大功率晶体管测试夹具制造技术

本实用新型专利技术公开了一种大功率晶体管测试夹具，属于大功率晶体管领域，包括第一电路板载块、第二电路板载块和芯片载块，第一电路板载块上表面设置有第一电路板，第一电路板包括第一微带线，第一微带线连接有第一同轴/微带转换器；第二电路板载块上表面设置有第二电路板，第二电路板包括第二微带线，第二微带线连接有第二同轴/微带转换器；芯片载块位于第一电路板载块和第二电路板载块之间；芯片载块上方设置有用于将大功率晶体管的引脚压接在第一微带线和第二微带线上的压紧装置。本实用新型专利技术可以兼容不同封装尺寸的待测件，拆装灵活；能够得到待测件真实的性能；不会损坏晶体管和夹具；结构简单，灵活，利于推广。

【技术实现步骤摘要】
大功率晶体管测试夹具
本技术涉及大功率晶体管领域，特别是指一种大功率晶体管测试夹具。
技术介绍
射频功率放大器广泛的应用于各类信号发射机上，大功率晶体管是功率放大器的核心部件，其特性直接关系到发射机系统的性能。现有的大功率晶体管测试夹具，只能测试特定封装尺寸的大功率晶体管；并且现有的测试夹具的测试结果是包含测试夹具电路影响的原始数据，不能得到待测晶体管的真实性能；另外现有技术的测试夹具在测试时将晶体管焊接在夹具上，芯片测试完毕后不易拆卸，并且容易损坏芯片。
技术实现思路
本技术提供一种大功率晶体管测试夹具，本技术可以兼容不同封装尺寸的待测件，拆装灵活；能够得到待测件真实的性能；不会损坏晶体管和夹具；结构简单，灵活，利于推广。为解决上述技术问题，本技术提供技术方案如下：本技术提供一种大功率晶体管测试夹具，包括第一电路板载块、第二电路板载块和芯片载块，其中：所述第一电路板载块上表面设置有第一电路板，所述第一电路板包括第一微带线，所述第一微带线连接有第一同轴/微带转换器；所述第二电路板载块上表面设置有第二电路板，所述第二电路板包括第二微带线，所述第二微带线连接有第二同轴/微带转换器；所述芯片载块上表面用于放置大功率晶体管，并且所述芯片载块位于所述第一电路板载块和第二电路板载块之间；所述芯片载块上方设置有用于将大功率晶体管的引脚压接在所述第一微带线和第二微带线上的压紧装置。进一步的，所述大功率晶体管测试夹具还包括底座，所述底座包括底座支撑板和设置在所述底座支撑板下表面的底座支撑脚，所述第一电路板载块、第二电路板载块和芯片载块设置在所述底座支撑板上表面。进一步的，所述底座支撑板上开设有电路板载块滑槽，所述第一电路板载块和/或第二电路板载块下表面设置有滑柱，所述滑柱伸在所述电路板载块滑槽内。进一步的，所述底座支撑板上设置有用于调节所述芯片载块高度的高度调节螺钉。进一步的，所述压紧装置包括压紧装置支撑板，所述压紧装置支撑板上设置有压紧螺钉或压块，所述压紧螺钉或压块材质为绝缘材质。进一步的，所述压紧装置支撑板通过压紧装置支撑脚与所述底座支撑板连接，所述底座支撑板上开设有压紧装置滑槽，所述压紧装置支撑脚伸在所述压紧装置滑槽内。进一步的，所述压紧装置支撑板通过压紧装置支撑脚与所述第一电路板载块和第二电路板载块连接，所述压紧装置支撑板上开设有压紧装置滑槽，所述压紧装置支撑脚伸在所述压紧装置滑槽内。进一步的，所述第一电路板载块上设置有第一电源线固定板，所述第二电路板载块上设置有第二电源线固定板，所述第一同轴/微带转换器设置在第一接头固定板上，所述第二同轴/微带转换器设置在第二接头固定板上。进一步的，所述第一电路板载块、第二电路板载块和芯片载块内设置有水冷通道。进一步的，所述第一微带线和第二微带线为Klopfenstein渐变微带线或基于1/4波长阻抗变换的微带线。本技术具有以下有益效果：本技术的大功率晶体管测试夹具结构采用可拆装形式，针对同类电气特性的不同尺寸的器件无需重新设计夹具，只需要按照器件尺寸更换中间的芯片载块，从装置结构上减少了夹具设计的重复工作，降低了重新设计及再投版的费用，通过不同尺寸的芯片载块和灵活分离式机械设计来兼容不同封装尺寸的待测件，拆装灵活；并且本技术的分离式机械设计能够通过TRL校准方式对测试夹具进行去嵌入处理，得到待测件真实的性能；然后本技术的压紧装置能够使得大功率晶体管的引脚分别与第一微带线和第二微带线电接触良好，不用焊接，方便拆除晶体管，不会损坏晶体管和夹具；最后本技术装置结构简单，灵活，利于推广。附图说明图1为本技术的大功率晶体管测试夹具第一个实施例的示意图(去除压紧装置)；图2为本技术的大功率晶体管测试夹具第一个实施例的示意图；图3为本技术中的压紧装置第一个实施例的示意图；图4为本技术中的压紧装置另一个实施例的示意图；图5为本技术的大功率晶体管测试夹具第一个实施例的直通校准示意图；图6为本技术的大功率晶体管测试夹具第一个实施例的反射校准示意图；图7为本技术的大功率晶体管测试夹具第一个实施例的传输线校准示意图；图8为本技术的大功率晶体管测试夹具第一个实施例的测试示意图；图9为本技术的大功率晶体管测试夹具另一个实施例的示意图；图10为本技术的大功率晶体管测试夹具另一个实施例的俯视图；图11为本技术的大功率晶体管测试夹具另一个实施例的直通校准示意图；图12为本技术的大功率晶体管测试夹具另一个实施例的反射校准示意图；图13为本技术的大功率晶体管测试夹具另一个实施例的传输线校准示意图。具体实施方式为使本技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本技术提供一种大功率晶体管测试夹具，如图1-4、9、10所示，包括第一电路板载块1、第二电路板载块2和芯片载块3，其中：第一电路板载块1上表面设置有第一电路板4，第一电路板4包括第一微带线5，第一微带线5连接有第一同轴/微带转换器6。第二电路板载块2上表面设置有第二电路板7，第二电路板7包括第二微带线8，第二微带线8连接有第二同轴/微带转换器9。根据使用频率的不同，第一同轴/微带转换器和第二同轴/微带转换器可以是N型，SMA，2.92mm，2.4mm等射频转接器。射频信号通过第一(或第二)同轴/微带转换器馈入到第一(或第二)电路板上，电路板上的第一微带线和第二微带线可以是固定50欧姆阻抗的微带线，或者是各种形式的阻抗变换线。例如图1、2、5-8为Klopfenstein渐变微带线，图9-13为基于1/4波长阻抗变换的微带线。芯片载块3上表面用于放置大功率晶体管10，并且芯片载块3位于第一电路板载块1和第二电路板载块2之间。芯片载块3上方设置有用于将大功率晶体管10的引脚压接在第一微带线5和第二微带线8上的压紧装置11。本技术的使用方法如下：步骤1：将第一电路板载块和第二电路板载块分开一段距离，使得第一微带线和第二微带线开路。本步骤为反射校准，如图5、11所示。如图6、12所示。步骤2：进行测试，得到反射校准数据；测试时，将第一同轴/微带转换器和第二同轴/微带转换器连接测试设备，接通第一电路板和第二电路板的电源，开始测试。步骤3：将第一电路板载块和第二电路板载块直接接触，并使用铜皮将第一微带线和第二微带线直接连接。本步骤为直通校准，如图5、11所示。步骤4：进行测试，得到直通校准数据；测试时，将第一同轴/微带转换器和第二同轴/微带转换器连接测试设备，接通第一电路板和第二电路板的电源，开始测试。步骤5：将芯片载块放置在第一电路板载块和第二电路板载块之间，并使用传输线和铜皮将第一微带线和第二微带线连接；根据使用频率，在夹具中插入不同长度的传输线和不同的芯片载块，用铜皮将三个部分连接起来进行测试。测试时通过拉紧螺杆让夹具的输入底座、输出底座、芯片载块紧密连接。本步骤为传输线校准，如图5、11所示。如图7、13所示。步骤6：进行测试，得到传输线校准数据；测试时，将第一同轴/微带转换器和第二同轴/微带转换器连接测试设备，接通第一电路板和第二电路板的电源，开始测试。通过上述步骤得到的测试数据进行计算，就能够得到测试本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率晶体管测试夹具，其特征在于，包括第一电路板载块、第二电路板载块和芯片载块，其中：所述第一电路板载块上表面设置有第一电路板，所述第一电路板包括第一微带线，所述第一微带线连接有第一同轴/微带转换器；所述第二电路板载块上表面设置有第二电路板，所述第二电路板包括第二微带线，所述第二微带线连接有第二同轴/微带转换器；所述芯片载块上表面用于放置大功率晶体管，并且所述芯片载块位于所述第一电路板载块和第二电路板载块之间；所述芯片载块上方设置有用于将大功率晶体管的引脚压接在所述第一微带线和第二微带线上的压紧装置。

【技术特征摘要】
1.一种大功率晶体管测试夹具，其特征在于，包括第一电路板载块、第二电路板载块和芯片载块，其中：所述第一电路板载块上表面设置有第一电路板，所述第一电路板包括第一微带线，所述第一微带线连接有第一同轴/微带转换器；所述第二电路板载块上表面设置有第二电路板，所述第二电路板包括第二微带线，所述第二微带线连接有第二同轴/微带转换器；所述芯片载块上表面用于放置大功率晶体管，并且所述芯片载块位于所述第一电路板载块和第二电路板载块之间；所述芯片载块上方设置有用于将大功率晶体管的引脚压接在所述第一微带线和第二微带线上的压紧装置。2.根据权利要求1所述的大功率晶体管测试夹具，其特征在于，所述大功率晶体管测试夹具还包括底座，所述底座包括底座支撑板和设置在所述底座支撑板下表面的底座支撑脚，所述第一电路板载块、第二电路板载块和芯片载块设置在所述底座支撑板上表面。3.根据权利要求2所述的大功率晶体管测试夹具，其特征在于，所述底座支撑板上开设有电路板载块滑槽，所述第一电路板载块和/或第二电路板载块下表面设置有滑柱，所述滑柱伸在所述电路板载块滑槽内。4.根据权利要求2所述的大功率晶体管测试夹具，其特征在于，所述底座支撑板上设置有用于调节所述芯片载块高度的高度调节螺钉。5.根据权利要求2-4任一所述的大功率...

【专利技术属性】
技术研发人员：王文娟，阚劲松，沙长涛，王酣，王耀国，王晓童，张继平，
申请(专利权)人：中国电子技术标准化研究院，北京赛西科技发展有限责任公司，
类型：新型
国别省市：北京,11