The present invention relates to polysilicon purification technology field, especially the purification method of polysilicon, which comprises the following steps, trichlorosilane synthesis, through silicon powder and hydrogen chloride synthesis of trichlorosilane; purification of trichlorosilane, first before a crude distillation of trichlorosilane and then, after a distillation; polysilicon purification, using hydrogen as the reduction has been purified to high purity trichlorosilane. Using the above formula, the invention of the polysilicon purifying method effectively removes impurities in polysilicon, the polysilicon high purity polysilicon; on the other hand the purification can fully meet the demand for solar cells; purification of waste can be recycled, do not damage the environment.
【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅料提纯方法
本专利技术涉及多晶硅料提纯
，特别是一种多晶硅料提纯方法。
技术介绍
多晶硅是太阳能电池生产的重要原材料，要求其纯度在5-6N数量级。物理法提纯多晶硅，投资少，见效快，对环境友好，是一种由前途的多晶硅提纯技术。物理法提纯多晶硅包括酸洗法、合金法、真空熔炼法、定向凝固法、造渣法和电解法等，其中酸洗法以其能量消耗少，提纯效率高、工艺简单，生产成本低廉而被逐渐推广使用。中国专利技术专利申请CN106587070A公开了一种多晶硅的提纯方法，包括以下步骤：A：将原料多晶硅研磨至粒度为36-260μm；B：将研磨后的而多晶硅在氩气保护下5℃/min的速度从室温煅烧至1050±5℃，保持0.5h；再以1℃/min速度继续加热至1250±50℃，保持0.5h，加热的同时不断抽气，然后将硅在冷水中快速淬火至室温，金属硅表面出现炸纹；C：将淬火后的多晶硅在酸洗液中酸洗。
技术实现思路
本专利技术需要解决的技术问题是提供一种可以降低硅片表面反射率的单晶硅制绒添加剂。为解决上述的技术问题，本专利技术的一种多晶硅料提纯方法，包括以下步骤，三氯氢硅的合成，通过硅粉与氯化氢合成三氯氢硅；三氯氢硅的提纯，先将三氯氢硅进行前一级粗馏，然后再进行后一级精馏；多晶硅料的提纯，用氢作为还原剂还原已被提纯到高纯度的三氯氢硅。进一步的，所述步骤三氯氢硅的合成中反应温度为70℃-75℃，氯化氢的含水量为0.3％-0.4％。进一步的，所述步骤多晶硅料的提纯具体为用氢作为还原剂还原已被提纯到高纯度的三氯氢硅，使高纯硅淀积在1130℃-1250℃的热载体上。更进一步的，所述热载体为...
【技术保护点】
一种多晶硅料提纯方法，其特征在于，包括以下步骤，三氯氢硅的合成，通过硅粉与氯化氢合成三氯氢硅；三氯氢硅的提纯，先将三氯氢硅进行前一级粗馏，然后再进行后一级精馏；多晶硅料的提纯，用氢作为还原剂还原已被提纯到高纯度的三氯氢硅。
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅料提纯方法，其特征在于，包括以下步骤，三氯氢硅的合成，通过硅粉与氯化氢合成三氯氢硅；三氯氢硅的提纯，先将三氯氢硅进行前一级粗馏，然后再进行后一级精馏；多晶硅料的提纯，用氢作为还原剂还原已被提纯到高纯度的三氯氢硅。2.按照权利要求1所述的一种多晶硅料提纯方法，其特征在于：所述步骤三氯氢硅的合成中反应温度为70℃-75℃，氯化氢的含水量为0.3％-0.4％。3.按照权利要求1所...
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