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用于抛光半导体晶片的CMP浆料及使用该浆料的方法技术
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下载用于抛光半导体晶片的CMP浆料及使用该浆料的方法的技术资料
文档序号:1657698
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本发明公开了一种CMP浆料,其中将重均分子量为30~500且含有羟基(OH)、羧基(COOH)或其两者的化合物加入到包含磨粒和水且具有第一粘度的CMP浆料中,以便控制CMP浆料具有比第一粘度低5~30%的第二粘度。本发明还公开了一种使用该C...
该专利属于LG化学株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过LG化学株式会社授权不得商用。
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