共面型薄膜晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种共面型薄膜晶体管，包括：覆于基板上的栅极；覆于栅极上的栅极绝缘层；覆于栅极绝缘层上的源极和漏极，位于源极和漏极之间的沟道区，源极和漏极为两层结构，底层为铜层，顶层为钛层，钛层位于铜层上且部分位于沟道区侧面；沟道区内设有半导体层，钛层与半导体层接触，钛层包括钛阻挡层，钛阻挡层隔离铜层和半导体层。本发明专利技术解决了沟道区处铜层与半导体层接触的问题，避免了铜原子向半导体层扩散，从而起到隔离铜和半导体层的目的。

Coplanar thin film transistor and its manufacturing method

The invention provides a coplanar type thin film transistor includes a gate electrode, coated on the substrate; a gate insulating layer covering the gate; covered on the gate insulating layer of the source and drain, located between source and drain channel region, the source and drain is divided into two layers, the bottom as the copper layer, the top layer of titanium, titanium layer and copper layer is located on the side part of the channel region; channel region is arranged in the semiconductor layer, contact titanium layer and a semiconductor layer, a titanium layer including a titanium barrier layer, titanium barrier layer isolation layer and a semiconductor layer of copper. The invention solves the problem that the copper layer is contacted with the semiconductor layer in the channel region, and avoids the diffusion of the copper atom into the semiconductor layer, so as to isolate the copper and the semiconductor layer.

【技术实现步骤摘要】
共面型薄膜晶体管及其制造方法
本专利技术属于薄膜晶体管
，尤其涉及一种共面型薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、液晶面板、显示装置。
技术介绍
在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和低辐射等特点。在共面型薄膜晶体管结构中，如图1所示，共面型薄膜晶体管10，包括覆于基板01上的栅极02、覆于栅极02上的栅极绝缘层03、覆于栅极绝缘层03上的源极和漏极，其中，源极和漏极均为两层结构，底层铜层041，顶层为钛层042、覆于源极和漏极上的半导体层05，其中，半导体层05为IGZO半导体层、覆于半导体层05上的绝缘层06。其中，沟道区07位于源极和漏极之间。在沟道区07处，由于铜层、钛层同时刻蚀，在沟道区处的侧面，源极和漏极会与半导体层发生接触，即，铜层041直接与半导体层05接触。而对于IGZO半导体而言，存在铜原子在IGZO薄膜的扩散问题，这个会导致TFT器件的短路，开关失效。在这种情况下，针对铜原子的扩散问题，本专利技术提出一种新的共面型薄膜晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种共面型薄膜晶体管，包括：栅极(2)；源极；漏极；以及沟道区(7)，位于源极和漏极之间；其中，所述源极和漏极均包括位于底部的铜层(41)、以及位于所述铜层(41)上方且部分位于所述沟道区(7)侧面的钛层(42)；所述沟道区(7)内设有半导体层(5)，所述钛层(42)与所述半导体层(5)接触。

【技术特征摘要】
1.一种共面型薄膜晶体管，包括：栅极(2)；源极；漏极；以及沟道区(7)，位于源极和漏极之间；其中，所述源极和漏极均包括位于底部的铜层(41)、以及位于所述铜层(41)上方且部分位于所述沟道区(7)侧面的钛层(42)；所述沟道区(7)内设有半导体层(5)，所述钛层(42)与所述半导体层(5)接触。2.根据权利要求1所述的共面型薄膜晶体管，其特征在于，所述钛层(42)包括钛阻挡层(8)，所述钛阻挡层(8)设置于所述沟道区(7)侧面，所述钛阻挡层(8)覆盖所述铜层(41)，且隔离所述铜层(41)和半导体层(5)。3.根据权利要求1所述的共面型薄膜晶体管，其特征在于，所述源极的铜层和漏极的铜层(41)之间的距离大于所述源极的钛层和漏极的钛层(42)之间的距离。4.根据权利要求1所述的共面型薄膜晶体管，其特征在于，还包括栅极绝缘层(3)，所述栅极绝缘层的下方是所述栅极，所述栅极绝缘层的上方是所述源极、漏极和半导体层。5.根据权利要求4所述的共面型薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层(3)采用SiOX和SiNX组合膜层,其中，SiNX膜层位于所述栅极的上方，所述SiOX膜层位于所述SiNX膜层的上方。6.根据权利要求1所述的共面型薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层(5)为IGZO半导体层。7.一种阵列基板，包括纵横交错...

【专利技术属性】
技术研发人员：张俊，王海宏，邢志民，孙俊豪，焦峰，
申请(专利权)人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，南京中电熊猫平板显示科技有限公司，南京华东电子信息科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32