一种磁控溅射真空电子束蒸镀装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种磁控溅射真空电子束蒸镀装置，该装置包括真空室和电源，真空室内设置有基片、等离子屏、第一靶、第二靶和电极，等离子屏中设置有磁控溅射装置，第一靶、第二靶和电极被等离子屏包围在其中；电源包括单极直接电压脉冲产生装置和双极脉冲产生装置以及切换装置，单极直接电压脉冲产生装置和双极脉冲产生装置分别与切换装置连接，切换装置分别与第一靶、第二靶和电极连接。该磁控溅射真空电子束蒸镀装置沉积产生的膜即便是厚度超过2微米，膜中的机械张力仍然小于500mPa，不会对膜产生损坏作用，保证了成膜质量。

Magnetron sputtering vacuum electron beam evaporation device

The utility model discloses a magnetron sputtering vacuum electron beam evaporation device, the device comprises a vacuum chamber and a power supply, a substrate, plasma screen, the first target, target and second electrodes are arranged in vacuum chamber, a magnetron sputtering device is arranged in the first plasma screen, target, target and the second electrode is surrounded by the plasma screen power supply; direct voltage pulse generating device including unipolar and bipolar pulse generating device and a switching device, direct voltage pulse generator unipolar and bipolar pulse generating device are respectively connected with the switching device, the switching device is respectively connected with the first electrode and the second target, target. The magnetron sputtering vacuum electron beam evaporation deposition device produced film even thickness more than 2 micron, mechanical tension in the film is less than 500mPa, will not cause damage to the film, the film quality assurance.

【技术实现步骤摘要】
一种磁控溅射真空电子束蒸镀装置
本技术涉及磁控溅射
，尤其涉及一种磁控溅射真空电子束蒸镀装置。
技术介绍
现有技术中，磁控溅射真空电子束蒸镀装置在基片上沉积产生的膜只有厚度不超过2微米的时候，膜中的机械张力才不会对膜本身产生损坏。随着膜的厚度的增加，膜中的机械张力越来越大，并最终损坏沉积产生的膜，导致成膜质量变差，无法满足正常的生产需求。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种磁控溅射真空电子束蒸镀装置，所要解决的技术问题是如何在提高成膜厚度的情况下保证膜的质量，避免机械张力对膜产生损坏。本技术所述的磁控溅射真空电子束蒸镀装置包括真空室和电源，所述的真空室内设置有基片、等离子屏、第一靶、第二靶和电极，所述的等离子屏中设置有磁控溅射装置，所述的第一靶、第二靶和电极被所述的等离子屏包围在其中；所述的电源包括单极直接电压脉冲产生装置和双极脉冲产生装置以及切换装置，所述的单极直接电压脉冲产生装置和双极脉冲产生装置分别与切换装置连接，所述的切换装置分别与第一靶、第二靶和电极连接。所述的第一靶和第二靶中设置有铝材。所述的真空室的侧壁上设置有惰性气体入口。所述的惰性气体入口与氩气瓶、氪气瓶和或氙本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁控溅射真空电子束蒸镀装置，其特征在于，所述的磁控溅射真空电子束蒸镀装置包括真空室和电源，所述的真空室内设置有基片、等离子屏、第一靶、第二靶和电极，所述的等离子屏中设置有磁控溅射装置，所述的第一靶、第二靶和电极被所述的等离子屏包围在其中；所述的电源包括单极直接电压脉冲产生装置和双极脉冲产生装置以及切换装置，所述的单极直接电压脉冲产生装置和双极脉冲产生装置分别与切换装置连接，所述的切换装置分别与第一靶、第二靶和电极连接。

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射真空电子束蒸镀装置，其特征在于，所述的磁控溅射真空电子束蒸镀装置包括真空室和电源，所述的真空室内设置有基片、等离子屏、第一靶、第二靶和电极，所述的等离子屏中设置有磁控溅射装置，所述的第一靶、第二靶和电极被所述的等离子屏包围在其中；所述的电源包括单极直接电压脉冲产生装置和双极脉冲产生装置以及切换装置，所述的单极直接电压脉冲产生装置和双极脉冲产生装置分别与...

【专利技术属性】
技术研发人员：田守文，
申请(专利权)人：天津市大阳光大新材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：天津,12