薄膜晶体管及制备方法、显示基板及制备方法、显示装置制造方法及图纸

一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及其制备方法、以及显示装置。该薄膜晶体管的制备方法包括：在衬底基板上形成有源层；在所述有源层上方形成栅极，该栅极与所述有源层绝缘；以栅极为掩模对所述有源层进行第一次掺杂；在所述栅极上方形成金属层，该金属层与所述栅极绝缘并具有突出部，所述栅极在所述衬底基板上的正投影为第一投影，所述金属层在所述衬底基板上的正投影为第二投影，在所述金属层的所述突出部对应的区域处所述第二投影突出于所述第一投影；以及以所述金属层为掩模对所述有源层进行第二次掺杂。

Thin film transistor, method for producing the same, display substrate, method for producing the same, and display device

A thin film transistor, a method for producing the same, a display substrate, a method of making the same, and a display device. Including the preparation method of the thin film transistor: an active layer formed on a substrate; in the active layer is formed over the gate, the gate insulating and the active layer; to the gate as a mask for the first time doping on the active layer; forming a metal layer on top of the gate, the metal layer and the the gate insulating and has a protruding portion of the gate is projected on the substrate on the substrate for the first projection, the metal layer on the substrate on the substrate of second orthographic projection, in the metal layer of the protrusion corresponding to the region where the second projection projecting from the first as well as projection; the metal layer as a mask for the second doping on the active layer.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及制备方法、显示基板及制备方法、显示装置
本公开的实施例涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及其制备方法、以及显示装置。
技术介绍
通常，显示基板包括排列成矩阵的多个像素单元，每个像素单元包括显示电极和对显示电极进行驱动的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括栅极、有源层、源电极和漏电极，有源层包括沟道区和分别位于沟道区两侧的源极区和漏极区。例如，源极区和漏极区为重掺杂区。为了减小薄膜晶体管的漏电流，例如可以在源极区与沟道区之间以及漏极区与沟道区之间设置轻掺杂区。然而，目前制作轻掺杂区的工艺太过复杂，有些生产者为了节省成本甚至不制作轻掺杂区。
技术实现思路
根据本公开的实施例，提供一种薄膜晶体管的制备方法。该薄膜晶体管的制备方法包括：在衬底基板上形成有源层；在所述有源层上方形成栅极，该栅极与所述有源层绝缘；以栅极为掩模对所述有源层进行第一次掺杂；在所述栅极上方形成金属层，该金属层与所述栅极绝缘并具有突出部，所述栅极在所述衬底基板上的正投影为第一投影，所述金属层在所述衬底基板上的正投影为第二投影，在所述金属层的所述突出部对应的区域处所述第二投影突出于所述第一投影；以及以所述金属层为掩模对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底基板上形成有源层；在所述有源层上方形成栅极，该栅极与所述有源层绝缘；以栅极为掩模对所述有源层进行第一次掺杂；在所述栅极上方形成金属层，该金属层与所述栅极绝缘并具有突出部，所述栅极在所述衬底基板上的正投影为第一投影，所述金属层在所述衬底基板上的正投影为第二投影，在所述金属层的所述突出部对应的区域处所述第二投影突出于所述第一投影；以及以所述金属层为掩模对所述有源层进行第二次掺杂。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底基板上形成有源层；在所述有源层上方形成栅极，该栅极与所述有源层绝缘；以栅极为掩模对所述有源层进行第一次掺杂；在所述栅极上方形成金属层，该金属层与所述栅极绝缘并具有突出部，所述栅极在所述衬底基板上的正投影为第一投影，所述金属层在所述衬底基板上的正投影为第二投影，在所述金属层的所述突出部对应的区域处所述第二投影突出于所述第一投影；以及以所述金属层为掩模对所述有源层进行第二次掺杂。2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，除所述金属层的所述突出部所对应的区域之外所述第一投影与所述第二投影重合。3.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述第一投影位于所述第二投影的内侧。4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述有源层在所述衬底基板上的投影为第三投影，除所述有源层的要被所述第二次掺杂进行掺杂的部分之外所述第二投影和所述第三投影重合。5.根据权利要求4所述的制备方法，其中，所述第二投影和所述第三投影均为S形。6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其中，在所述栅极和所述金属层之间具有层间绝缘层，并且所述方法还包括形成过孔，该过孔贯穿所述金属层和所述层间绝缘层以露出所述栅极的一部分。7.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其中，所述第一次掺杂的掺杂类型与所述第二次掺杂的类型相同；所述有源层包括沟道区、第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区位于所述沟道区和所述第二掺杂区之间；并且所述沟道区在所述第一次掺杂和所述第二次掺杂中均未被掺杂，所述第一掺杂区在所述第一次掺杂中被掺杂，所述第二掺杂区在所述第一次掺杂和所述第二次掺杂两者中被掺杂。8.根据权利要求7所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯佑雄，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11