用于抛光半导体晶片的CMP浆料及使用该浆料的方法技术

本发明专利技术公开了一种ＣＭＰ浆料，其中将重均分子量为３０～５００且含有羟基（ＯＨ）、羧基（ＣＯＯＨ）或其两者的化合物加入到包含磨粒和水且具有第一粘度的ＣＭＰ浆料中，以便控制ＣＭＰ浆料具有比第一粘度低５～３０％的第二粘度。本发明专利技术还公开了一种使用该ＣＭＰ浆料抛光半导体晶片的方法。根据本发明专利技术，ＣＭＰ浆料的磨粒的团聚粒度可被减小，同时ＣＭＰ浆料的粘度可降低并且抛光时晶片的整体平坦性可得到改善。因此，ＣＭＰ浆料可有利地用于制造需要精细图案的半导体器件的制造过程中，并且能够在半导体制造过程中通过使用该浆料而改善半导体器件的可靠性和生产。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种CMP浆料，且更具体而言，涉及一种可改善晶片内的不均匀性，从而可用于制造需要精细图案的半导体器件的工艺中的CMP浆料。
技术介绍
随着微电子器件持续具有较大的集成规模，用于制备这样的微电子器件的平坦化处理已经变得越来越重要。作为尽力获得超大规模集成微电子器件的一部分，多重互连技术和多层堆叠技术通常已经被用于半导体晶片。但是，在实施上述技术中的一种之后出现的非平坦化引起了许多问题。因此，平坦化处理被应用于微电子器件制备过程中的多个步骤中，从而使晶片表面的不规则性最小化。这些平坦化技术中的一种为CMP(化学机械抛光)。在CMP处理的过程中，将晶片表面压在相对于晶片表面旋转的抛光垫上，并在抛光处理过程中向抛光垫上加入被称为CMP浆料的化学试剂和研磨料，这样通过化学和物理作用实现了晶片表面的平坦化。浅沟槽隔离(STI)是应用CMP技术的一种实施方案。在STI技术中，形成了相对浅的沟槽，并且在晶片表面将这样的沟槽用于形成用来分隔有源区(active region)的场效应区(field region)。图1中显示了通常的STI过程。如图1所示，在半导体晶片上依次形成垫片二氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣＭＰ浆料，其中将重均分子量为３０～５００且含有羟基（ＯＨ）、羧基（ＣＯＯＨ）或其两者的化合物加入到包含磨粒和水且具有第一粘度的ＣＭＰ浆料中，以便控制所述ＣＭＰ浆料具有比第一粘度低５～３０％的第二粘度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2006-1-25 10-2006-00079951.一种CMP浆料，其中将重均分子量为30～500且含有羟基(OH)、羧基(COOH)或其两者的化合物加入到包含磨粒和水且具有第一粘度的CMP浆料中，以便控制所述CMP浆料具有比第一粘度低5～30％的第二粘度。2.根据权利要求1所述的CMP浆料，其中，所述第二粘度在1.1～1.9cPs的范围内。3.根据权利要求1所述的CMP浆料，当使用该CMP浆料抛光晶片时，该CMP浆料显示小于6.5％的晶片内的不均匀性(WIWNU)。4.根据权利要求1所述的CMP浆料，其中，所述重均分子量为30～500且含有羟基(OH)、羧基(COOH)或其两者的化合物为选自由以下化合物组成的组中的一种或多种：含有柠檬酸的化合物、含有葡萄糖酸的化合物、含有苹果酸的化合物、含有酒石酸的化合物、含有2-羟基异丁酸的化合物、含有己二酸的化合物、含有辛酸的化合物、含有琥珀酸的化合物、含有乙二胺四乙酸(EDTA)的化合物、含有戊二酸的化合物、含有亚甲基丁二酸的化合物、甘露糖、甘油-半乳-庚糖、赤型-甘露-辛糖、阿拉伯-半乳-壬糖和谷氨酰胺。5.根据权利要求1所述的CMP浆料，其中，基于100重量份的CMP浆料，所述重均分子量为30～500且含有羟基(OH)、羧基(COOH)或其两者的化合物的含量为0.1～30重量份。6.根据权利要求1所述的CMP浆...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹升范，金种珌，鲁埈硕，吴明焕，金长烈，
申请(专利权)人：LG化学株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]