及黏合胶，覆盖该反光材料以及该光电芯片的该上表面，并且连接于该光电芯片与该光学元件之间。

【技术特征摘要】
2018.03.16 TW 1071090561.一种光电封装体，其特征在于，该光电封装体包括：线路基板，具有承载平面：光电芯片，装设于该承载平面上，并电连接该线路基板，其中该光电芯片具有上表面、位于该上表面的功能区以及连接该上表面的侧面；反光材料，配置于该承载平面，并围绕该光电芯片，其中该反光材料覆盖该光电芯片的该侧面，并具有一倾斜面，该倾斜面围绕该光电芯片的该上表面，并从该上表面的边缘延伸，而该反光材料于该倾斜面的高度从该光电芯片朝向远离该光电芯片的方向而递减；光学元件；以及黏合胶，覆盖该反光材料以及该光电芯片的该上表面，并且连接于该光电芯片与该光学元件之间。2.如权利要求1所述的光电封装体，其特征在于，该光电芯片为发光芯片或光感测芯片。3.如权利要求1所述的光电封装体，其特征在于，该线路基板包括位于该承载平面的金属图...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴上义，谢新贤，
申请(专利权)人：联京光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71