一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域。该薄膜晶体管包括有源层，有源层包括：沟道区、第一掺杂区和第二掺杂区；第二掺杂区位于第一掺杂区远离沟道区的一侧，且第二掺杂区的掺杂离子浓度大于第一掺杂区的掺杂离子浓度；有源层还包括第三掺杂区，第三掺杂区位于沟道区与第二掺杂区之间，其中，第三掺杂区的掺杂离子浓度小于第一掺杂区的掺杂离子浓度。本发明专利技术实施例提供的技术方案能够解决现有技术中在高偏置电压情况下薄膜晶体管的漏电流较大的问题。

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

The embodiment of the invention provides a thin film transistor and a manufacturing method thereof, an array substrate and a display device, and relates to the display technology field. The thin film transistor includes an active layer, an active layer includes a channel region, a first doped region and a second doped region; one side of the second doped region is located in the first doped region from the channel region, and the doping concentration of the second doped region is greater than the doping concentration of the first doped region; the active layer also includes a third doped region, third doping district is located between the channel region and a second doped region wherein the doping concentration of the third doped region is smaller than the doping concentration of the first doped region. The technical proposal provided by the embodiment of the invention can solve the problem that the leakage current of the thin film transistor is large in the prior art when the bias voltage is high.

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
由于低温多晶硅具有较高的电子迁移率、较快的响应速度、良好的稳定性等优点，目前，显示装置中应用的薄膜晶体管多采用低温多晶硅作为有源层。图1为现有技术中的薄膜晶体管的结构示意图，如图1所示，该薄膜晶体管包括设置于衬底基板10’上的缓冲层20’，设置于缓冲层20’上的有源层30’，设置于有源层30’上的栅极绝缘层40’，设置于栅极绝缘层40’上的栅极50’，设置于栅极50’上的层间绝缘层60’，以及设置于层间绝缘层60’上的源极70’和漏极80’，源极70’和漏极80’分别通过贯穿栅极绝缘层和层间绝缘层的过孔90’与有源层30’连接。其中，有源层30’包括沟道区31’，位于沟道区31’两侧的两个低掺杂区(LDD，LightlyDopedDrain)32’，以及位于两个低掺杂区32’的远离沟道区31’一侧的两个重掺杂区33’，两个重掺杂区33’分别用于与源极70’和漏极80’连接。本申请的专利技术人发现，针对具有上述结构的薄膜晶体管，在其处于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：有源层，所述有源层包括：沟道区、第一掺杂区和第二掺杂区；所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区远离所述沟道区的一侧，且所述第二掺杂区的掺杂离子浓度大于所述第一掺杂区的掺杂离子浓度；所述有源层还包括第三掺杂区，所述第三掺杂区位于所述沟道区与所述第二掺杂区之间，其中，所述第三掺杂区的掺杂离子浓度小于所述第一掺杂区的掺杂离子浓度。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：有源层，所述有源层包括：沟道区、第一掺杂区和第二掺杂区；所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区远离所述沟道区的一侧，且所述第二掺杂区的掺杂离子浓度大于所述第一掺杂区的掺杂离子浓度；所述有源层还包括第三掺杂区，所述第三掺杂区位于所述沟道区与所述第二掺杂区之间，其中，所述第三掺杂区的掺杂离子浓度小于所述第一掺杂区的掺杂离子浓度。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一掺杂区包括第一子掺杂区和第二子掺杂区，所述第二子掺杂区位于所述第一子掺杂区朝向所述第二掺杂区的一侧，所述第三掺杂区位于所述第一子掺杂区与所述第二子掺杂区之间。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一子掺杂区沿第一方向的宽度大于所述第二子掺杂区沿所述第一方向的宽度；其中，所述第一方向为所述沟道区朝向所述第二掺杂区的方向。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第三掺杂区位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第三掺杂区位于所述沟道区与所述第一掺杂区之间。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第三掺杂区包括第三子掺杂区和第四子掺杂区，其中，所述第三子掺杂区位于所述沟道区与所述第一掺杂区之间，所述第四子掺杂区位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间。7.根据权利要求1-6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第三掺杂区在平行于所述沟道区表面的平面内呈多个分隔的块状区域。8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层与所述栅极之间设置栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括第一凸起区域；所述第三掺杂区为所述第一凸起区域在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上的正投影区域。9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层与所述栅极之间设置栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括第二凸起区域；所述沟道区为所述第二凸起区域的在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上的正投影区域；在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述栅极的正投影位于所述第二凸起区域的正投影内。10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一掺杂区的掺杂离子与所述第三掺杂区的掺杂离子相同；所述第一掺杂区的掺杂离子与所述第二掺杂区的掺杂离子不同。11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一掺杂区的掺杂离子为磷离子。12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一掺杂区中磷离子的掺杂浓度为1×1013～5×1013个/cm2；所述第三掺杂区中磷离子的掺杂浓度为5×1012～1×1013个/cm2。13.根据权利要求10所述的薄膜晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：文亮，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35