多晶硅片生产工艺制造技术

本发明专利技术涉及多晶硅片生产工艺技术领域，特别是一种多晶硅片生产工艺，包括以下步骤，(1)选料，选择纯度好的工业硅；(2)硅锭凝固，将选好的工业硅进行水平区熔单向凝固成硅锭；(3)去除杂质，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分；(4)硅锭二次凝固，进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭；(5)二次去杂，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分；(6)多晶硅生成，在电子束溶解炉中去除磷和碳杂质，生成多晶硅；(7)切片，将生产的多晶硅切片形成多晶硅片。采用上述工艺后，本发明专利技术极大的去除了多晶硅中的杂质；另外，在去除硼杂质的过程中逐步升温，有效提升了去除硼杂质的效果。

Process for producing polycrystalline silicon wafer

The present invention relates to a polysilicon production technology field, especially a process for the production of polysilicon, which includes the following steps: (1) the choice of materials, industrial silicon purity; (2) silicon ingot solidification, the industrial silicon selected horizontal zone melting unidirectional solidification into ingots; (3) the removal of impurities removal the metal impurities gathered and outer parts of silicon ingot; (4) the two silicon ingot solidification, second horizontal zone melting unidirectional solidification into ingots; (5) two times to second times the removal of impurities, and the appearance of part of the gathering area of metal impurities in molten silicon ingot; (6) poly generation the removal of phosphorus and carbon impurities in electron beam melting furnace to generate polysilicon; (7) section, the polysilicon chip production forming polysilicon film. By adopting the process, the invention greatly removes impurities in polysilicon, and gradually heats up in the process of removing boron impurities, thereby effectively improving the effect of removing boron impurities.

【技术实现步骤摘要】
多晶硅片生产工艺
本专利技术涉及多晶硅片生产工艺
，特别是一种多晶硅片生产工艺。
技术介绍
多晶硅是制造半导体器件和太阳能电池等产品的主要原材料，还可以用于制备单晶硅，其深加工产品被广泛用于半导体工业中，作为人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等器件的基础材料。同时，由于能源危机和低碳经济的呼吁，全球正在积极开发利用可再生能源。太阳能由于其情节、安全、资源丰富，在可再生能源中最引人关注。利用太阳能的一种方法是通过光电效应将太阳能转化为电能。硅太阳能电池是最普遍采用的基于光电压效应的装置。此外，由于半导体工业和太阳能电池的发展，对高纯度多晶硅的需求正不断增加。中国专利技术专利CN102849740A公开了一种多晶硅的生产工艺，通过氢气在氯氢化和还原两工序之间建立的大循环，可将还原产生的氢气作为氯氢化的补充气，因此使得运行成本得以下降。
技术实现思路
本专利技术需要解决的技术问题是提供一种纯净度好且效率高的多晶硅片生产工艺。为了解决上述技术问题，本专利技术的多晶硅片生产工艺，包括以下步骤，(1)选料，选择纯度好的工业硅；(2)硅锭凝固，将选好的工业硅进行水平区熔单向凝固成硅锭；(3)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅片生产工艺，其特征在于，包括以下步骤，(1)选料，选择纯度好的工业硅；(2)硅锭凝固，将选好的工业硅进行水平区熔单向凝固成硅锭；(3)去除杂质，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分；(4)硅锭二次凝固，进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭；(5)二次去杂，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分；(6)多晶硅生成，在电子束溶解炉中去除磷和碳杂质，生成多晶硅；(7)切片，将生产的多晶硅切片形成多晶硅片。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅片生产工艺，其特征在于，包括以下步骤，(1)选料，选择纯度好的工业硅；(2)硅锭凝固，将选好的工业硅进行水平区熔单向凝固成硅锭；(3)去除杂质，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分；(4)硅锭二次凝固，进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭；(5)二次去杂，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分；(6)多晶硅生成，在电子束溶解炉中去除磷和碳杂质，生成多晶硅；(7)切片，将生产的多晶硅切片形成多晶硅片。2.按照权利要求1所述的多晶硅片生产工艺，其特征在于：所述步骤(3)中去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎和清洗，在高频感应炉中去除硼杂质。3.按照权利要求2所述的多晶硅片生产工艺，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张兆民，
申请(专利权)人：张兆民，
类型：发明
国别省市：江苏,32