一种磁控溅射真空电子束蒸镀装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种磁控溅射真空电子束蒸镀装置，该装置包括真空室和电源，真空室内设置有基片、等离子屏、第一靶、第二靶和电极，等离子屏中设置有磁控溅射装置，第一靶、第二靶和电极被等离子屏包围在其中；电源包括单极直接电压脉冲产生装置和双极脉冲产生装置以及切换装置，单极直接电压脉冲产生装置和双极脉冲产生装置分别与切换装置连接，切换装置分别与第一靶、第二靶和电极连接。该磁控溅射真空电子束蒸镀装置沉积产生的膜即便是厚度超过2微米，膜中的机械张力仍然小于500mPa，不会对膜产生损坏作用，保证了成膜质量。

Magnetron sputtering vacuum electron beam evaporation device

The utility model discloses a magnetron sputtering vacuum electron beam evaporation device, the device comprises a vacuum chamber and a power supply, a substrate, plasma screen, the first target, target and second electrodes are arranged in vacuum chamber, a magnetron sputtering device is arranged in the first plasma screen, target, target and the second electrode is surrounded by the plasma screen power supply; direct voltage pulse generating device including unipolar and bipolar pulse generating device and a switching device, direct voltage pulse generator unipolar and bipolar pulse generating device are respectively connected with the switching device, the switching device is respectively connected with the first electrode and the second target, target. The magnetron sputtering vacuum electron beam evaporation deposition device produced film even thickness more than 2 micron, mechanical tension in the film is less than 500mPa, will not cause damage to the film, the film quality assurance.

【技术实现步骤摘要】
一种磁控溅射真空电子束蒸镀装置
本技术涉及磁控溅射
，尤其涉及一种磁控溅射真空电子束蒸镀装置。
技术介绍
现有技术中，磁控溅射真空电子束蒸镀装置在基片上沉积产生的膜只有厚度不超过2微米的时候，膜中的机械张力才不会对膜本身产生损坏。随着膜的厚度的增加，膜中的机械张力越来越大，并最终损坏沉积产生的膜，导致成膜质量变差，无法满足正常的生产需求。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种磁控溅射真空电子束蒸镀装置，所要解决的技术问题是如何在提高成膜厚度的情况下保证膜的质量，避免机械张力对膜产生损坏。本技术所述的磁控溅射真空电子束蒸镀装置包括真空室和电源，所述的真空室内设置有基片、等离子屏、第一靶、第二靶和电极，所述的等离子屏中设置有磁控溅射装置，所述的第一靶、第二靶和电极被所述的等离子屏包围在其中；所述的电源包括单极直接电压脉冲产生装置和双极脉冲产生装置以及切换装置，所述的单极直接电压脉冲产生装置和双极脉冲产生装置分别与切换装置连接，所述的切换装置分别与第一靶、第二靶和电极连接。所述的第一靶和第二靶中设置有铝材。所述的真空室的侧壁上设置有惰性气体入口。所述的惰性气体入口与氩气瓶、氪气瓶和或氙气瓶连接。本技术的技术方案具有如下优点：本技术所述的磁控溅射真空电子束蒸镀装置沉积产生的膜即便是厚度超过2微米，膜中的机械张力仍然小于500mPa，不会对膜产生损坏作用，保证了成膜质量。附图说明图1是本技术所述的磁控溅射真空电子束蒸镀装置的结构示意图。具体实施方式以下实施例用于说明本技术，但不用来限制本技术的范围。如图1所示，本技术所述的磁控溅射真空电子束蒸镀装置包括真空室1和电源8，所述的真空室1内设置有基片2、等离子屏3、第一靶4、第二靶5和电极6，所述的等离子屏3中设置有磁控溅射装置，所述的第一靶4、第二靶5和电极6被所述的等离子屏3包围在其中；所述的电源8包括单极直接电压脉冲产生装置9和双极脉冲产生装置10以及切换装置11，所述的单极直接电压脉冲产生装置9和双极脉冲产生装置10分别与切换装置11连接，所述的切换装置11分别与第一靶4、第二靶5和电极6连接。所述的第一靶4和第二靶5中设置有铝材。所述的真空室1的侧壁上设置有惰性气体入口7。所述的惰性气体入口7与氩气瓶、氪气瓶和或氙气瓶连接。本技术所述的磁控溅射真空电子束蒸镀装置在运行时，由切换装置11控制单极直接电压脉冲产生装置9和双极脉冲产生装置10交替工作。当单极直接电压脉冲产生装置9工作时，第一靶4和第二靶5都作为阴极与单极直接电压脉冲产生装置9接通，电极6作为阳极，由等离子屏3中的磁控溅射装置轰击第一靶4和第二靶5，从而在基片2上形成磁控溅射蒸镀膜。当双极脉冲产生装置10工作时，第一靶4和第二靶5交替作为阴极和阳极，即第一靶4为阴极时，第二靶5为阳极；第一靶4为阳极时，第二靶5为阴极，由等离子屏3中的磁控溅射装置轰击第一靶4和第二靶5，从而在基片2上形成磁控溅射蒸镀膜。在本技术所述的磁控溅射真空电子束蒸镀装置的运行过程中，通过惰性气体入口7送入惰性气体，保证真空室1中充满惰性气体，使整个磁控溅射蒸镀过程在惰性气体的气氛中进行。惰性气体可以是氩气、氪气和或氙气，以及其中任意两种或者三种的混合气体。通过单极直接电压脉冲产生装置9和双极脉冲产生装置10的交替工作，能够有效地减小本技术所述的磁控溅射真空电子束蒸镀装置沉积形成的膜中的机械张力，即使膜的厚度超过2微米，膜中的机械张力仍然小于500mPa，不会对膜产生损坏作用，保证了成膜质量。虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施例对本技术作了详尽的描述，但在本技术基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本技术精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本技术要求保护的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁控溅射真空电子束蒸镀装置，其特征在于，所述的磁控溅射真空电子束蒸镀装置包括真空室和电源，所述的真空室内设置有基片、等离子屏、第一靶、第二靶和电极，所述的等离子屏中设置有磁控溅射装置，所述的第一靶、第二靶和电极被所述的等离子屏包围在其中；所述的电源包括单极直接电压脉冲产生装置和双极脉冲产生装置以及切换装置，所述的单极直接电压脉冲产生装置和双极脉冲产生装置分别与切换装置连接，所述的切换装置分别与第一靶、第二靶和电极连接。

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射真空电子束蒸镀装置，其特征在于，所述的磁控溅射真空电子束蒸镀装置包括真空室和电源，所述的真空室内设置有基片、等离子屏、第一靶、第二靶和电极，所述的等离子屏中设置有磁控溅射装置，所述的第一靶、第二靶和电极被所述的等离子屏包围在其中；所述的电源包括单极直接电压脉冲产生装置和双极脉冲产生装置以及切换装置，所述的单极直接电压脉冲产生装置和双极脉冲产生装置分别与...

【专利技术属性】
技术研发人员：田守文，
申请(专利权)人：天津市大阳光大新材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：天津,12