一种液氮冷却磁控溅射真空电子束蒸镀装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种液氮冷却磁控溅射真空电子束蒸镀装置，该装置包括冷却聚集室和沉积室，冷却聚集室和沉积室之间由带有通孔的隔板隔开；沉积室内设置有基片；冷却聚集室内设置有聚集区，聚集区的一侧设置有出口；聚集区内设置有磁控管和靶；冷却聚集室的外部设置有液氮冷源、氦气源、氩气源、氢气源、第一真空泵和第二真空泵，其中液氮冷源与聚集区连通；氦气源通过第一流量控制阀与聚集区连通；氩气源通过第二流量控制阀与聚集区连通；氢气源通过第三流量控制阀与聚集区连通；第一真空泵与冷却聚集室连通；第二真空泵与沉积室连通。

Liquid nitrogen cooling magnetron sputtering vacuum electron beam evaporation device

The utility model discloses a liquid nitrogen cooled magnetron sputtering vacuum electron beam evaporation device, the device comprises a cooling chamber and aggregation deposition chamber, cooling chamber and aggregation deposition chamber separated by a plate with a through hole; the deposition chamber is provided with a substrate; cooling gathering chamber is provided with a gathering area, side areas set export; gathering area is arranged in the magnetron and target; external cooling chamber is provided with liquid nitrogen accumulation of cold source, helium gas, argon gas, hydrogen gas, the first vacuum pump and vacuum pump second, the cold source is communicated with the liquid nitrogen accumulation area; source helium through the first flow control valve and communicated with argon gas source area; through the second flow control valve and the gathering area is communicated; hydrogen source through third flow control valve and the gathering area is communicated; the first vacuum pump and the cooling chamber is communicated with a vacuum pump second together; and the deposition chamber.

【技术实现步骤摘要】
一种液氮冷却磁控溅射真空电子束蒸镀装置
本技术涉及磁控溅射
，尤其涉及一种液氮冷却磁控溅射真空电子束蒸镀装置。
技术介绍
现有技术中，磁控溅射真空电子束蒸镀装置在运行时，由于磁控溅射产生的粒子容易被氧化和带电，导致蒸镀效果不佳，无法满足本领域的生产需要。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种液氮冷却磁控溅射真空电子束蒸镀装置，所要解决的技术问题是如何避免磁控溅射产生的粒子被氧化和带电，提高蒸镀效果。本技术所述的液氮冷却磁控溅射真空电子束蒸镀装置包括冷却聚集室和沉积室，所述的冷却聚集室和沉积室之间由带有通孔的隔板隔开；所述沉积室内设置有基片；所述冷却聚集室内设置有聚集区，聚集区的一侧设置有出口；聚集区内设置有磁控管和靶；所述的冷却聚集室的外部设置有液氮冷源、氦气源、氩气源、氢气源、第一真空泵和第二真空泵，其中液氮冷源与聚集区连通；氦气源通过第一流量控制阀与聚集区连通；氩气源通过第二流量控制阀与聚集区连通；氢气源通过第三流量控制阀与聚集区连通；第一真空泵与冷却聚集室连通；第二真空泵与沉积室连通。所述的冷却聚集室和沉积室互相平行地设置，并且均沿着所述磁控管的轴线方向延伸。所述的靶设置在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液氮冷却磁控溅射真空电子束蒸镀装置，其特征在于，所述的液氮冷却磁控溅射真空电子束蒸镀装置包括冷却聚集室和沉积室，所述的冷却聚集室和沉积室之间由带有通孔的隔板隔开；所述沉积室内设置有基片；所述冷却聚集室内设置有聚集区，聚集区的一侧设置有出口；聚集区内设置有磁控管和靶；所述的冷却聚集室的外部设置有液氮冷源、氦气源、氩气源、氢气源、第一真空泵和第二真空泵，其中液氮冷源与聚集区连通；氦气源通过第一流量控制阀与聚集区连通；氩气源通过第二流量控制阀与聚集区连通；氢气源通过第三流量控制阀与聚集区连通；第一真空泵与冷却聚集室连通；第二真空泵与沉积室连通。

【技术特征摘要】
1.一种液氮冷却磁控溅射真空电子束蒸镀装置，其特征在于，所述的液氮冷却磁控溅射真空电子束蒸镀装置包括冷却聚集室和沉积室，所述的冷却聚集室和沉积室之间由带有通孔的隔板隔开；所述沉积室内设置有基片；所述冷却聚集室内设置有聚集区，聚集区的一侧设置有出口；聚集区内设置有磁控管和靶；所述的冷却聚集室的外部设置有液氮冷源、氦气源、氩气源、氢气源、第一真空泵和第二真空泵，其中液氮冷源与聚集区连通；氦气源通过第一流量控制阀与聚集区连通；氩气源通过第二流量控制阀与聚集区连通；氢气源通过第三流量控制阀与聚集区连通；第一真空泵...

【专利技术属性】
技术研发人员：田守文，
申请(专利权)人：天津市大阳光大新材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：天津,12