The invention discloses a metal oxide thin film transistor, which comprises: a substrate; a metal oxide semiconductor layer disposed on the substrate, the metal oxide semiconductor layer including a semiconductor layer and a semiconductor body are located at both ends of the body layer source contact layer and drain contact layer; a gate insulating layer disposed on the semiconductor layer on the gate body; that is installed on the gate insulating layer; a first passivation layer is arranged on the gate, source and drain contact layer on the contact layer, the first passivation layer has a first through hole and second hole, the first through-hole exposes the source contact layer second via exposing the drain source and drain contact layer; pole is arranged on the first passivation layer, the source fills the first through hole, and the source to drain contact contact layer, filling second vias with drain contact layer contact. The invention also discloses a manufacturing method of the metal oxide thin film transistor and a display panel. The metal oxide thin film transistor of the present invention has a high electron mobility.
【技术实现步骤摘要】
金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示面板
本专利技术属于薄膜晶体管
,具体地讲,涉及一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示面板。
技术介绍
目前,在现有的显示面板中,诸如液晶显示面板或者OLED显示面板中,通常利用薄膜晶体管(TFT)来作为控制开关。其中,薄膜晶体管通常都采用非晶硅(a-Si)薄膜晶体管。然而,众所周知,非晶硅(a-Si)薄膜晶体管的电子迁移率较低。与非晶硅薄膜晶体管相比,金属氧化物薄膜晶体管的迁移率较高,且可应用于透明显示技术,故具有较高的研究开发价值。
技术实现思路
为了解决上述现有技术的问题,本专利技术的目的在于提供一种能够金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法、显示面板。根据本专利技术的一方面,提供了一种金属氧化物薄膜晶体管,其包括:基板;金属氧化物半导体层,设置于所述基板上,所述金属氧化物半导体层包括半导体本体层以及分别位于所述半导体本体层两端的源极接触层和漏极接触层;栅极绝缘层,设置于所述半导体本体层上;栅极,设置于所述栅极绝缘层上;第一钝化层,设置于所述栅极、所述源极接触层和所述漏极接触层上,所述第一钝化层中具有第一过孔和第二过孔,所述第一过孔暴露出所述源极接触层,所述第二过孔暴露出所述漏极接触层;源极和漏极,设置于所述第一钝化层上,所述源极填充所述第一过孔,以与所述源极接触层接触,所述漏极填充所述第二过孔,以与所述漏极接触层接触。可选地,所述半导体本体层由非晶的铟镓锌氧化物制成,所述源极接触层和所述漏极接触层由氢掺杂的铟镓锌氧化物制成。可选地,所述金属氧化物薄膜晶体管还包括:第二钝化层,设置于所述栅极、所述源极接触层 ...
【技术保护点】
一种金属氧化物薄膜晶体管,其特征在于,包括:基板;金属氧化物半导体层,设置于所述基板上,所述金属氧化物半导体层包括半导体本体层以及分别位于所述半导体本体层两端的源极接触层和漏极接触层;栅极绝缘层,设置于所述半导体本体层上;栅极,设置于所述栅极绝缘层上;第一钝化层,设置于所述栅极、所述源极接触层和所述漏极接触层上,所述第一钝化层中具有第一过孔和第二过孔,所述第一过孔暴露出所述源极接触层,所述第二过孔暴露出所述漏极接触层;源极和漏极,设置于所述第一钝化层上,所述源极填充所述第一过孔,以与所述源极接触层接触,所述漏极填充所述第二过孔,以与所述漏极接触层接触。
【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物薄膜晶体管,其特征在于,包括:基板;金属氧化物半导体层,设置于所述基板上,所述金属氧化物半导体层包括半导体本体层以及分别位于所述半导体本体层两端的源极接触层和漏极接触层;栅极绝缘层,设置于所述半导体本体层上;栅极,设置于所述栅极绝缘层上;第一钝化层,设置于所述栅极、所述源极接触层和所述漏极接触层上,所述第一钝化层中具有第一过孔和第二过孔,所述第一过孔暴露出所述源极接触层,所述第二过孔暴露出所述漏极接触层;源极和漏极,设置于所述第一钝化层上,所述源极填充所述第一过孔,以与所述源极接触层接触,所述漏极填充所述第二过孔,以与所述漏极接触层接触。2.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管,其特征在于,所述半导体本体层由非晶的铟镓锌氧化物制成,所述源极接触层和所述漏极接触层由氢掺杂的铟镓锌氧化物制成。3.根据权利要求1或2所述的金属氧化物薄膜晶体管,其特征在于,所述金属氧化物薄膜晶体管还包括:第二钝化层,设置于所述栅极、所述源极接触层、所述漏极接触层上,所述第一钝化层设置于所述第二钝化层上。4.根据权利要求3所述的金属氧化物薄膜晶体管,其特征在于,所述第一钝化层由硅的氧化物制成,所述第二钝化层由硅的氮化物制成,所述第二钝化层的厚度为5nm~50nm。5.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1至4任一项所述的金属氧化物薄膜晶体管。6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板为液晶显示面板或者OLED显示面板。7.一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包括步骤:提供一基板;在所述基板上制作形成金属氧化物半导体层;在所述金属氧化物半导体层上制作形成栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上制作形成栅极;对所述栅极和所述栅极绝缘层进行图案化处理,以将所述栅极和所述栅极绝...
【专利技术属性】
技术研发人员:张良芬,吴元均,徐源竣,
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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