The present invention relates to a display device includes: a substrate; a gate insulating layer is arranged on the base plate; a first active layer, a gate insulating layer, wherein the first active layer into a polycrystalline silicon layer; a first insulating layer, a first active layer and the gate insulating layer; an active layer is arranged in the first second. The insulating layer, the active layer second is a metal oxide layer; a first source electrode, a first drain, a second source electrode and a drain second, wherein the first source and the first drain is arranged on the first insulating layer and through a plurality of through holes are electrically connected with the first active layer. The second source and drain two is arranged on the second active layer and electrically connected with the second active layer; and a display medium on a substrate.
【技术实现步骤摘要】
显示设备
本专利技术的主要目的在提供一种显示设备,尤指一种同时包含有低温多晶硅薄膜晶体管单元及金属氧化物薄膜晶体管单元的显示设备。
技术介绍
随着显示器技术不断进步,所有的显示面板均朝体积小、厚度薄、重量轻等趋势发展,故目前市面上主流的显示器装置已由以往的阴极射线管发展成薄型显示器,如液晶显示面板、有机发光二极管显示面板或无机发光二极管显示面板等。其中,薄型显示器可应用的领域相当多,举凡日常生活中使用的手机、笔记本电脑、摄影机、照相机、音乐播放器、移动导航装置、电视等显示面板,大多数均使用该些显示面板。虽然液晶显示设备或有机发光二极管显示设备已为市面上常见的显示设备,特别是液晶显示设备的技术更是相当成熟,但随着显示设备不断发展且消费者对显示设备的显示质量要求日趋提高,各家厂商无不极力发展出具有更高显示质量的显示设备。其中,除了显示区上的薄膜晶体管结构外,非显示区中的栅极驱动电路区域所使用的薄膜晶体管组件结构,也为影响显示设备整体效率的因素的一。若显示区与栅极驱动电路区域均使用薄膜晶体管组件,两者若为不同薄膜晶体管组件时,两者的工艺会相互影响,也会造成显示设备整体的工艺复杂化(例如:需更多次化学气相沉积工艺)。有鉴于此,目前仍需针对显示区与栅极驱动电路区域的薄膜晶体管组件结构进行改良,以在具有良好薄膜晶体管组件特性下,简化两者的工艺及结构。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在提供一种显示设备,其同时包含有低温多晶硅薄膜晶体管单元及金属氧化物薄膜晶体管单元。于本专利技术的一实施例中,显示设备可包括:一基板;一第一栅极及一第二栅极,设于该基板上;一栅极绝缘层,设于 ...
【技术保护点】
一种显示设备,其特征在于,包括:一基板;一第一栅极及一第二栅极,设于该基板上;一栅极绝缘层,设于该基板、该第一栅极及该第二栅极上;一第一有源层,设于该栅极绝缘层上且与该第一栅极对应,其中该第一有源层包含一多晶硅层;一第一绝缘层,设于该第一有源层及该栅极绝缘层上;一第二有源层,设于该第一绝缘层上且与该第二栅极对应,其中该第二有源层包含一金属氧化物层;一第一源极、一第一漏极、一第二源极及一第二漏极,其中,该第一源极及该第一漏极设于该第一绝缘层上且通过多个通孔以与该第一有源层电性连接,而该第二源极及该第二漏极设于该第二有源层上并与该第二有源层电性连接;其中,该第一栅极、该栅极绝缘层、该第一有源层、该第一绝缘层、该第一源极及该第一漏极构成一第一薄膜晶体管单元,而该第二栅极、该栅极绝缘层、该第一绝缘层、该第二有源层、该第二源极及该第二漏极构成一第二薄膜晶体管单元;以及一显示介质,位于该基板上。
【技术特征摘要】
2016.04.08 US 62/319,9651.一种显示设备,其特征在于,包括:一基板;一第一栅极及一第二栅极,设于该基板上;一栅极绝缘层,设于该基板、该第一栅极及该第二栅极上;一第一有源层,设于该栅极绝缘层上且与该第一栅极对应,其中该第一有源层包含一多晶硅层;一第一绝缘层,设于该第一有源层及该栅极绝缘层上;一第二有源层,设于该第一绝缘层上且与该第二栅极对应,其中该第二有源层包含一金属氧化物层;一第一源极、一第一漏极、一第二源极及一第二漏极,其中,该第一源极及该第一漏极设于该第一绝缘层上且通过多个通孔以与该第一有源层电性连接,而该第二源极及该第二漏极设于该第二有源层上并与该第二有源层电性连接;其中,该第一栅极、该栅极绝缘层、该第一有源层、该第一绝缘层、该第一源极及该第一漏极构成一第一薄膜晶体管单元,而该第二栅极、该栅极绝缘层、该第一绝缘层、该第二有源层、该第二源极及该第二漏极构成一第二薄膜晶体管单元;以及一显示介质,位于该基板上。2.如权利要求1所述的显示设备,其特征在于,其中该第一栅极与该第一有源层之间的距离小于该第二栅极与该第二有源层之间的距离。3.如权利要求1所述的显示设备,其特征在于,其中该显示设备包括一显示区及一外围区,该外围区是围绕该显示区设置,该第一薄膜晶体管单元设于该外围区中,而该第二薄膜晶体管单元设于该显示区中。4.如权利要求1所述的显示设备,其特征在于,其中该栅极绝缘层包括一底栅极绝缘层及一顶栅极绝缘层,该底栅极绝缘层设于该基板与该顶栅极绝缘层间,且该底栅极绝缘层的材料为氮化硅,而该顶栅极绝缘层的材料为氧化硅。5.如权利要求1所述的显示设备,其特征在于,其中该第一绝缘层包括一第一底绝缘层及一第一顶绝缘层,该第一底绝缘层设于该栅极绝缘层与该第一顶绝缘层间,且该第一底绝缘层的材料为氮化硅,而该第一顶绝缘层的材料为氧化硅。6.如权利要求1所述的显示设备,其特征在于,其中该第一栅极由一第一导电层所形成,该第二栅极是由该第一导电层及一第二导电层层迭于该基板上所形成。7.如权利要求1所述的显示设备,其特征在于,其中该第一栅极的厚度小于该第二栅极的厚度。8.如权利要求6所述的显示设备,其特征在于,其中该第二导电层部分覆盖该第一导电层,且未覆盖该...
【专利技术属性】
技术研发人员:李冠锋,
申请(专利权)人:群创光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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