一种薄膜晶体管、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种薄膜晶体管、显示面板和显示装置，薄膜晶体管，包括：源极、漏极、栅极和有源层；有源层包括源极区、漏极区、沟道区和轻掺杂区，沟道区位于源极区、漏极区之间，源极区通过第一过孔与源极相连，漏极区通过第二过孔与漏极相连，栅极与有源层的重叠部分为沟道区；靠近漏极区的栅极沿第一方向延伸；沟道区、轻掺杂区以及漏极区沿第二方向依次排布，第二方向与第一方向垂直；其中，漏极区朝向沟道区的一侧具有至少一个凹口，且在第二方向上，凹口的底部与轻掺杂区朝向沟道区的边缘之间的最大距离大于或等于轻掺杂区的长度。通过设置至少一个凹口，减小了因对位偏差造成的LDD区面积波动的增大量，相应地，降低了漏电流。

A thin film transistor, display panel and display device

The invention provides a thin film transistor, a display panel and a display device, a thin film transistor includes a source electrode, a drain, gate and active layer; the active layer includes a source region, a drain region, a channel region and a lightly doped region, channel region is located in the source region and the drain region between the source region through the first through hole the source and drain regions connected through second vias connected to the drain electrode, the overlap grid and the active layer of the channel region; near the gate drain region extends along the first direction; a channel region, a lightly doped region and a drain region are arranged along the second direction, the second direction perpendicular to the first direction; among them. One side of the drain region towards the channel region has at least one notch, and in the second direction, the bottom of the recess and a lightly doped region toward the maximum distance between the edge of the channel region is greater than or equal to the length of the lightly doped region. By setting at least one notch, the increase of LDD area fluctuation caused by alignment deviation is reduced, and the leakage current is reduced accordingly.

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管、显示面板和显示装置
本技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管、显示面板和显示装置。
技术介绍
多晶硅(Poly-Si)薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)已经被广泛应用在液晶显示器中，由于多晶硅TFT晶格排列整齐，有利于内部电子的传输，电子迁移率较大，换句话说，电子在其内部所受的阻抗值较小，导致在薄膜晶体管关闭状态下具有严重的漏电流问题，使得液晶显示器损失电荷。为了抑制TFT的漏电流，一般采用在TFT的栅极和源极、漏极间进行轻掺杂，形成轻掺杂源漏(LightlyDopedDrain，LDD)区，用来降低漏极或源极与沟道接触处的电场，从而减少漏电流。虽然LDD区域能够减少一到两个量级的漏电流，但对于低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，LTPS)薄膜晶体管，LDD区域受光照射后会产生光生载流子，从而产生漏电流。具体如图1所示，为光漏流原理图，LDD区域受到光照射后产生光生载流子，在LDD区内的强场作用下，电子/空穴对被拉扯到不同方向，产生光漏流。现有技术中，在TFT制作过程中，通常存在轻掺杂源漏区的对位偏差，造成LDD区域面积波动增大，从而造成漏电流较大。如何提供一种减小对位偏差对漏电流影响的TFT成为亟待解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种薄膜晶体管、显示面板和显示装置，以解决现有技术中由于对位偏差的存在，而造成LDD区域面积波动增大，漏电流较大的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种薄膜晶体管，包括：源极、漏极、栅极和有源层；所述有源层包括源极区、漏极区、沟道区和轻掺杂区，所述沟道区位于所述源极区、漏极区之间，所述源极区通过第一过孔与所述源极相连，所述漏极区通过第二过孔与所述漏极相连，所述栅极与所述有源层的重叠部分为所述沟道区；靠近所述漏极区的所述栅极沿第一方向延伸；所述沟道区、所述轻掺杂区以及所述漏极区沿第二方向依次排布，所述第二方向与所述第一方向垂直；其中，所述漏极区朝向所述沟道区的一侧具有至少一个凹口，且在所述第二方向上，所述凹口的底部与所述轻掺杂区朝向所述沟道区的边缘之间的最大距离大于或等于所述轻掺杂区的长度。经由上述的技术方案可知，本技术提供的薄膜晶体管，通过在有源层的漏极区朝向沟道区的一侧设置至少一个凹口，当源漏极非掺杂区与漏极区重叠较多，形成轻掺杂区时，所述凹口将漏极区的轻掺杂区分隔为：与沟道区相接的对漏电流有影响的部分，也即LDD区域，和与沟槽区不相接并对漏电流没有影响的部分，也即非LDD区域。由于本技术提供的薄膜晶体管的LDD区域相对于现有技术中薄膜晶体管的LDD区域在第一方向上的宽度更窄，从而使得即使存在对位偏差，LDD区面积波动较小，相对固定，进而减小了因对位偏差造成的LDD区面积波动的增大量，相应地，降低了漏电流。本技术还提供一种具有上述薄膜晶体管的显示面板和显示装置，同样能够减小LDD区域在第一方向上的宽度，从而降低漏电流。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为现有技术中薄膜晶体管制作存在光漏流原理图；图2为现有技术中的一种薄膜晶体管局部俯视示意图；图3为现有技术中的另一种薄膜晶体管局部俯视示意图；图4A-图4C为本技术提供的不同形式的薄膜晶体管的俯视结构示意图；图5为本技术提供的一种具有两个矩形凹口的薄膜晶体管局部俯视示意图；图6为本技术提供的一种具有两个锥形凹口的薄膜晶体管局部俯视示意图；图7为本技术提供的一种具有一个锥形凹口的薄膜晶体管局部俯视示意图；图8为本技术提供的一种显示面板剖面图；图9为本技术提供的一种显示装置。具体实施方式如图2所示，LDD区21以栅极和有源层的非重掺杂区(ND)的光刻图案(PHT)22定义形成，其中，有源层的非掺杂区ND为不进行重掺杂的区域，光刻图案PHT为不需要掺杂的区域采用光刻胶覆盖时，光刻胶形成的图案。由于ND的光刻图案22太靠近漏极区23，在制作过程中，出现对位偏差时，ND的光刻图案22向上移动一点，将会造成LDD区21的面积变大较多，进而会造成光漏流变大。为此，现有技术中提出一种薄膜晶体管结构用于解决上述问题，如图3所示，将ND的光刻图案32设计得远离漏极区33，这样，即使存在对位偏差，造成ND的光刻图案32向上移动，LDD区的面积也不会增加较多，从而能够防止LDD区31面积波动而增大较多，进而减小对漏电流的影响，但是现有技术这样的设计，会降低显示装置的开口率。基于此，本技术提供一种薄膜晶体管，以在不影响显示装置开口率的基础上，降低因对位偏差，造成的LDD区面积波动增大而对漏电流的影响，所述薄膜晶体管包括：源极、漏极、栅极和有源层；所述有源层包括源极区、漏极区、沟道区和轻掺杂区，所述沟道区位于所述源极区、漏极区之间，所述源极区通过第一过孔与所述源极相连，所述漏极区通过第二过孔与所述漏极相连，所述栅极与所述有源层的重叠部分为所述沟道区；靠近所述漏极区的所述栅极沿第一方向延伸；所述沟道区、所述轻掺杂区以及所述漏极区沿第二方向依次排布，所述第二方向与所述第一方向垂直；其中，所述漏极区朝向所述沟道区的一侧具有至少一个凹口，且在所述第二方向上，所述凹口的底部与所述轻掺杂区朝向所述沟道区的边缘之间的最大距离大于或等于所述轻掺杂区的长度。本技术提供的薄膜晶体管，通过在有源层的漏极区朝向沟道区的一侧设置至少一个凹口，凹口将漏极区的轻掺杂区分隔为：与沟道区相接的对漏电流有影响的部分，也即LDD区域，和与沟槽区不相接并对漏电流没有影响的部分，也即非LDD区域。由于本技术提供的薄膜晶体管的LDD区域相对于现有技术中薄膜晶体管的LDD区域在第一方向上的宽度更窄，从而使得即使存在对位偏差，LDD区面积波动较小，相对固定，进而减小了因对位偏差造成的LDD区面积波动增大量，相应地，降低了漏电流。同时，由于本技术提供的薄膜晶体管并没有将ND的PHT图案设计得远离漏极区，从而对显示装置的开口率并没有影响。也即在不影响开口率的基础上，降低了漏电流。下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参见图4A-图4C，图4A-图4C为本技术提供的不同形式的薄膜晶体管的俯视结构示意图，请参见图4A-图4C，所述薄膜晶体管包括源极(图中未示出)、漏极(图中未示出)、栅极41和有源层42；有源层包括源极区421、漏极区422、沟道区423和轻掺杂区424，沟道区423位于源极区421、漏极区422之间，源极区421通过第一过孔A与源极相连，漏极区422通过第二过孔B与漏极相连，栅极41与有源层42的重叠部分为沟道区423；靠近漏极区4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：源极、漏极、栅极和有源层；所述有源层包括源极区、漏极区、沟道区和轻掺杂区，所述沟道区位于所述源极区、漏极区之间，所述源极区通过第一过孔与所述源极相连，所述漏极区通过第二过孔与所述漏极相连，所述栅极与所述有源层的重叠部分为所述沟道区；靠近所述漏极区的所述栅极沿第一方向延伸；所述沟道区、所述轻掺杂区以及所述漏极区沿第二方向依次排布，所述第二方向与所述第一方向垂直；其中，所述漏极区朝向所述沟道区的一侧具有至少一个凹口，且在所述第二方向上，所述凹口的底部与所述轻掺杂区朝向所述沟道区的边缘之间的最大距离大于或等于所述轻掺杂区的长度。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：源极、漏极、栅极和有源层；所述有源层包括源极区、漏极区、沟道区和轻掺杂区，所述沟道区位于所述源极区、漏极区之间，所述源极区通过第一过孔与所述源极相连，所述漏极区通过第二过孔与所述漏极相连，所述栅极与所述有源层的重叠部分为所述沟道区；靠近所述漏极区的所述栅极沿第一方向延伸；所述沟道区、所述轻掺杂区以及所述漏极区沿第二方向依次排布，所述第二方向与所述第一方向垂直；其中，所述漏极区朝向所述沟道区的一侧具有至少一个凹口，且在所述第二方向上，所述凹口的底部与所述轻掺杂区朝向所述沟道区的边缘之间的最大距离大于或等于所述轻掺杂区的长度。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凹口数量为一个，且所述凹口将所述轻掺杂区分隔为第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，其中，所述第一轻掺杂区同时与所述沟道区和所述漏极区相接。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一轻掺杂区的宽度与所述沟道区的宽度相同，且小于所述漏极区的宽度，所述宽度的方向为所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘博智，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35