薄膜晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法。本发明专利技术的薄膜晶体管，设置在基板上，其包括漏电极、源电极、栅电极和有源层，漏电极和源电极均呈梳齿状，漏电极和源电极分别通过第一过孔和第二过孔与有源层连接。这种设置，能够使得漏电极和源电极之间的沟道的宽度增大，同时减少了薄膜晶体管的布局尺寸，达到了节省空间的目的。当将其应用在GOA电路或其他电路时，有利于实现窄边框显示面板的设计。

Thin film transistor and method for manufacturing the same

The invention relates to the technical field of display panels, in particular to a thin film transistor and a manufacturing method thereof. The thin film transistor of the invention, is arranged on the substrate, which comprises a source electrode, a drain electrode, a gate electrode and active layer, a drain electrode and a source electrode showed a comb shaped, drain electrode and source electrode respectively through the first through hole and second hole connected with the active layer. The arrangement enables the width of the channel between the drain electrode and the source electrode to be increased, while reducing the layout size of the thin-film transistor to achieve space saving purposes. When it is applied to GOA circuits or other circuits, it is advantageous to realize the design of narrow frame display panel.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制作方法
本专利技术涉及显示面板
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD，ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay)作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，越来越多地被应用于高性能显示领域当中。随着显示器件尺寸逐渐变大，要求显示器件具有更高分辨率和高频驱动性能。因此，要求TFT具有高迁移率和高性能。为了提高半导体有源层的电子迁移率，通常采用电子迁移率是非晶硅层迁移率几十倍的半导体氧化物材料，如IGZO(IndiumGalliumZincOxide，铟镓锌氧化物)作为TFT的半导体有源层。现有技术中，采用IGZO作为半导体有源层的阵列基板主要有两种，分别为顶栅极IGZOTFT结构和刻蚀阻挡层(ESL)IGZOTFT结构。如图1a所示，为沿基板的法线方向观测，现有技术中顶栅极IGZOTFT结构的示意图，图1b为图1a中的顶栅极IGZOTFT结构的截面示意图。从图1a中可以看出，栅电极11与IGZO有源层12部分重叠，漏电极13和源电极14也与IG本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管设置在基板上，其包括漏电极、源电极、栅电极和有源层，其中，所述漏电极呈梳齿状，所述漏电极包括若干条相互平行设置的第一齿部以及在所述第一齿部的一端将所述第一齿部相互连通的第一干部；所述源电极呈梳齿状，所述源电极包括若干条相互平行设置的第二齿部以及在所述第二齿部的一端将所述第二齿部相互连通的第二干部；所述第一齿部与所述第二齿部相互平行依次交叉设置，所述第一干部与所述第二干部相对设置，所述漏电极通过第一过孔与所述有源层连接，所述源电极通过第二过孔与所述有源层连接。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管设置在基板上，其包括漏电极、源电极、栅电极和有源层，其中，所述漏电极呈梳齿状，所述漏电极包括若干条相互平行设置的第一齿部以及在所述第一齿部的一端将所述第一齿部相互连通的第一干部；所述源电极呈梳齿状，所述源电极包括若干条相互平行设置的第二齿部以及在所述第二齿部的一端将所述第二齿部相互连通的第二干部；所述第一齿部与所述第二齿部相互平行依次交叉设置，所述第一干部与所述第二干部相对设置，所述漏电极通过第一过孔与所述有源层连接，所述源电极通过第二过孔与所述有源层连接。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，沿所述基板的法线方向观测，所述有源层包括第一条状，所述第一条状与所述第一齿部的一部分重叠，同时与所述第二齿部的一部分重叠。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层还包括与所述第一条状结合的第二条状，所述第二条状和所述第一条状的结合体与所述源电极或所述漏电极重叠。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层进一步包括与所述第一条状结合的第三条状，所述第三条状与所述第一条状、所述第二条状的结合体与所述漏电极和所述源电极重叠。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，当所述第二条状和所述第一条状的结合体与所述源电极重叠时，所述第三条状与所述漏电极重叠；当所述第二条状和所述第一条状的结合体与所述漏电极重叠时，所述第三条状与所述源电极重叠。6.根据权利要求1至5中任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，沿所述基板的法线方向观测，所述栅电极呈波形状，并设置在所述漏电极与所述源电极之间的间隙内。7.根据权利要求1至5中任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，沿所述基板的法线方向观测，所述有源层的正投影位于所述栅电极的正投影的内部。8.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：S11：在基板上制作金属遮光层；S12：在基板全...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾勉，陈书志，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44