LTPS基板及其制作方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种LTPS基板及其制作方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。所述一种LTPS基板，能够用于薄膜晶体管的制作，包括遮光层，所述遮光层主要由掺杂镧系元素的非晶硅构成。本发明专利技术通过采用主要由掺杂镧系元素的非晶硅膜层作为LTPS基板的遮光层，不仅在确保遮光效率的同时减少了生产的工艺，更进一步地防止由于ELA过程中H渗出而造成的H爆炸问题的发生。解决了LTPS基板制作过程中存在的ELA不良问题，此外，可在一定程度上实现降低相应装置或系统整体制造的复杂性及有效地节约成本。

LTPS substrate and its manufacturing method, thin film transistor, array substrate and display device

The invention relates to the field of display technology, in particular to a LTPS substrate and its manufacturing method, a thin film transistor, an array substrate and a display device. The LTPS substrate can be used for the fabrication of thin film transistors, including the light shielding layer, which is mainly composed of amorphous silicon doped with lanthanide elements. The invention adopts the amorphous silicon film is mainly composed of doped lanthanide elements as the light shielding layer of the LTPS substrate, not only to ensure the shading efficiency at the same time reduce production process, further to prevent the occurrence of H explosion problem caused by ELA in the process of the H exudation. It solves the problem of ELA in the process of making LTPS substrate. In addition, it can reduce the complexity of the whole manufacture of the corresponding device or system to some extent and effectively save the cost.

【技术实现步骤摘要】
LTPS基板及其制作方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种LTPS基板及其制作方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。
技术介绍
由于LTPS(低温多晶硅)具有较高的离子迁移率，可用于制作分辨率高，开口率大的显示面板。随着技术的发展，在液晶显示装置在制作过程中，LTPS已慢慢成为主流显示器中薄膜晶体管有源层沉积所使用的必选材料。在现有技术中，采用多晶硅沉积形成有源层时，其底部需要有一层遮光层，而该遮光层材料通常为不透光的金属材料，由于采用金属材料形成遮光层，其在后续的步骤中需要加入一步形成掩膜(mask)的过程，而此过程的增加必定引起生产成本的提高。
技术实现思路
本专利技术的目的旨在提供一种LTPS基板及其制作方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。所述LTPS基板采用掺杂镧系元素的非晶硅形成遮光层，达到LTPS遮光要求的同时，实现了减少处理工艺，降低生产成本的目的。为实现该目的，本专利技术提供了一种LTPS基板，能够用于薄膜晶体管的制作，其特征在于，包括遮光层，所述遮光层主要由掺杂镧系元素的非晶硅构成。进一步地，所述非晶硅中掺杂的镧系元本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LTPS基板，能够用于薄膜晶体管的制作，其特征在于，包括遮光层，所述遮光层主要由掺杂镧系元素的非晶硅构成。

【技术特征摘要】
1.一种LTPS基板，能够用于薄膜晶体管的制作，其特征在于，包括遮光层，所述遮光层主要由掺杂镧系元素的非晶硅构成。2.根据权利要求1所述的LTPS基板，其特征在于，所述非晶硅中掺杂的镧系元素为镧或铈。3.根据权利要求2所述的LTPS基板，其特征在于，所述遮光层中铈的含量为0.2-2.0％wt。4.根据权利要求2所述的LTPS基板，其特征在于，所述LTPS基板还包括：第一缓冲层，形成于所述遮光层的下方；第二缓冲层，形成于所述遮光层的上方；多晶硅层，形成于所述第二缓冲层的上方。5.根据权利要求4所述的LTPS基板，其特征在于，所述第一缓冲层以及第二缓冲层的沉积材料包括氧化硅、氮化硅中的至少一种；所述多晶硅层包括沉积的非晶硅膜层晶化形成的多晶硅膜层。6.一种LTPS基板的制作方法，其特征在于，所述LTPS基板包括衬底基板及在所述衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：李海旭，曹占锋，姚琪，薛大鹏，路达，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11