一种化学机械研磨剂、单分散纳米氧化硅微球的制备方法技术

本申请实施例提供了一种化学机械研磨剂，其由下列物质按重量百分比配制而成：单分散纳米氧化硅微球磨料0.01‑30％，氧化剂0.01‑20％，稳定剂0.1‑30％，余量为水。在该化学机械研磨剂中，其磨料为单分散纳米氧化硅微球，该单分散纳米氧化硅微球的形状为规则的圆球形，因此其表面光滑，不存在棱角，所以，在利用该化学机械研磨剂对半导体芯片研磨时，其中的磨料不会划伤芯片表面，给芯片表面带来缺陷，因此，该化学机械研磨剂能够限制降低化学机械研磨过程中芯片表面的划伤缺陷，提高抛光质量，具有很好的经济效益。此外，本申请实施例还提供了一种单分散纳米氧化硅微球的制备方法。

A preparation method of chemical mechanical abrasives and monodisperse nano silicon oxide microspheres

The embodiment of the invention provides a chemical mechanical polishing agent, which is composed of the following materials by weight percentage: prepared monodisperse nano silica microspheres 0.01 abrasive 30%, oxidation agent 0.01 20%, stabilizer 0.1 30%, the balance of water. In the chemical mechanical polishing agent, the abrasive for monodisperse nano silica microspheres, the monodisperse nano silica microspheres were spherical shape rules, so the surface is smooth, no edges, so, in the chemical mechanical polishing agent for semiconductor chip grinding, the abrasive will not scratch the surface of the chip to the surface of the chip, so the defects brought, chemical mechanical polishing agent can reduce the limitation of scratch defect chip chemical mechanical polishing process surface, improving the polishing quality, has good economic benefits. In addition, the application example also provides a preparation method of monodisperse nano silicon oxide microspheres.

【技术实现步骤摘要】
一种化学机械研磨剂、单分散纳米氧化硅微球的制备方法
本申请涉及化学机械研磨
，尤其涉及一种化学机械研磨剂以及单分散纳米氧化硅微球的制备方法。
技术介绍
随着芯片集成度提高，芯片中线宽不断减小，半导体硅片表面的平坦化质量要求越来越高。半导体芯片制造中应用最广泛的全面平坦化技术为化学机械研磨工艺(chemicalmechanicalpolish，CMP)，其利用化学反应和机械研磨将芯片表面高低起伏的轮廓进行全面平坦化。该技术在铝合金、铜、钨、氧化硅及硅层平坦化中被广泛应用。化学机械研磨过程中研磨剂与研磨层发生化学反应和机械摩擦，从而达到除去研磨层的目的。研磨剂中磨料的物化性质是影响表面粗糙度和表面缺陷的关键因素。为了改善研磨剂的研磨效果，国内外学者针对磨料做了大量的研究工作。例如，欧洲专利EP1541653A1公开的研磨剂以5-50wt.％胶体氧化硅为磨料，0.001-2.0wt.％的有机物作为稳定剂，其可以显著改善化学机械研磨的抛光质量。中国专利CN104059607A《一种硅芯片研磨剂》公开以空心玻璃微球为磨料，与三乙胺、低密度聚乙烯等添加剂组成研磨剂，该研磨剂具有低的芯片表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单分散纳米氧化硅微球的制备方法，其特征在于，包括：将氨水、乙醇和水按照第一体积比例混合配置成第一溶液；将正硅酸乙酯和乙醇按第二体积比例混合配置成第二溶液；在搅拌条件下，将第二溶液逐渐加入到第一溶液中，在室温下至少反应2小时，得到的反应产物为单分散纳米氧化硅微球。

【技术特征摘要】
1.一种单分散纳米氧化硅微球的制备方法，其特征在于，包括：将氨水、乙醇和水按照第一体积比例混合配置成第一溶液；将正硅酸乙酯和乙醇按第二体积比例混合配置成第二溶液；在搅拌条件下，将第二溶液逐渐加入到第一溶液中，在室温下至少反应2小时，得到的反应产物为单分散纳米氧化硅微球。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一体积比例为1.0-10:15-20:29-34。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二体积比例为4-5:45-46。4.一种化学机械研磨剂，其特征在于，由下列物质按重量百分比配制而成：单分散纳米氧化硅微球磨料0.01-30％，氧化剂0.01-20％，稳定剂0.1-30％，余量为水，所述单分散纳米氧化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨鹏，许宗柯，张磊，周文斌，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42